三星（Samsung）第三季度企业级SSD营收为21.2亿美元，继续稳坐第一的位置，但其市场占有率由第二季度的44.5%下降至40.6%。营收下降的主要原因依然是闪存均价的下跌。

图片来源TrendForce官网

SK海力士群组（SK海力士+Solidigm）第三季度企业级SSD营收为12.1亿美元。不过随着新成立的Solidigm逐步完成全系列企业级SSD的开发及定位 ，SK海力士群组的企业级SSD市占率有望增长。

西部数据（WDC）第三季度企业级SSD营收为6.7亿美元。由于今年下半年西部数据凭借价格策略与北美客户加强合作，报告预测西部数据第四季度营收表现可能会优于同行，但因其PCIe 4.0企业级SSD尚未完成客户验证，增长动力难以维系。

美光（Micron）第三季营收为6.6亿美元，虽然美光早前推出了176层NAND的PCIe 4.0企业级SSD，但由于其验证时程较预期延长，目前仍以SATA接口的企业级SSD为供应主力，所以176层NAND的PCIe 4.0产品对第三季度营收影响有限。

铠侠（Kioxia）第三季度营收为5.6亿美元，得益与其PCIe 4.0企业级SSD于第三季度开始放量及今年年底量产PCIe 5.0企业级SSD，铠侠的市占率有望增长。

TrendForce预计伴随NAND闪存价格的继续下降，第四季度企业级SSD市场营收将会下跌超过两成。

据TomsHardware报道，美光预计3D NAND位产量在明年只能以“个位数百分比”增长，同时明年将减少DRAM位产量。目前美光正处于2023财年第一财季，对本季度的影响不大，由于3D NAND和DRAM的生产和测试/封装周期相当长，市场将在几周内感受到美光减产的影响。与此同时，现货价格可能会对美光的动作做出更快的反应。

美光在今年夏天开始生产232层的3D TLC NAND闪存，并在早些时候开始以1β（1-beta）工艺节点生产DRAM芯片，这些新的技术节点本身是能够降低成本并增加位产量。不过随着市场状况的恶化，美光已减缓了生产，以限制位产量。

据美光披露，其2023财年的资本指出总额约为80亿美元，相比2022财年下降了30%，削减的部分主要涉及新晶圆厂的设备采购，这会减缓最新制造技术引入。美光称，正在“努力尝试进一步削减资本支出”，不过没有详细说明情况。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，会继续监测行业状况，并根据需要做出进一步调整，尽管市场近期面临周期性挑战，但仍然对市场的长期需求充满信心，从长远来看，预计3D NAND和DRAM收入增长将超过半导体行业的其他部分。

这是由于美光的232层3D NAND芯片在产量和成熟度方面都领先于其他厂商，不过现在的问题在于I/O传输速率为2400 MTps的3D NAND芯片良品率过低，不过如果将速率降低到1600 MTps，情况会好很多。技嘉采购的应该是2400 MTps的3D NAND芯片，美商海盗船和Goodram则是降速后的芯片。

之所以这么做，可能与厂商采取的销售策略有关。美商海盗船和Goodram为了能保证更稳定地供应，这种选择更为实际，技嘉则需要保证采购到足够多数量的2400 MTps 3D NAND芯片才行。相信接下来还会有其他SSD厂商采购美光的232层3D NAND芯片，同样需要作出类似的选择。

美光表示，这是受到人工智能和5G网络的推动，同时也确保了供应美国本土的汽车和数据中心等细分市场所需要的内存芯片，2030年前会在美国本土投资大概400亿美元，分阶段建立内存芯片制造厂。美光预计该项投资将在2030年前，为爱达荷州创造1.7万个就业机会，其中2000个属于直接岗位。

目前美光的生产和研发网络遍布全球13个地区，在过去的近半个世纪里，总积累了超过4.7万件专利。每年会花费数十亿美元用于研发，大部分投资都用在美光位于美国总部运营的研发中心，这是世界最先进半导体技术开发中心之一，会进行前沿的研究、设计和开发工作。此次新建的内存芯片制造厂与研发中心位于同一位置，可提高运营效率、加速技术部署并缩短产品上市时间。

在去年10月，美光宣布在未来十年内，计划在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发，包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光认为，内存和存储芯片在全球半导体行业中所占的比重正不断增长，目前约占半导体市场的30%份额。

目前美光已更新官网上的信息，显示已开始量产速率为24 Gbps的GDDR6X，同样是容量为16Gb模块。这意味着美光开始为英伟达基于Ada Lovelace架构GPU做准备，传闻GeForce RTX 4090/RTX 4080/RTX 4070都将采用GDDR6X显存。美光曾表示，在GDDR6X中对PAM4信号传输技术方面的创新使其比其他GDDR6产品更加节能。

与目前的GeForce RTX 3090 Ti一样，下一代GeForce RTX 4090的显存位宽均为384位，在同样拥有24GB显存的情况下，显存颗粒数量为12个，都可以安排在PCB的正面。这不但简化显卡的设计，而且可以降低显卡背面的散热需求。

24 Gbps GDDR6X解决方案预期带宽：

512位解决方案 - 1.5 TB/s

384位解决方案 - 1.1 TB/s

320位解决方案 - 960 GB/s

256位解决方案 - 768 GB/s

192位解决方案 - 576 GB/s

128位解决方案 - 384 GB/s

96位解决方案 - 276 GB/s

64位解决方案 - 192 GB/s

此前美光高性能内存和网络副总裁兼总经理Mark Montierth表示：

“美光是GDDR6X的行业领导者，这有助于为最严苛的应用带来更强的性能。美光再次站在了存储器创新的前沿，为当今最高带宽解决方案提供了动力，并采用先进的工艺和接口技术，在图形性能方面继续处于领先的位置。”

这款232层NAND闪存引入了业界最快的I/O速度，达到了2.4 GB/s，比176层的NAND闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。同时还是全球首款量产的六平面TLC NAND闪存，不但比其他同类TLC NAND闪存有着更多的平面，而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合，使其能够提供一流的数据传输速度。

此外，美光的232层NAND闪存是首款支持NV-LPDDR4的产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上能耗。232层NAND闪存的紧凑外形为产品的设计提供了更多的灵活性，其每平方毫米TLC密度为14.6 Gb/mm²，比其他同类产品提高了35%到100%。另外，232层NAND闪存采用新的11.5 x 13.5 mm封装，尺寸比前几代产品减小了28%，使其成为市面上最小的高密度NAND闪存，能最大限度地减少电路板空间。

美光表示，232层3D TLC NAND闪存已经在其位于新加坡的工厂开始批量生产，首批芯粒将用于英睿达（Crucial）的消费端SSD，随后再供应给其他产品使用。

美光商业产品集团副总裁兼总经理Teresa Kelley表示：

“随着数据继续呈指数级增长，从海量数据中获得所需的内容对于业务成功至关重要。数据中心运营商需要通过先进的内存处理能力和处理器性能提升以最大程度地发挥平台性能。美光DDR5服务器内存提供无与伦比的带宽，甚至可以管理内存最密集的应用程序。在行业向DDR5存储技术过渡的这段时期，美光一直走在前列，将致力于为数据中心客户和渠道合作伙伴提供DDR5服务器内存资格认证和准备工作。”

据了解，美光的新款DDR5服务器内存正在数据中心环境中进行评估和测试，预计会在2022年内被更多地采用。DDR5内存起步的数据速率为4800MT/s，未来还会继续提高，以满足数据中心工作负载的需要。

作为全球内存行业的领导者之一，美光从一开始就参与了JEDEC的DDR5规范制定工作，并建立了TEP技术支持计划，这是业界唯一的DDR5生态系统，以推动DDR5内存的发展，促进更广泛的市场认证。目前TEP技术支持计划有400多位成员，参与到DDR5内存的设计和集成工作中，并针对下一代产品系列进行了优化，所有美光的服务器内存都经过了组件和模块测试，以达到关键任务所需要的标准。

美光表示，i400系列microSD卡采用的是176层3D NAND闪存，属于工业级别产品，同时对其持续性能的优化，可以实现连续五年的7x24连续写入，或200万小时的平均故障时间（MTBF）。

美光没有提供i400系列microSD卡的性能数据，不过该系列除了128GB支持U1、A2和Class 10等级的数据传输速度外，其余容量皆支持U3、A2和Class 10等级的数据传输速度。此外，i400系列microSD卡的工作温度在-25到85摄氏度之间。

暂时还不清楚i400系列microSD卡的定价和上市时间，不过美光已经向客户提供了样品。

Crucial P3 Plus Gen4 NVMe SSD的连续读取和连续写入速度分别达到了5000 MB/s和4200 MB/s，采用了美光176层3D NAND闪存，经过了最严格的测试和验证，且向后兼容PCIe Gen3，为高性能用户提供可靠的应用程序、文档、照片、视频和游戏存储空间，是一款强大的存储解决方案。

Crucial P3 Gen3 NVMe SSD的连续读取和连续写入速度则分别为3500 MB/s和3000 MB/s，相比上一代产品，性能提高了45%，针对的是休闲游戏玩家、DIY玩家、入门级设计师、以及任何希望在有限预算下获得高质量NVMe SSD的用户，也非常适合为PC做升级，以取代SATA接口的HDD/SSD。

上一代的英睿达P2系列SSD是一款颇受消费者欢迎的产品，有着很不错的销量，美光也希望英睿达P3系列SSD能够延续这种良好的销售势头。美光表示，Crucial P3 Plus Gen4 NVMe SSD和Crucial P3 Gen3 NVMe SSD都将配备用于性能优化的Crucial Storage Executive管理软件，预计会在夏天晚些时候上市。

据TomsHardware报道，美光的232层3D NAND闪存芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。CuA架构叠加新技术可以大大减小1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，这有助于降低成本，使得美光可以更积极地为搭载这些芯片的产品定价，或者提高产品的利润。

美光的科技和产品执行副总裁Scott DeBoer表示，正在和第三方主控芯片的开发人员密切合作，不但提供对232层3D NAND闪存芯片的支持，而且能确保对主控芯片与闪存芯片之间的优化，这一直是美光垂直产品整合的重要组成部分，以便搭建围绕数据中心和客户端固态硬盘产品。

美光暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数，不过似乎会比现有的3D NAND闪存性能要更好一些，以适应下一代支持PCIe 5.0固态硬盘的需求。美光还表示，新款芯片的能耗也更低一些，这可能与其注重移动领域的应用有关。

由于量产时间是在2022年年末，预计搭载232层3D NAND闪存芯片的产品将会在2023年出现。

美光表示，在GDDR6X中对PAM4信号传输技术方面的创新使其比其他GDDR6产品更加节能。21 Gbps并不是目前16Gb GDDR6X的终点，美光计划下一步将推出速率为24 Gbps的GDDR6X模块，为未来需要海量数据处理的应用程序做好了准备。

24 Gbps GDDR6X解决方案预期带宽：

512位解决方案 - 1.5 TB/s

384位解决方案 - 1.1 TB/s

320位解决方案 - 960 GB/s

256位解决方案 - 768 GB/s

192位解决方案 - 576 GB/s

128位解决方案 - 384 GB/s

96位解决方案 - 276 GB/s

64位解决方案 - 192 GB/s

美光高性能内存和网络副总裁兼总经理Mark Montierth表示：

“美光是GDDR6X的行业领导者，这有助于为最严苛的应用带来更强的性能。美光再次站在了存储器创新的前沿，为当今最高带宽解决方案提供了动力，并采用先进的工艺和接口技术，在图形性能方面继续处于领先的位置。”

16Gb GDDR6X的加入是美光超带宽解决方案产品组合（包括GDDR6和HBM2E）增长的一个重要里程碑，这些解决方案共同构成了业界最全面的高性能、高带宽产品组合，旨在为数据密集型应用程序提供数据。

Sanjay Mehrotra指出，亚洲国家在过去的几年里，都在扶持自己的半导体和芯片产业。此外，汽车行业对芯片产业的影响非常大，占据了重要的位置。随着汽车越来越智能化，变得像“装上轮子的数据中心”，上面需要更多的内存和存储空间。

在关于新冠疫情扩散对半导体行业带来的影响上，Sanjay Mehrotra与AMD首席执行官苏姿丰博士以及英伟达CEO黄仁勋先生的看法是一致的，表示新冠疫情推动了从数据中心到PC再到智能手机的需求。当越来越多的人需要在家远程工作时，会让美光在相当长的一段时间内投资于先进技术，并尽快进入大批量生产阶段，以满足市场不断增长的需求。

Sanjay Mehrotra曾在去年10月份与Fox Business交流过，当时他表示，美光将在未来十年内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发（R&D），包括提高晶圆厂的产能。

这周美国联邦第九巡回上诉法院裁定，针对DRAM芯片制造三巨头的指控缺乏足够可信的证据，因此驳回了起诉。原告提出了多项“证据”，以证明被告的商业行为是事先约定的。不过法院考虑了各项因素，认为更多的是作为一个整体考虑，认为这些指控并不构成原告的主张，需要通过“进一步强化事实”来予以支持。

法院在法庭案件分析里提到，被告的行为“更有可能通过行业中的合法、未经设计的自由市场行为来解释”，而不是通过非法协议。简单来说，就是三星、SK海力士和美光相似的行为，原因在于理性地分析市场后做出了较为一致的决定。这意味着三星、SK海力士和美光躲过了这一次反垄断案，若再次提起，则需要更多额外、过往不曾看见的证据。

三星和SK海力士过去曾因涉嫌操纵价格，被美国司法部罚以巨款。三星在2005年，因涉及限定DRAM价格和妨碍公平竞争的行为被罚3亿美元。SK海力士也因类似的行为在同一年被指控，最后认罪并支付了1.85亿美元的罚款。

今天（2022年3月4日）在上海，美光宣布送样全球首款基于176层垂直集成NAND技术的数据中心固态硬盘(SSD)——美光7450 NVMe SSD。据称美光7450 SSD可实现2毫秒或更低的服务质量(QoS)延迟，提供丰富的存储容量和外形规格，以满足数据中心工作负载的严苛要求。

据了解这款全新数据中心SSD采用了美光NAND技术来实现具备超高效率的设计，包括176层存储单元以及CMOS阵列下(CMOS-under-the-array)技术。7450 SSD集成了美光自有DRAM、内部开发的SoC系统级芯片和相关固件，并支持更强的设备安全功能。

美光7450 SSD提供从400GB到15.36TB的容量范围，其中包括一款领先业界的8TB紧凑型E1.S规格。此外，该款数据中心SSD还提供广泛的外形规格选项，包括U.3、M.2和E1.S三种规格可满足不同的空间、功耗和散热需求。其中业界唯一的U.3规格PCIe 4.0 SSD提供15mm和7mm两种厚度，可供需要2.5英NVMe硬盘的平台灵活选用。

大幅降低延迟是美光7450 SSD的最大亮点，据称美光7450 SSD在普通、混合、随机工作负载下，将通过2毫秒或更低的延迟，实现高达99.9999%的QoS，从而提升多种数据库的性能。

据悉，美光7450 SSD将于4月开始通过代理商向客户发售。