尽管本季度移动端的DRAM需求复苏，但由于服务器市场的DRAM和SSD需求减弱，整体半导体存储器价格在本季度转为下行趋势，因此本季度营收和营业利润分别环比下降6%和33%。SK海力士表示除了积极应对市场的不力因素，得益于显示芯片的DRAM需求增长，以及消费性电子产品的DRAM需求扩大，因此尽管服务器市场需求减少，但本季度的DRAM出货量仍有4%的增长。但由于服务器市场及其他部分产品的DRAM价格下降，平均销售价格在本季度环比下降了7%。 NAND闪存方面，移动设备及游戏机使用的SSD销售都有增长，带动NAND闪存出货量季增加9%。由于服务器端的产品价格疲软，平均销售价格在本季度环比下降了10%。 SK海力士预计第四季度移动端市场需求将继续按季节性增加，同时PC市场的需求也会维持强势。

SK海力士首席执行官（CEO）李锡熙（Seok-Hee Lee）参加了季度财报电话会议，对公司收购英特尔NAND内存和存储业务，以及通过环境、社会和企业治理（ESG）管理创造社会价值的计划进行了说明。强调了收购英特尔的NAND闪存和存储业务是为了迅速获得领先的SSD技术，并实现产品多样化，通过此次收购希望在DRAM和NAND闪存之间建立平衡的业务结构。同时SK海力士通过加快存储设备向SSD的转型，为地球减少二氧化碳排放做出贡献。

其实从去年开始Intel就有从NAND业务抽身的迹象，2019年年初，Intel就把和美光的合资厂IMFT手头上的股份卖给了美光，而现在Intel的一些消费级SSD上面用的闪存也不是自家的而是SK海力士的。

Intel公司的运营目标是利润率达到60%，但NAND闪存受市场供求影响价格波动极大，而闪存的研发生产也需要大量资金，很难保障利润率，出售NAND闪存业务是他们寻求降低风险的选择。不过说真的，Intel的闪存业务还是挺赚钱的，2020年上半年Intel非易失性存储器解决方案事业部创下了28亿美元的营收，营业利润6亿美元。

Intel计划将本次交易获得的资金投入具备长期成长潜力的重点业务，包括AI人工智能、5G网络与智能、自动驾驶相关边缘设备等。

SK海力士的HBM2E内存具有3.6Gbps的等效频率，配合上1024-bit的位宽，它能够实现超过460GB/s（3.6Gbps x 1024-bit / 8 = 460.8GB/s）的传输带宽。三星目前的HBM2E默认跑在3.2Gbps的等效频率下，所以SK海力士的HBM2E在默认情况下能够提供更高的带宽，不过三星的HBM2E还可以跑更高的频率。如果像是NVIDIA A100加速卡那样使用六个堆叠的话，那么这组HBM2E内存能够提供高达2.7TB/s的带宽。SK海力士的HBM2E每组堆叠可达到16GB的容量，每颗DRAM芯片的容量较HBM2时代翻倍，为16Gb（2GB）。

对于市场来说，现在有第二家能够提供HBM2E内存的厂商了，有竞争才有降价，HBM内存本来就很贵了，现在也只有专业领域能用的起它。此前只有三星一家能够提供HBM2E内存，而HBM2时代是有两家。美光也已经计划进入HBM2的市场，称将在年内发售他们的HBM2内存。未来在专业领域中，HBM会起到越来越大的作用，它的高带宽特性在热门的AI加速器、深度学习等领域中是不可或缺的。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。

集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。

DRAM均价小涨带动原厂第一季获利能力提升第一季因疫情导致出货受阻，「价涨量缩」的情况下，三大DRAM原厂第一季营收均呈现小跌，三星跌幅约3%、SK海力士约4%，美光则约11%（本次财报季区间为2019年12月至2020年2月）。市占方面，三星约44.1%、SK海力士为29.3%，美光则为20.8%。展望第二季，由于产能规划大致相同，因此集邦咨询预期市占比例不会有太大变化。

三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。

三大原厂产能规划保守，资本支出续降观察各厂产能与技术能力，三星持续将部份产能(Line13)由DRAM转向图像传感器(CMOS image sensor)，不过平泽二厂预计下半年投入DRAM生产，弥补Line13的投片下滑，同时提高1Z制程的比重。整体而言，考量疫情对需求面的冲击，三星审慎规划产出，2020年产能增加幅度不高；SK海力士持续将M10厂的DRAM投片转向图像传感器，并增加M14的产出，另将于下半年小幅提高无锡厂的产能。但全年的整体产能增加幅度不高，主要由1Y纳米制程比重提升贡献；美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。

整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。

台厂重心皆为先进制程的研发与转换南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。

尽管营收表现分歧，但台厂今年重心都在下一代制程的研发，如南亚科宣布不使用美光授权后专注于1A/1B纳米，华邦持续提升25纳米新制程的良率和产品多样性，力晶则专攻25纳米DDR4产品的稳定度与兼容性。

PE8010/8030这两款U.3类型的SSD采用了SK海力士自家的主控，提供了对PCIe 4的支持。NAND采用了自家的96层堆叠TLC，拥有不错的寿命和性能，最大可提供8TB型号。它的顺序读写速度为6500MB/s、3700MB/s，随机读写性能分别是1100K IOPS和320K IOPS。两款U.3 SSD针对不同的使用场景进行了优化，PE8010针对读取密集场景，而PE8030则是针对混合型使用场景。他们虽然采用了PCIe 4，但在功耗控制上面做的非常好，最大工作功耗仅为17W。

另一款EDSFF 1U结构的PE8111则是面向于读取密集应用的大容量SSD，它使用了SK海力士最新的128层、1Tb密度的4D TLC，目前正在开发它的16TB版本，32TB版本也在开发计划当中。由于没有采用PCIe 4，它的顺序读写被限制在了3400/3000 MB/s的级别，随机读写性能为700K、100K IOPS。

新的PE8010/8030已经开始向客户出样，而16TB的PE8111则是要等到今年下半年才会出样，企业级产品已经面世，那面向消费级的PCIe 4 SSD也指日可待了。

Regarding recent fake news about SK hynix's memory specifications and info sheet on AMD's next generation GPU, on which some media have reported since February 24 (PST), SK hynix hereby announces that the company has not created and distributed such specifications as well as the document asserted to be leaked by an internal source.

We ask you not to distribute or make a false report on this from now on. We can assure you that SK hynix will take every necessary measure against such media, including all available legal actions, to ensure that such wrongful/illegal activities will be stopped immediately and to protect and defend our customers, business partners, and ourselves. For the avoidance of doubt, SK hynix reserves all rights.

在硬件领域倒是很少见到有厂商直接以新闻稿形式直接出面否认掉流言，不过既然官方声明了，那么我们有理由认为AMD的下代旗舰卡是不会用24GB的海力士HBM2E显存了。

而尽管市场观察人士担心我国的新型冠状病毒疫情会抑制第一季度的消费者需求，但据digitimes报道，威刚科技董事长陈立白仍然认为，DRAM和NAND闪存的价格稍后将继续上涨。陈立白预计，如果可以有效遏制疫情爆发，对存储芯片的需求将在5月或6月恢复增长。陈立白说，预计第一季度的疫情将削弱实体店的销售，但亏损将被在线购物平台的大幅增长所弥补。

自2019年第四季度以来，NAND闪存价格一直在上涨，到目前为止已经上涨了30-40％。同时由于我国最近将某些省份的农历新年假期延长到2月上旬，以遏制该病毒的传播，最初预计在假期后享受强劲订单的内存模块厂商很可能会看到订单延缓的迹象。

截至2019年底，威刚固态硬盘（SSD）产品的月收入同比增长了一倍以上，占公司总收入的30％以上。随着数据中心公司开始补充存储设备和5G手机的需求拉动以及从HDD切换到SSD的PC用户开始增加，NAND闪存最早可能在2020年上半年开始供应紧张。

而总部位于韩国的SK Hynix对于疫情的影响持谨慎态度，并认为市场将充满不确定性，该公司正在采取保守的生产和投资策略。由于担心该病毒对中国市场的影响，该公司还计划削减2020年的资本支出。2019年，SK海力士的资本支出已同比下降25％至12.7万亿韩元（114.3亿美元）。

报告指出，自2000年以来，半导体产业是靠着增加晶圆投片量来提高晶片出货量，而利用制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片的贡献并不多。事实上，自2000～2019年这20年当中，每片晶圆切割出的良品晶片的每年平均成长率仅0.9％，但透过增加晶圆投片来增加的晶片每年平均成长率达6.5％。总体来看，2000～2019年全球每年新增加的晶片数量，有86％来自晶圆投片量增加，只有14％是来自制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片。

半导体市场在2017～2018年间出现过存储芯片及部份逻辑芯片缺货的情况，DRAM及NAND Flash价格大涨，存储芯片厂因此大举扩充产能以回应市场的强劲需求，晶圆代工厂及IDM厂也有扩建增加产能的计划。不过，国际经济情势不确定性导致半导体市场需求降温，2019年存储芯片价格一路走跌，存储芯片厂也暂缓了产能扩充计划，晶圆代工厂及IDM厂的产能利用率也同步下修。IC Insights统计，全球晶圆厂平均产能利用率在2018年达94％，但2019年降至86％。

但是对于半导体厂来说，产能扩充计划没有取消只是延后，其中扩产规模最大的还是来自于存储芯片厂。由于近期DRAM及NAND Flash市况回温，存储芯片厂重启产能扩充计划，2020年及2021年全球新增晶圆产能将大幅增加，等于进入高速扩张期。

据业界消息，以三星为例，为积极扩增3D NAND产能，其位于西安的第二期晶圆厂已完工，预计2020年第一季开始量产，三星位于韩国平泽厂旁的P2厂也已兴建完成，预期2020年下半年进入量产。

现在SK海力士宣布在这个月正式向客户交付128层4D NAND的工程样品，全部都是TB级的高密度解决方案，包括手机所用的1TB UFS 3.1闪存，消费级的2TB SSD和企业级的16TB E1.L规格SSD，SK海力士的128层4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是业内存储密度最高的TLC闪存。

现在1T存储空间的手机需要使用两颗512GB的UFS闪存，在SK海力士的1TB UFS 3.1闪存出货后闪存用量就能减少一半，节约更多的手机主板空间，而这颗1TB的闪存封装厚度仅1mm，是未来超薄5G手机的绝佳选择，预计搭配这款闪存的手机有望在明年下半年量产，而搭载128层堆叠4D NAND的2TB消费级SSD和16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在明年下半年量产。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第四季DRAM均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约5%。10月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强。一旦供给商的库存降低，降价求售的必要性便大幅下降，有助于2020年DRAM价格的止稳反弹。针对近期可能影响供给面的市场消息，如三星计划重启扩产，以及中国DRAM厂2020年增加投片等，集邦咨询认为，三星明年上半年暂无增加投片的打算，目前的资本支出规划仅为购入新机台，用于转进1Znm制程。而SK海力士近期重申将减少明年度的资本支出，代表明年的供给位元年成长将较今年趋缓；美光半导体虽未正式宣布明年的资本支出规划，但预估也会较今年保守。在中国DRAM产业发展上，虽然合肥长鑫已宣布将于年底正式导入量产，但初期产能规划仍非常保守，预估真正放量最快也要到明年年末，且中国DRAM产业整体良率提升需要一段时间的学习曲线，对于2020年整体DRAM产业的位元供给成长贡献有限。

相较于合约市场，现货市场的动能显得疲弱许多。由于现在现货市场的交易量已经大幅萎缩，因此价格容易因市场面消息出现剧烈震荡，例如七月中受到日韩贸易战事件影响所造成的连日飙涨。然而，在日本核准并且开放化学原物料进口至韩国后，DRAM供货疑虑消失，现货价格便呈现每日小跌的态势，在十月下旬已经跌破七月飙涨前的新低点。集邦咨询认为，目前的现货价格走势都还在预期范围内，只要合约价格走势平稳，需求端也未见重大下修，短期现货价格偏弱的走势并不会对后续整体市况造成影响。

根据财报数据，2019年第3季度，SK海力士的总收入相对于上个季度有所上升，涨幅达6％，不过相较于去年同期仍然是没有办法比的，少了40％。营业利润与总收入呈现出来的情况相反，相比上季度还下降了26％，比去年同期更是低了93％，主营业务可以说是非常惨淡的了。而收到种种因素影响，虽然收入在涨，但是净收入仍然是在下跌的，不过所幸的是，仍然没有到亏损的地步，但是与去年同期相比低了89％的数据还是会让投资者感到心寒。

主要DRAM和NAND颗粒厂在今年的财务状况都不太好看，大体上还是因为产业大环境呈现一种供过于求的关系，并且这种关系还将继续持续一段时间，最近的固态硬盘与内存价格走势总体平稳，没有再出现去年年末到今年年初那种价格雪崩的情况。很难说之后会出现什么样的行情，目前三家DRAM厂都在推进新工艺与更大容量的颗粒生产，而NAND那边也没歇着，都在推更高堆叠层数的3D NAND，等新工艺成熟之后产能又是一波暴增，当然也说不定会有其他情况出现。

相比起上一代1Ynm，SK海力士的1Znm制程可以提高27%的产量，并且还不需要EUV工艺的介入，在工艺的“性价比”上又提高了许多。而伴随工艺提升同时提升的还有能效比，与1Ynm的8Gb颗粒相比，功耗降低了约40%，而最高的传输速率可以提升到3200Mbps，SK海力士称他们的1Znm颗粒拥有业界最高的密度、速率和能量效率。另外，他们在新工艺中还引入了新的物质改善颗粒的电气性能，并引入了新的设计提高内存的稳定性。

现在DDR4颗粒的三大生产厂中，美光已经在今年8月份的时候宣布他们的1Znm制程量产了，而三星则是更早，在今年3月份就宣布了1Z制程的量产，不过三星是宣布用于8Gb颗粒的生产，而现在美光和SK海力士都是将1Znm用于16Gb颗粒的生产。

而随着主要内存颗粒生产厂切换到产能更高的工艺上，内存容量可能很快也要迎来一个加倍窗口，从目前主流的16GB加倍到32GB。现在市面上常见的单条16GB内存条因为使用的多为8Gb的颗粒，所以多为双面设计，而在16Gb大容量颗粒量产之后，有望普及单面16GB和双面32GB的内存条。

SK海力士还计划将1Znm工艺拓展到其他生产应用中，比如下一代DDR5、下一代移动DRAM——LPDDR5和未来的HBM3。

SK海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司排行中占第九位。在早些年，SK海力士也曾做过零售SSD产品，后悄然推出竞争市场，现在，它以Gold S31 SATA SSD，宣布回归消费级固态市场。

新款Gold S31硬盘的独特之处在于它们完全由内部制造。“Gold S31的所有关键组件，从NAND闪存和内置控制器到DRAM和固件，都是由SK海力士设计和生产的。内部组件的构建是为了提供强大的性能和可靠性，”SK海力士说。SK海力士不是唯一能做到这一点的制造商 - 英特尔，三星和东芝也是如此，具体取决于型号。但是，绝大多数SSD制造商都无法做出同样的举措。

Gold S31外表比较朴素，容量有250GB、500GB、1TB三种可选，顺序读写速度分别有560MB/s、525MB/s。全系列产品质保五年，1TB型号的TBW为600TB。在美亚上，三种型号的价格分别为：50美元、78美元和124美元，约合人民币350元、550元和873元。

SK海力士采取谨慎态度重新进入消费级固态硬盘市场。这些驱动器目前仅在美国亚马逊上独家发售，但该公司表示它将在明年扩大北美和欧洲等其他市场的可用性。作为一款回归之作，Gold S31现在看来比较中规中矩，而性能更强的PCIe M.2固态也许在骑马来的路上了。