• 英特尔不仅与美光分手,还指控前员工窃取3D XPoint机密给美光 ...

    孟宪瑞 发布于2018-11-30 16:24 / 关键字: 美光, 英特尔, 商业窃密, 知识产权, 3d xpoint

    相比处理器业务,英特尔的存储芯片部门营收规模要小多了,而且一直在亏损,但在未来存储芯片部门地位会加强。英特尔原本是跟美光合作生产NAND闪存以及3D XPoint闪存的,但在明年之后双方将会分道扬镳,不论NAND闪存还是3D XPoint技术上都会独立开来。说到3D XPoint闪存,这种新型的存储芯片不同于NAND闪存,其原理迄今都没有被英特尔解密,号称全球只有几百个人知道3D XPoint的机密,价值高达数十亿美元。尽管3D XPoint是英特尔、美光联合研发的,但是双方是独立运作的,日前英特尔还把一位前员工告上法庭,因为他9月份私下接受了美光的职位,并非法复制了3D XPoint机密信息带到美光公司。

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  • 力晶:美国力阻中国发展DRAM内存,明年内存恐缺货涨价

    孟宪瑞 发布于2018-11-28 11:07 / 关键字: 力晶, 内存, 涨价, 晋华, 美光

    台湾台湾半导体协会昨天举行2018 TSIA年会,邀请了台湾半导体行业内的大腕出席,其中台积电联席CEO魏哲家主持会议,还有联发科董事长蔡明介、联电总经理简山杰、力晶执行长黄崇仁等,其中力晶创始人、执行长黄崇仁谈到了内存产业的一些动向,包括未来的内存价格以及美光晋华之间的专利纠纷。据他了解美国司法部起诉晋华公司就是阻碍中国DRAM产业发展,制裁晋华之后中国将不会有任何DRAM长产能崛起,而三星、SK Hynix、美光三家公司已经决定不再扩充内存产能,预计明年下半年内存又会开始缺货。

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  • Q4季度DRAM内存要降价10%:美光杀价最狠,三星捍卫份额

    孟宪瑞 发布于2018-11-22 12:40 / 关键字: DRAM, 内存, 三星, 美光

    10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%,4GB及8GB模组价格都在跌,DRAM内存芯片持续了两年多的牛市要转向熊市了。三星、SK Hynix及美光三家DRAM芯片公司掌握了全球95%的份额,尽管他们本身并不希望DRAM降价,还在通过减产等方式力组降价,只是降价的大门一旦开启,阻止下降是不可能的了,而这三家公司对市场态度不同,美光11月份在内存芯片市场上被视为最具进攻性的DRAM供应商,价格是最低的,三星则是为努力维持自己的份额,SK Hynix的内存芯片倒是最高的。

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  • 内存涨价国内受伤最重,官方称对三星、美光等调查取得重要进展 ... ...

    孟宪瑞 发布于2018-11-16 12:38 / 关键字: 内存涨价, 反垄断, 三星, 美光, SK Hynix

    2018年10月份内存市场迎来拐点,持续两年多的DRAM涨价开始转向下跌趋势,2019年还会继续降20%。在这一轮DRAM芯片涨价中,三星、美光、SK Hynix(海力士)的业绩节节升高,但是作为全球第一大存储芯片消费国,国内的消费者及厂商承担了这次涨价最严重的后果,2017年国内进口的存储芯片高达886亿美元,全球市场总值也不过1300多亿美元。对于内存涨价,国家反垄断部门之前已经约谈过三星、美光及SK Hynix,今天在国新办的新闻发布会上,国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国表示对这三家公司的反垄断调查已经取得了重要进展。

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  • 联电澄清内存专利:有15年DRAM经验,美光25nm技术才是买的

    孟宪瑞 发布于2018-11-12 10:18 / 关键字: 联电, DRAM, 内存, 美光, 专利侵权

    两周前美国商务部、司法部接连出手,先是制裁中国福建晋华集团,接着是起诉晋华及合作伙伴联华电子(简称联电),指控二者涉嫌盗窃美光的DRAM内存专利,给美光公司造成了高达90亿美元的损失。此后联电及晋华集团分别发表声明,否认盗窃美光商业机密。联电公司日前又发布了新的声明,详细解释了联电在DRAM技术上的积累,强调联电已经有超过15年的DRAM技术开发经验,联电开发的DRAM技术与美光公司的DRAM设计完全不同。此外,联电还指出美光的25nm DRAM技术并不是自己开发的,而是购买了台湾瑞晶及日本尔必达公司的25nm DRAM技术。

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  • 美光量产12Gb LPDDR4X内存:4266Mbps频率、功耗降低10%

    孟宪瑞 发布于2018-11-09 10:14 / 关键字: 美光, LPDDR4X, 12Gb, 内存, 手机内存

    2018年的智能手机存储容量越来越大,闪存基本上是64GB起了,128GB已经是主流,内存芯片普遍是6GB起,高端的上了8GB甚至10GB。想要内存容量再上一个台阶,除了期待降价之外,还有赖于大容量LPDDR4内存的量产。美光公司今天宣布大规模量产12Gb核心容量的LPDDR4X内存,使用了1Y nm工艺(10nm级别的)生产,频率可达4266Mbps,同时功耗降低了10%,明年的智能手机可以上12GB内存了。

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  • 美光5210 ION QLC SSD已大规模出货,一心想取代万转硬盘

    Strike 发布于2018-11-09 10:04 / 关键字: 5210 ION, 美光, QLC, QLC SSD

    美光的5210 ION SSD是世界上首款QLC SSD,早在今年5月份就发布了,然而到了近段时间美光才宣布它开始大规模量产并被合作伙伴广泛使用,在此期间已经有几款消费级的QLC SSD上市了,包括美光自己的Crucial P1。

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  • 晋华公司否认窃取其他公司技术行为,坚定走自主研发路线

    孟宪瑞 发布于2018-11-04 11:40 / 关键字: 美光, 晋华, 存储芯片, 内存, 专利

    美光与晋华、联电之间的专利侵权事件已经引发了大陆、台湾及美国三方面的震动,特别是美国政府用行政力量介入事件之后,这已经不是一起简单的商业泄密案件了。针对美光及美国司法部提出的商业窃密指控,联电方面此前已经否认侵权,并联系律师团队全力应对,中国福建晋华集成电路有限公司也发表声明称坚定走自主研发路线,否认存在窃取其他公司技术的行为,指责美光用各种手段破坏晋华公司发展,要求立即停止错误做法。

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  • 联电反击美国司法部侵权泄密诉讼:严肃对待指控,全力应对 ...

    孟宪瑞 发布于2018-11-02 15:47 / 关键字: 联电, 司法部, 美光, 指控, 侵权

    本周四,继美国商务部宣布制裁之后,美国司法部又针对联电、晋华与美光之间的专利侵权、商业泄密案件发起诉讼,要求严惩三名被告人及两家公司。对此,当事一方的联电今早发表官方声明,指出美国司法部的指控跟之前美光的指控相同,联电对美方没有事先通知就宣布起诉一事表示遗憾,对联电将严肃对待任何违法方面的指控,将全力以赴应对这次诉讼。

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  • 美司法部起诉晋华与联电:涉嫌窃取价值千亿美元商业机密

    孟宪瑞 发布于2018-11-02 10:28 / 关键字: 美光, 商务部, 司法部, 晋华, 联电

    本周一美国商务部宣布制裁中国福建晋华集团,理由是威胁美国国家安全,晋华的DRAM生产能力对美国军工供应商(美光)构成了威胁。被制裁后,晋华集团将无法进口美国公司的设备、软件等。现在美国司法部也加入了美国商务部的行动,本周四宣布起诉晋华集团及联华电子,理由是这两家公司涉嫌窃取美国芯片厂商美光的知识产权及商业机密,该市场价值1000亿美元,给美光造成的损失将近90亿美元。

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  • 美光推出非易失性内存:单条32GB,掉电自动保存数据

    梁俊豪 发布于2018-11-01 09:38 / 关键字: 美光, 英睿达, NVDIMM

    今年7月Intel表示,在2019年将会和美光发布第二代3D Xpoint产品后,因为两家公司业务需求不同、技术优化方法不一样,将会彻底分家,Optane、QuantX将会成为3D Xpoint技术的独立品牌。不过在产品推陈出新方面,Intel步伐显然要更快一些,部署了有Optane加速内存、M.2 SSD、PCI-e SSD等产品。今天美光正式推出了一款非易失性内存NVDIMM,除了单根32GB容量、频率高达2933MHz之外,它还有一个秘密武器,就是在系统掉电时,能将数据转移到NAND闪存中。

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  • 美国制裁中国内存芯片公司晋华:威胁美国国家安全

    孟宪瑞 发布于2018-10-30 09:01 / 关键字: 美光, 晋华, 美国, 制裁, 内存芯片

    上半年中兴公司被美国重启制裁,公司业务停滞了三个月,在付出10亿美元罚款、4亿美元托管金以及董事会、管理层全面换血等极高代价之后才被解除制裁,导致中兴公司元气大伤。被美国制裁的中国科技公司现在又多了一家——本周一美国商务部以威胁美国国家安全为由宣布制裁中国福建晋华集团,后者是国内少数具备DRAM内存芯片研发、生产的公司之一,美国公司被禁止向后者出售软件、技术及产品。在此之前,晋华集团与美国美光公司发生了专利纠纷,中国地方法院禁售了部分美光产品。

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  • 美光暗示明年DRAM内存不会大降价,但NAND产能肯定会削减

    孟宪瑞 发布于2018-10-29 10:44 / 关键字: 美光, DRAM, NAND, 内存, 闪存, 降价

    美光之前收购了华亚科公司将其变为全资子公司,台湾地区的晶圆厂也成为美光最重要的内存生产基地,上周末美光在台湾宣布投资16亿美元扩建后段封装厂,建成后将垂直整合美光台中及桃园工厂的DRAM产能。美光副总裁Manish Bhatia在媒体活动中表示明年DRAM内存芯片市场依然会相对健康,美光会持续投资DRAM及NAND闪存,但2019年的NAND产能投资相比2018年肯定会下降。

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  • 美光15亿美元收购IMFT剩余股份,与英特尔加速分道扬镳

    孟宪瑞 发布于2018-10-19 10:57 / 关键字: 美光, IMFT, 英特尔, 闪存, 3D XPoint

    1978年10月18日,美光公司正式成立,今天是美光成立四十周年,如今的美光已经是全球第四大半导体公司。除了四十年纪念日,今天美光还宣布了一件事,那就是收购与英特尔合资的IM Flash(简称IMFT)公司剩余的股份,双方原本是合资生产、研发闪存技术的,在2D NAND、3D NAND及3D XPoint闪存上一路走过来,不过双方已经决定友好分手,美光收购剩余的IMFT股份也是之前谈好的,英特尔已经在自己建设闪存工厂及研发中心了。

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  • 英睿达发布P1固态硬盘:3D QLC颗粒,500GB容量起步

    谭智耀 发布于2018-10-17 10:00 / 关键字: 美光, 英睿达, P1, NVMe, 固态硬盘, QLC

    英睿达/Crucial发布了一款基于美光3D QLC颗粒的NVMe协议固态硬盘,其命名为P1,定位为入门级固态硬盘,目前容量有2个选项:500GB或1TB,稍后英睿达还会推出2TB容量的P1;P1的性能随容量的变化而变动,1TB版本的英睿达P1可以提供高达2000MB/s、1700MB/s的连续读写速度。P1 500GB的售价为109.99美元(约760元),P1 1TB的售价为219.99美元(约1520元),英睿达为此提供5年的有限质保。

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