TrendForce预计，DRAM均价在2024年将增长53%，到2025年还将增长35%，从而推动DRAM产业营收分别达到907亿美元和1365亿美元。推动DRAM产业营收增长有四项因素，包括：HBM的崛起，预计2024年将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%；DRAM的正常迭代；原厂缩减资本支出和产能的分配；服务器需求的复苏。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。预计DDR5将分别贡献2024、2025年Server DRAM位元出货量40%和60-65%，LPDDR5/5X则会贡献2024、2025年Mobile DRAM位元出货量的50%和60%。

NAND闪存方面，2024/2025年产业营收将分别达到674亿美元和870亿美元。企业级大容量QLC SSD的崛起、智能手机采用QLC UFS存储、原厂缩减资本支出和产能的分配、以及服务器需求的复苏都推动了NAND闪存产业营收的增长。其中QLC将贡献2024年NAND闪存位元出货量20%，2025年的比重会进一步提升。此外，QLC也将逐步渗透到智能手机，今年第四季度起部分厂商会启用对应的方案，苹果预计2026年开始导入到iPhone。

随着存储器产业营收创下新高，制造商将有足够的现金加速投资，预计2025年DRAM和NAND闪存产业的资本支出将分别增长25%和10%。同时也会带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，存储器的成本将不可避免地上涨。对于ODM/OEM厂商来说，这种价格上涨不一定能完全反映在产品零售价格上，利润有可能被压缩，导致终端销量受到影响、需求下滑。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在与投资者和金融分析师的电话会议上表示，虽然美光在EUV光刻设备的使用上稍微落后于三星和SK海力士，但是加入EUV技术的1γ工艺DRAM芯片试生产进展顺利，有望在2025年实现量产。

美光对1γ工艺的DRAM芯片寄予厚望，希望能借助EUV技术构建业界最小的DRAM单元，制造出业内最便宜且更节能的存储产品，这可以让其在存储芯片的竞争中获得优势。目前试产工作正在美光位于日本广岛的工厂中进行，作为试产计划的一部分，首批采用1γ 工艺的存储产品也会在这里制造。至于使用EUV光刻设备后对美光DRAM芯片的性能有多大影响，还有待观察。

事实上，美光使用ASML的EUV光刻机已经有一段时间了。美光一直测试这些工具，以EUV替代1α和1β工艺上部分使用DUV的环节，并逐步进行调整，以提升良品率。现在美光已积累了足够的经验，开始准备将EUV光刻机投入到大规模生产中。

据了解，2024年第二季度买方补库存意愿渐趋保守，使得供应商和买方库存水平未发生明显变化，智能手机和云服务供应商在第三季度仍有补库存的空间，而且将进入生产旺季，因此很可能带动存储量出货量飙升。

PC DRAM第三季价格预计环比增长3-8%，涨幅低于Server DRAM，相比第二季的涨幅收缩，主要因为PC DRAM库存偏高，消费性需求没有较为明显的改善；Server DRAM第三季价格预计环比增长8-13%，比之前预估的要更高，通用型服务器受惠于旺季备货需求，主要动力在于DDR5，涨势也比DDR4明显；Mobile DRAM第三季价格预计环比增长3-8%，连续涨势使得买方变得谨慎，且目前库存充足，导致议价流程放缓，不排除有再收缩的可能；Graphics DRAM第三季价格预计环比增长3-8%，需求依旧较为平淡，价格主要受到其他DRAM产品的影响，由于GDDR7产量开始提升，将逐渐拉高平均销售价格；Consumer DRAM DDR3&DDR4第三季价格预计环比增长3-8%，有些供过于求，加上HBM产能挤压，涨价意图明显。

展望2024年第四季度，由于智能手机和云服务供应商仍有补库存的需求，加上HBM生产比重不断提升，将支撑价格延续上涨趋势。

据Business Korea报道，SK海力士最近在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，发表了有关3D DRAM技术的最新研究论文。显示SK海力士正在加速3D DRAM的开发，并取得重大新突破，首次披露了3D DRAM开发的具体数量和特性。

SK海力士表示，目前5层堆叠3D DRAM良品率已达56.1%。这意味着单个测试晶圆上可以制造大约1000个3D DRAM单元，其中有561个器件是可用的。SK海力士还透露，实验性的3D DRAM具有与目前使用的2D DRAM相似的特性。不过SK海力士也指出，虽然3D DRAM有着巨大的潜力，但在实现商业化之前仍然需要做大量的开发工作。同时与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要达到32层至192层堆叠的存储单元才能广泛使用。

据了解，三星和美光也在推进3D DRAM的开发。三星已经成功地将3D DRAM堆叠至16层，并计划在2030年实现量产。美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，如果技术能够取得突破，可以生产出比现有产品更好的DRAM，而且不需要使用EUV光刻设备。

现阶段DRAM市场仍然是高度集中，三星、SK海力士和美光等主要参与者共同占据了全球市场份额的96%以上。

据博板堂透露，三星的SSD和内存产品刚刚结束了618的促销活动，接下来第三季度有可能会提高产品价格，预期分别为：

SSD - 涨价15%

DDR4 - 涨价10%

DDR5 - 涨价15%

eMMC - 涨幅暂时还不清楚

作为全球最大的芯片制造商之一，半导体业务一直是三星摇钱树。不过2023年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重，连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争，甚至陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑，最终三星不得不通过减产等手段，将管理重点放在了盈利能力上。经过长时间的挣扎后，三星的DRAM和NAND闪存业务进入2024年后终于看到了曙光，今年1月的月度财报里显示已实现了盈利。

虽然市场需求逐渐疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面都面临重大挑战，加上存储器制造商开始停止减产，业界预计价格短期内不会提升，但是三星似乎依然坚定地继续提高内存和SSD产品的价格。

据The Elec报道，随着三星和SK海力士都已确认，在即将到来的3D DRAM上加入混合键合技术。前者初步计划在2025年推出3D DRAM芯片，后者还没有确定具体实施的时间。目前三星和SK海力士使用了微凸块来连接DRAM模块，但混合键合可以通过使用硅通孔（TSV）垂直堆叠芯片，以消除对微凸块的需求，从而显着减少芯片厚度。

3D DRAM是DRAM的未来概念，也就是DRAM单元垂直堆叠，是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式，就像今天的NAND单元垂直堆叠一样。3D DRAM不是简单地将2D DRAM组件放在一侧，然后将其堆叠在一起，重新设计的DRAM架构可以层层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术。

3D DRAM设计重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。通过垂直堆叠单元，3D DRAM芯片将单位面积的容量增加三倍，而当前的HBM是垂直连接多个DRAM芯片，两者是不一样的。

此外，三星还在探索4F Square DRAM，并计划将混合键合集成到生产过程中。与目前已经商业化的6F Square DRAM相比，可将芯片表面积减少30%。传闻三星打算推进到10nm或更先进的工艺时，在DRAM中引入新结构。

作为业界第一大厂，三星的DRAM营收按季度增长1.3%，至80.5亿美元，市场占有率下滑1.6个百分点至43.9%，平均销售价格（ASP）按季度增长20%，抵消了位元出货量的中个位数季减幅度；SK海力士的DRAM营收为57亿美元，按季度增长了2.6%，市场占有率下滑0.7个百分点至31.1%；美光的DRAM营收按季度有较大幅度的增长，达到了17.8%，至39.5亿美元，市场占有率上升2.3个百分点至21.5%，平均销售价格按季度增长23%。

南亚科技在价格回升所带动的备货动能，以及客户端DRAM销售动能回升较缓等需求消长影响下，出货量和平均销售价格都有所增长，DRAM营收按季度增长10.5%至3.02亿美元；华邦还没有调整合约价，由于客户提前备货，带动DRAM营收按季度增长21.6%至1.62亿美元；力积电的营收计算主要来自自身生产的客户端DRAM，不包含代工，最终DRAM营收为0.28亿美元，按季度减少了28.2%。

TrendForce表示，2024年第二季度即便消费性需求减少，原厂的出货位元数仍将反映季节效应而出现季度增长，而且涨幅有可能会高于预期，预计合约价将上涨13-18%。

由于除人工智能（AI）以外的终端需求不振，特别是笔记本电脑和智能手机需求上还没有复苏迹象，结合连续数个季度涨价及库存因素影响，两个月前TrendForce给出的DRAM合约价季涨幅为3~8%、NAND闪存为13~18%的预测数字。不过随着上个月中国台湾发生地震，出于特殊因素考虑，以PC OEM厂商为首的买房接受了DRAM和NAND闪存的合约价格上涨，一定程度上反映了供需两端对市场接下来走势的考量。

TrendForce表示，随着人工智能对HBM产品的需求越来越高，加上比传统DRAM高出数倍的价格（约为DDR5的五倍），存储器供应商逐步将产能更多地分配给HBM，进一步排挤了传统DRAM的产能。即便如此，HBM产品的供应可能从第三季度起会出现短缺。

随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，加上北美客户扩大存储产品的订单，带动企业级QLC SSD的需求攀升，不过暂时仅Solidigm和三星有经过验证的该类产品。不少云端服务商都打算扩大企业级QLC SSD的采购，作为新的存储解决方案，一定程度上加速了部分供应商的去库存操作，也让部分供应商出现了惜售心态。受制于消费产品市场需求前景不明，存储器供应商普遍对产能支出趋于保守。

Robert Dennard于1932年9月5日出生在美国德克萨斯州的特雷尔，在一个没有通电的农场长大。由于在圆号演奏方面的天赋，让Robert Dennard赢得了达拉斯南方卫理公会大学的奖学金，在那里获得了电机工程学士，并于1956年取得了硕士学位。随后Robert Dennard进入卡内基技术学院（卡内基梅隆大学的前身）攻读电气工程博士学位，于1958年获得了博士学位。毕业后，进入IBM工作，担任研究员，在那里度过了漫长而传奇的职业生涯。

在上世纪60年代，集成电路是一种令人兴奋的新鲜事物，而业界的主要焦点是推进计算机内存和逻辑，Robert Dennard投身到研究MOSFET的设计和应用当中。Robert Dennard与团队成员在1964年开发了一种替代系统，只需6个MOS晶体管就可以存储1bit信息，不过对于这样的设计仍然觉得过于复杂且缓慢。后来Robert Dennard在脑海里闪出了新的想法，彻底改变了计算机行业，经过不懈努力终于在1968年发明了DRAM，并获得了专利。

Robert Dennard并没有止步于此，1972年又带来了新的理论，使得电子设备变得更小、更快、更高效，后来这一理论被称为“MOSFET微缩方程式”，即登纳德缩放比例定律，对摩尔定律进行了补充。因此Robert Dennard获得了众多奖项，包括在2019年由IEEE（电气与电子工程师协会）授予了罗伯特·N·诺伊斯奖（Robert N. Noyce Medal），这也是半导体行业的最高荣誉。

Robert Dennard的追悼会定于美国东部时间2024年6月7日下午1点举行，地点位于纽约州约克城高地。

市场研究分析机构TrendForce发布了新的调查报告，称得益于比传统DRAM高出数倍的价格（约为DDR5的五倍），加上人工智能芯片的迭代需求，推动了2023年至2025年HBM产能的提升。2023年和2024年HBM分别占DRAM产能的2%和5%，到了2025年将提高至10%以上。产值方面，2024年占DRAM总产值超过20%，2025年可能提高至30%以上。

各个存储器供应商今年第二季度开始，已经针对2025年的HBM产品进行议价，不过受制于DRAM产能，为避免产能排挤效应，初步涨价5~10%，覆盖了HBM2E、HBM3和HBM3E。提前议价的原因有三点分，分别为：一、买方对人工智能需求充满信心，愿意接受涨价；二、HBM3E良品率仅为40~60%，还有待提升，买方希望稳定货源；三、不同供应商因供应能力问题，导致平均销售单价出现差异，从而影响获利。

现阶段HBM产品大规模转向HBM3E，且会有更多12层堆叠芯片出现，带动了HBM容量提升，预计2024年的HBM需求位元年成长率接近200%，到2025年有可能再翻倍。

美光副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示：“凭借这一最新批量出货的里程碑产品，美光将继续引领市场，为我们的客户提供已通过所有主要平台认证的大容量RDIMM。AI服务器可以选择配置美光的24GB 8层堆叠HBM3E（用于GPU连接）和128GB DDR5 RDIMM（用于CPU连接），以提供内存密集型工作负载所需的容量、带宽和功耗优化的基础架构。”

美光认为，新款高性能、大容量内存模块专为满足数据中心各种关键任务应用的性能需求而设计，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMDB）、以及多线程、多核计数通用计算工作负载的高效处理，未来将大批量应用在服务器CPU中。新产品已得到AMD、HPE、英特尔和超微等业界厂商的支持，建立了强大的生态系统。

目前美光已经开始供应128GB DDR5RDIMM内存模块，并将于2024年6月通过选定的全球渠道分销商和经销商提供。

根据DigiTimes的报道，地震中断了晶圆厂的运营，美光、三星和SK海力士均收到影响，这必然影响供应，这可能会导致内存价格上涨幅度超出预期。其实内存行业在地震前就在涨价了，以弥补他们在前几年价格低估时的损失。

在地震发生后不久，内光就停止了第二季度的产品报价，随后三星和SK海力士也迅速跟上，这明显就是准备涨价了。过去由于自然灾害或事故造成生成中断，内存价格通常都会飙升，这次地震估计也是如此。在地震发生前，市场预测第二季度DRAM和NAND合同价格增长速度会比第一季度放缓，预计在15%到20%之间，而第一季度涨幅超过了20%。

目前内存模块制造商的芯片库存量较低，目前正在准备加购芯片增加库存，原本他们希望价格上涨趋势能放缓，只不过从去年开始上游芯片制造商都集体减产以维持产品定价，现在加上地震的影响，合约价必然会涨得更厉害。

根据这一状况，包括服务器制造商在内的下游客户可能会预计到会出现供货短缺而积极备货，这会进一步推高内存价格。只不过在消费级市场依然处于农历新年后的需求低位，尽管价格估计也会跟随上涨，但应该不会出现缺货的现象。