龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市远三面，占地面积达415万平方米，SK海力士正在进行用地工程和基础设施构建工程。SK海力士将在此建造生产新一代半导体产品的四座先进厂房，携手全球50多家材料、零部件和设备企业构建半导体合作园区。此次决议的投资额包含了集群运营初期所需的各种建设费用，分别为首座厂房、配套设施、办公楼、服务设施等，投资期间核定为2024年8月至2028年年末。

通过董事会获得了投资决议后，SK海力士将按照原定的日程规划，于2025年3月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于2027年5月竣工。在首座厂房的建设完成后，SK海力士将依次推进剩余的三座厂房建设，将龙仁集群发展成为“全球人工智能半导体生产据点”。

首座工厂生产以HBM为代表的面向AI的存储器和新一代DRAM产品，可将根据竣工时市场的需求，做好生产另外产品的准备。此外，SK海力士计划在首座厂房内建造“迷你工厂”，以支援韩国国内的材料、零部件和设备公司在其进行技术研发、验证和评估。

财报显示，2024财年第二季度的收入为16.4233万亿韩元（约合118.49亿美元/人民币862.22亿元），同比/环比增长125/32%；营业利润为5.4685万亿韩元（约合39.45亿美元/人民币286.55亿元），同比扭亏为盈，环比增长89%，继半导体超级繁荣期的2018年第二季度（5.5739万亿韩元）、第三季度（6.4724万亿韩元）之后时隔6年创下了5万亿韩元水平的业绩；净利润为4.1200万亿韩元（约合29.73亿美元/人民币215.89亿元），同比扭亏为盈，环比增长115%。同时营业利润率为33%，净利润率为25%。

SK海力士表示，HBM和eSSD等适用于AI的存储器需求表现强势，DRAM和NAND闪存产品的整体价格持续上升，并以高端产品销售增长为主，NAND闪存实现连续两个季度盈利。另外HBM3E和服务器DRAM等高附加值产品的销售比重有所扩大，从而带动了业绩的增长，取得了符合市场预期的表现。

展望未来，SK海力士预计下半年面向AI服务器的存储器需求持续增长，支持端侧AI的PC端和移动端新产品将会上市，所需的高性能存储器销量也将随之增长，同时通用存储器的需求也将呈现明显的上升趋势。SK海力士副社长兼首席财务官金祐贤表示，虽然今年的投资规模与年初的计划相比会有所提升，但是会周密分析客户需求和盈利能力来制定投资计划，并在经营现金流范围内有效执行，以确保财务稳定。

据TrendForce报道，三星、SK海力士和美光都在积极投资HBM产能扩张计划，预计2025年新增产量将达到27.6万个单位，使得年度总产量增至54万个单位，也就是说年增长率将达到105%，实现产能翻倍。

三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求；SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺；美光正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。

HBM3E将逐渐成为今年的市场主流，出货主要集中在下半年。目前SK海力士和美光是主要的HBM产品供应商，两者都转向了1β工艺，而且都在向英伟达供货，而三星仍然在等待完成认证工作。

据相关媒体报道，SK海力士计划未来三年投资103万亿韩元（约合745.77亿美元/人民币5417.8亿元），继续加强对DRAM业务的控制，并更多地关注人工智能（AI）技术的应用。SK海力士母公司SK集团表示，其中约80%的资金专注于人工智能和半导体领域，以便“通过专注于人工智能价值链来提高竞争力”，另外会把部分投资用于股东回报，并对超过175家的子公司进行精简。

SK海力士在2022年出现了近30亿美元的亏损，这是其过去10年里的首次亏损。尽管如此，人工智能热潮使得SK海力士得到了喘息的机会，并在2023年第四季度扭亏为盈，实现了复苏。对于SK海力士来说，向人工智能领域转型是有意义的，尤其在英伟达等公司正在人工智能市场大杀四方的情况下。作为英伟达数据中心GPU的主要供应链厂商，SK海力士提供了重要的HBM产品，也是之前SK海力士在半导体存储器行情不佳时得以尽早恢复的关键。

为了紧跟人工智能潮流趋势，配合打造新一代数据中心，SK海力士还推出了其首款PCIe 5.0 SSD，并准备带来300TB的企业级SSD。

SK海力士表示，PCB01在面向PC的SSSD产品中实现行业最高性能，专为端侧AI应用进行优化。这是SK海力士继HBM等超高性能DRAM后，在NAND闪存解决方案方面，成功开发最高标准的产品，以引领面向AI的存储器市场。目前SK海力士正在与全球PC客户进行对新产品的验证，计划验证完成后今年内开始量产，并同时推出面向大型客户和普通消费者的产品。

PCB01可选512GB、1TB和2TB三种容量，支持PCIe 5.0 x8接口，可显著提升数据处理速度等性能，提供了最高标准的顺序读写速度，分别达到了14GB/s和12GB/s，这是1秒内能够运行AI学习和推理所需的大型语言模型的速度。与上一代产品相比，能效提高了30%以上，提升了大规模AI计算的稳定性。SK海力士在该产品上引入了SLC缓存技术，不仅有助于提升AI应用速度，还能提高普通PC的工作速度。

此外，PCB01还搭载了保护个人信息的安全功能，配置了安全解决方案信任根（ROT）。信任根是一个硬件模块，以防止外部攻击和数据伪造、篡改，同时保护用户密码。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在与投资者和金融分析师的电话会议上表示，虽然美光在EUV光刻设备的使用上稍微落后于三星和SK海力士，但是加入EUV技术的1γ工艺DRAM芯片试生产进展顺利，有望在2025年实现量产。

美光对1γ工艺的DRAM芯片寄予厚望，希望能借助EUV技术构建业界最小的DRAM单元，制造出业内最便宜且更节能的存储产品，这可以让其在存储芯片的竞争中获得优势。目前试产工作正在美光位于日本广岛的工厂中进行，作为试产计划的一部分，首批采用1γ 工艺的存储产品也会在这里制造。至于使用EUV光刻设备后对美光DRAM芯片的性能有多大影响，还有待观察。

事实上，美光使用ASML的EUV光刻机已经有一段时间了。美光一直测试这些工具，以EUV替代1α和1β工艺上部分使用DUV的环节，并逐步进行调整，以提升良品率。现在美光已积累了足够的经验，开始准备将EUV光刻机投入到大规模生产中。

据Business Korea报道，SK海力士最近在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，发表了有关3D DRAM技术的最新研究论文。显示SK海力士正在加速3D DRAM的开发，并取得重大新突破，首次披露了3D DRAM开发的具体数量和特性。

SK海力士表示，目前5层堆叠3D DRAM良品率已达56.1%。这意味着单个测试晶圆上可以制造大约1000个3D DRAM单元，其中有561个器件是可用的。SK海力士还透露，实验性的3D DRAM具有与目前使用的2D DRAM相似的特性。不过SK海力士也指出，虽然3D DRAM有着巨大的潜力，但在实现商业化之前仍然需要做大量的开发工作。同时与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要达到32层至192层堆叠的存储单元才能广泛使用。

据了解，三星和美光也在推进3D DRAM的开发。三星已经成功地将3D DRAM堆叠至16层，并计划在2030年实现量产。美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，如果技术能够取得突破，可以生产出比现有产品更好的DRAM，而且不需要使用EUV光刻设备。

现阶段DRAM市场仍然是高度集中，三星、SK海力士和美光等主要参与者共同占据了全球市场份额的96%以上。

据Business Korea报道，三星、SK海力士和美光三大存储器制造商之间的竞争正在从高带宽存储器（HBM）扩展到图形DRAM领域。与HBM产品不同，显卡采用的GDDR产品发展重点是拓宽数据传输路径来提高处理速度和效率，不仅能用于人工智能（AI）芯片，还能用于挖掘加密货币。

根据市场调查研究机构的数据，随着AI PC热潮的到来，相关终端设备的增加，预计GDDR市场也会迎来快速增长，到2024年末将占整个DRAM市场的15%，比2022年时的7%翻了一倍有余。市场规模的扩大预示着收益的增加，三星、SK海力士和美光都计划在2024年第四季度到2025年第一季度之间量产GDDR7。

显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系列GPU将支持GDDR7。有业内人士认为，显存将是继HBM之后的新战场，三星、SK海力士和美光也将围绕英伟达新一代GPU争夺订单。从之前厂商发布的公告及展出的样品来看，三星和美光首批GDDR7芯片为16Gb（2GB）的模块，对应速率为32Gbps，而SK海力士计划提供16Gb（2GB）和24Gb（3GB）模块，速率最高达到40Gbps，对应的带宽为160GB/s。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

据The Elec报道，随着三星和SK海力士都已确认，在即将到来的3D DRAM上加入混合键合技术。前者初步计划在2025年推出3D DRAM芯片，后者还没有确定具体实施的时间。目前三星和SK海力士使用了微凸块来连接DRAM模块，但混合键合可以通过使用硅通孔（TSV）垂直堆叠芯片，以消除对微凸块的需求，从而显着减少芯片厚度。

3D DRAM是DRAM的未来概念，也就是DRAM单元垂直堆叠，是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式，就像今天的NAND单元垂直堆叠一样。3D DRAM不是简单地将2D DRAM组件放在一侧，然后将其堆叠在一起，重新设计的DRAM架构可以层层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术。

3D DRAM设计重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。通过垂直堆叠单元，3D DRAM芯片将单位面积的容量增加三倍，而当前的HBM是垂直连接多个DRAM芯片，两者是不一样的。

此外，三星还在探索4F Square DRAM，并计划将混合键合集成到生产过程中。与目前已经商业化的6F Square DRAM相比，可将芯片表面积减少30%。传闻三星打算推进到10nm或更先进的工艺时，在DRAM中引入新结构。

三星和美光都打算在2024年内实现量产，其中前者的GDDR7产品页面已于今年3月在官网上线，后者最近发布了公告，确认已向合作伙伴提供了样品，计划在2024年下半年开始供货。根据现有信息推算，SK海力士在GDDR7上的进度比起三星和美光慢了大概一个季度。虽然量产时间更晚一些，但是不代表三星和美光完全掌握了主动，现阶段只是在与合作伙伴进行验证方面抢先了一步。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

根据展出的样品来看，SK海力士计划提供16Gb（2GB）和24Gb（3GB）模块，速率最高达到40Gbps，对应的带宽为160GB/s。三星和美光首批GDDR7芯片的速率为32Gbps，为16Gb（2GB）的模块，能提供更快、更大的产品或许是SK海力士的底气所在。

相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。这个过程涉及2-3个步骤，而MR-RUF技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程。根据SK海力士的说法，MR-RUF的导热系数大约是TC NCF的两倍，显著影响了生产速度和产量。从目前的市场占有率来看，SK海力士的说法似乎非常有说服力。

传闻JEDEC固态存储协会可能会放宽HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度放宽至775微米，这意味着存储器制造商可以在现有的键合技术中实现16层堆叠，无需转向新的混合键合技术。

SK海力士透露，在未来的芯片堆叠中，将消除凸块，并使用特殊材料填充和连接芯片。这种材料类似于液体或胶水，将提供散热和芯片保护，从而实现更薄的整体芯片堆栈。SK海力士非常地乐观，认为混合键合技术有可能在不超过775微米的情况下实现20层以上的堆叠，不需要转向新的工艺。

SK海力士采用1cnm工艺的DRAM有5层极紫外线（EUV）层，其中一层将采用MOR技术绘制。如果SK海力士最终决定这么做，那么将是MOR光刻胶首次应用于DRAM量产工艺。三星也有同样的考虑，计划在1cnm DRAM引入Inpria MOR光刻胶，不过SK海力士在量产时间表上领先于三星。

其实早在2022年，SK海力士就与三星进行了合作，研究MOR技术。在SK海力士看来，金属氧化物抗蚀剂将有助于提高未来DRAM性能的性能，而且还能降低成本。光刻胶在芯片生产的光刻过程中使用，会对光发生化学反应，这种特性被用来在晶圆上绘制电路图案。

据了解，SK海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。三星计划今年底量产1cnm DRAM产品，在12月之前获得客户验证。

据Wccftech报道，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作，比如打算将存储控制器安装在HBM结构的基础芯片上。

SK海力士希望通过新计划，为多用途HBM解决方案奠定基础。虽然暂时无法判断这种偏离业界传统的做法会对高性能计算市场产生多大影响，但是性能提升基本是可以确定的。这与HBM技术的封装结构有很大关系，由于采用单一的单元，不仅可以确保更快的信号传输速度，而且结构间隙将大大减少，从而提升功率效率。

现在的HBM市场比以往任何时候都要激烈，SK海力士面临着更大的竞争压力。与台积电的结盟大大增强了SK海力士在HBM产品上的开发实力，最大限度地确保领先于三星和美光等竞争对手，并推动着HBM产业的持续创新。

据AnandTech报道，台积电在近日举办的2024欧洲技术研讨会上表示，将采用N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。台积电称，正在与主要的HBM内存合作伙伴联手，在先进制程上实现HBM4的全堆栈集成，其中N12FFC+工艺可以在满足性能要求下具备成本优势，N5工艺则可以在更低功耗下达到HBM4预期的速度。

N5是目前最先进的制程工艺之一，用于制造最好的CPU和GPU，现在用到存储器上属于一件大事，比起之前传言中采用的N7工艺更为先进。利用N5工艺，可以将更多的逻辑和功能封装到HBM4的基础裸片里，并实现非常精细的互连间距，这对于逻辑芯片上的直接键合至关重要，从而提高人工智能（AI）和高性能（HPC）所需的内存性能。N12FFC+工艺源自台积电非常成熟的16nm FinFET技术，制造的HBM4基础裸片可用于构建12层及16层堆栈，分别提供48GB和64GB的容量，比起N5工艺更具性价比。

此外，台积电还在优化CoWoS-L和CoWoS-R封装技术，以支持HBM4集成。按照SK海力士和台积电的计划，HBM4预计在2026年投产。