3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。

营收方面，三星2022年第四季度DRAM营收为55.4亿美元，环比下降25.1%，市场占有率为45.1%，依然牢牢占据市场份额第一的位置，相比第二名有明显领先；SK海力士2022年第四季度DRAM营收为33.98亿美元，环比下降35.2%，市场占有率为27.7%，排名第二；美光DRAM营收为28.29亿美元，环比下降41.2%，市场占有率为23%，排名第三。

产能规划方面，新完工的平泽半导体工厂P3L生产线今年第一季度已开始小规模试产，这是三星DRAM产能扩张的主力；SK海力士在去年第三季度宣布减产，今年第一季度产能利用率为92%，预计第二季度将下滑至82%；美光产能利用率为84%，预计2023全年将保持在相同水平。

据Boise State Public Radio报道，美光正在考虑进一步裁员，这次大概会减少5%的员工。去年美光首席执行官Sanjay Mehrotra已宣布，将通过自愿减员和裁员相结合，并减少外部招聘的方式进行裁员，2023年将员工人数减少约10%。加上这次的5%，也就是说美光的裁员比例达到了10%。美光全球员工数量大概在4.9万人，这意味着大概有7500人受到影响。美光的裁员将在2023年内分阶段进行，除非市场情况有大幅度的改善，对美光产品的需求有明显的回升。

此外，美光还要降低资本支出，涉及的范围不仅只在2023年，还有接下来的2024年，尽管美光对新工厂的建设充满期待，但不能不面对一系列的难题。目前美光已经将DRAM和NAND闪存的产量减少了20%，同时还放缓了技术节点过渡的时间，将1γ工艺节点延后至2025年。美光在232层3D TLC NAND上停留的时间比最初计划的要长，这可能会导致美光失去市场，拱手让给三星和SK海力士这样的竞争对手，而且也会被后来者追赶。

美光将在3月底公布2023财年第二财季财务，美光预计与上一季度相比，收入将减少约3亿美元。

除了裁员以外，美光还大面积降低了高管的薪金。资料显示首席执行官Sanjay Mehrotra的薪资将减少20%，执行副总裁降薪15%，资深副总裁降薪10%，名单内的高层奖金也会全暂停发放，同时董事会里非雇员成员的报酬也将减少20%。

除了本土以外，美国在全球其他地方近期都有裁员行动。美光在中国台湾地区近日也开始了裁员，这里有着美光最大的DRAM生产基地，员工总数约为1.1万人。据称美光这次是无预警裁员，通知后马上走人，预计2月底前会有大概1000名员工受影响。此外，美国在新加坡也开始了裁员，这里约有9000名员工。这次被裁减的主要是资历较浅的员工，整个裁员行动将持续到2月18日。

美光新一代DDR5内存符合DDR5-5200和DDR-5600标准，工作电压为1.1V，延迟均为CL46。其中DDR5-5200的单条容量为8GB、16GB和32GB，DDR-5600的单条容量除了传统的8GB、16GB和32GB以外，还有24GB和48GB提供给用户选择。

一般来说，24GB和48GB被认为是新一代服务器和工作站的最佳选择，因为系统可以更为精确地平衡内存容量和处理器内核数量，同时还可能带来更低的成本。比如构建工作站或HEDT平台，需要四通道或八通道DDR5内存，使用24GB的DDR5内存会比32GB更为便宜。由于支持XMP 3.0和EXPO技术，所以这些DDR5内存模块也是针对游戏玩家的产品。

美光暂时还没有提供这些DDR5-5200和DDR-5600内存的价格，以及具体的发售时间。由于2023年第一季度PC需求降低，DDR5内存的价格预计会下降18%到23%，美光甚至削减了内存芯粒的产品，以应对市场的变化。预计美光这些新的DDR5内存模块尽管有着更大的容量和更高的性能，但价格相对会比较便宜。

美光9400系列企业级固态硬盘采用美光176层3D TLC闪存颗粒，U3规格，向下兼容U2规格，支持NVMe 1.4协议与PCIe 4.0，工作电压3.3V，分为两个子系列：9400 Pro与9400Max。9400 Pro系列拥有7.68TB、15.36TB及30.72TB三个容量规格；9400 Max系列拥有6.4TB、25.6TB及12.8TB三种容量规格。

性能方面，9400系列企业级固态硬盘全系顺序读取速度均为7000MB/s，顺序写入速度也为7000MB/s；除30.72TB与25.6TB两个容量版本的随机读取性能为1500K IOPS外，其他容量版本随机读取速度均为160K IOPS。美光9400 Pro系列的随机写入速度为300K IOPS，Max系列6.4TB与12.8TB容量版本随机写入速度为600K IOPS，25.6TB版本随机写入速度为550K IOPS。

美光9400 Pro系列固态硬盘DWPD（每日全盘写入次数）为1，9400 Max系列为3。9400系列固态硬盘全系MTTF（平均失效时间）为两百万小时，工作环境温度为0-70度，提供5年质保。

美光表示9400系列企业级固态硬盘为数据中心、云服务器等环境设计，最大容量是上代的两倍，可实现更高的单位机架存储密度，并且效能提高77%，帮助企业节约成本，减少对环境的影响。

美光计算和网络业务部（CNBU）2023财年第一财季营收17.46亿美元，环比下降40%，同比下降49%；移动业务部门（MBU）营收10亿美元，环比下降23%，同比下降18%；仓储业务部（SBU）营收6.8亿美元，环比下降24%，同比下降41%；嵌入式业务部门（EBU）营收6.55亿美元，环比下降57%，同比下降66%。

美光表示将会通过减少资本支出、降低成本、减少晶圆生产量、减缓工艺技术节点转换进度等方式适应市场变化，之前报道的1β工艺节点也将延缓生产。

美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示

“尽管该财季的环境充满挑战，美光科技公布的第一财季营收和每股收益均在合理范围内。美光强大的技术、制造和财务状况使我们在应对近期环境方面奠定了坚实的基础，我们正在采取果断行动来削减供应和开支。我们希望改善客户库存，从而在下半财年实现更高的收入，并在我们度过这次低迷期后实现强劲的盈利。”

美光预计2023年第二财季实现营收38亿美元，上下浮动2亿美元；毛利率7.5%，上下浮动2.5%；运营费用缩减至10.85亿美元，上下浮动0.15亿美元。

该系列固态硬盘支持NVMe1.4协议，拥有2230、2242、2280三种规格，每种规格都提供256GB、512GB及1TB三种容量。其中256G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为4500MB/s，最大顺序写入速度为2000MB/s，最大随机读取380K IOPS，最大随机写入为400K IOPS，TBW为150TB；512G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s，最大顺序写入速度为4000MB/s，最大随机读取500K IOPS，最大随机写入为600K IOPS，TBW为300TB；1T容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s，最大顺序写入速度为4000MB/s，最大随机读取550K IOPS，最大随机写入为600K IOPS，TBW为600TB。

美光通过优化进入与退出节能状态的过程，为控制芯片采用更先进的制程工艺，采用HMB（Host Memory Buffer）技术清除DRAM等手段进一步降低固态硬盘功耗，可使笔记本拥有更长的续航 。美光称该系列固态硬盘睡眠功耗低于2.5mW，空闲功耗低于150mW，活动功耗低于5.5W。

目前已有包括长江存储，三星，SK海力士在内的多家厂商推出层数高于200的NAND闪存，估计很快会更多相应产品与消费者见面。

三星（Samsung）第三季度企业级SSD营收为21.2亿美元，继续稳坐第一的位置，但其市场占有率由第二季度的44.5%下降至40.6%。营收下降的主要原因依然是闪存均价的下跌。

图片来源TrendForce官网

SK海力士群组（SK海力士+Solidigm）第三季度企业级SSD营收为12.1亿美元。不过随着新成立的Solidigm逐步完成全系列企业级SSD的开发及定位 ，SK海力士群组的企业级SSD市占率有望增长。

西部数据（WDC）第三季度企业级SSD营收为6.7亿美元。由于今年下半年西部数据凭借价格策略与北美客户加强合作，报告预测西部数据第四季度营收表现可能会优于同行，但因其PCIe 4.0企业级SSD尚未完成客户验证，增长动力难以维系。

美光（Micron）第三季营收为6.6亿美元，虽然美光早前推出了176层NAND的PCIe 4.0企业级SSD，但由于其验证时程较预期延长，目前仍以SATA接口的企业级SSD为供应主力，所以176层NAND的PCIe 4.0产品对第三季度营收影响有限。

铠侠（Kioxia）第三季度营收为5.6亿美元，得益与其PCIe 4.0企业级SSD于第三季度开始放量及今年年底量产PCIe 5.0企业级SSD，铠侠的市占率有望增长。

TrendForce预计伴随NAND闪存价格的继续下降，第四季度企业级SSD市场营收将会下跌超过两成。

据TomsHardware报道，美光预计3D NAND位产量在明年只能以“个位数百分比”增长，同时明年将减少DRAM位产量。目前美光正处于2023财年第一财季，对本季度的影响不大，由于3D NAND和DRAM的生产和测试/封装周期相当长，市场将在几周内感受到美光减产的影响。与此同时，现货价格可能会对美光的动作做出更快的反应。

美光在今年夏天开始生产232层的3D TLC NAND闪存，并在早些时候开始以1β（1-beta）工艺节点生产DRAM芯片，这些新的技术节点本身是能够降低成本并增加位产量。不过随着市场状况的恶化，美光已减缓了生产，以限制位产量。

据美光披露，其2023财年的资本指出总额约为80亿美元，相比2022财年下降了30%，削减的部分主要涉及新晶圆厂的设备采购，这会减缓最新制造技术引入。美光称，正在“努力尝试进一步削减资本支出”，不过没有详细说明情况。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，会继续监测行业状况，并根据需要做出进一步调整，尽管市场近期面临周期性挑战，但仍然对市场的长期需求充满信心，从长远来看，预计3D NAND和DRAM收入增长将超过半导体行业的其他部分。

这是由于美光的232层3D NAND芯片在产量和成熟度方面都领先于其他厂商，不过现在的问题在于I/O传输速率为2400 MTps的3D NAND芯片良品率过低，不过如果将速率降低到1600 MTps，情况会好很多。技嘉采购的应该是2400 MTps的3D NAND芯片，美商海盗船和Goodram则是降速后的芯片。

之所以这么做，可能与厂商采取的销售策略有关。美商海盗船和Goodram为了能保证更稳定地供应，这种选择更为实际，技嘉则需要保证采购到足够多数量的2400 MTps 3D NAND芯片才行。相信接下来还会有其他SSD厂商采购美光的232层3D NAND芯片，同样需要作出类似的选择。

美光表示，这是受到人工智能和5G网络的推动，同时也确保了供应美国本土的汽车和数据中心等细分市场所需要的内存芯片，2030年前会在美国本土投资大概400亿美元，分阶段建立内存芯片制造厂。美光预计该项投资将在2030年前，为爱达荷州创造1.7万个就业机会，其中2000个属于直接岗位。

目前美光的生产和研发网络遍布全球13个地区，在过去的近半个世纪里，总积累了超过4.7万件专利。每年会花费数十亿美元用于研发，大部分投资都用在美光位于美国总部运营的研发中心，这是世界最先进半导体技术开发中心之一，会进行前沿的研究、设计和开发工作。此次新建的内存芯片制造厂与研发中心位于同一位置，可提高运营效率、加速技术部署并缩短产品上市时间。

在去年10月，美光宣布在未来十年内，计划在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发，包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光认为，内存和存储芯片在全球半导体行业中所占的比重正不断增长，目前约占半导体市场的30%份额。

目前美光已更新官网上的信息，显示已开始量产速率为24 Gbps的GDDR6X，同样是容量为16Gb模块。这意味着美光开始为英伟达基于Ada Lovelace架构GPU做准备，传闻GeForce RTX 4090/RTX 4080/RTX 4070都将采用GDDR6X显存。美光曾表示，在GDDR6X中对PAM4信号传输技术方面的创新使其比其他GDDR6产品更加节能。

与目前的GeForce RTX 3090 Ti一样，下一代GeForce RTX 4090的显存位宽均为384位，在同样拥有24GB显存的情况下，显存颗粒数量为12个，都可以安排在PCB的正面。这不但简化显卡的设计，而且可以降低显卡背面的散热需求。

24 Gbps GDDR6X解决方案预期带宽：

512位解决方案 - 1.5 TB/s

384位解决方案 - 1.1 TB/s

320位解决方案 - 960 GB/s

256位解决方案 - 768 GB/s

192位解决方案 - 576 GB/s

128位解决方案 - 384 GB/s

96位解决方案 - 276 GB/s

64位解决方案 - 192 GB/s

此前美光高性能内存和网络副总裁兼总经理Mark Montierth表示：

“美光是GDDR6X的行业领导者，这有助于为最严苛的应用带来更强的性能。美光再次站在了存储器创新的前沿，为当今最高带宽解决方案提供了动力，并采用先进的工艺和接口技术，在图形性能方面继续处于领先的位置。”

这款232层NAND闪存引入了业界最快的I/O速度，达到了2.4 GB/s，比176层的NAND闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。同时还是全球首款量产的六平面TLC NAND闪存，不但比其他同类TLC NAND闪存有着更多的平面，而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合，使其能够提供一流的数据传输速度。

此外，美光的232层NAND闪存是首款支持NV-LPDDR4的产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上能耗。232层NAND闪存的紧凑外形为产品的设计提供了更多的灵活性，其每平方毫米TLC密度为14.6 Gb/mm²，比其他同类产品提高了35%到100%。另外，232层NAND闪存采用新的11.5 x 13.5 mm封装，尺寸比前几代产品减小了28%，使其成为市面上最小的高密度NAND闪存，能最大限度地减少电路板空间。

美光表示，232层3D TLC NAND闪存已经在其位于新加坡的工厂开始批量生产，首批芯粒将用于英睿达（Crucial）的消费端SSD，随后再供应给其他产品使用。