• 台积电准备HBM4基础裸片:将采用N5和N12FFC+工艺制造

    吕嘉俭 发布于4天之前 / 关键字: SK海力士, SK hynix, 台积电, TSMC, HBM4

    上个月,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4。据了解,台积电将生产用于HBM4的基础裸片(Base Die),这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

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  • SK海力士加速推进HBM4E:最早或2026年完成开发

    吕嘉俭 发布于8天之前 / 关键字: SK海力士, SK hynix, HBM4, HBM4E

    为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时,SK海力士还与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。

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  • SK海力士针对端侧AI手机,开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”

    吕嘉俭 发布于2024-05-09 12:09 / 关键字: NAND, SK海力士, SK hynix

    今天SK海力士宣布,已开发出新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。

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  • SK海力士公布2024Q1财报:收入创历史同期新高,开始转向全面复苏期

    吕嘉俭 发布于2024-04-25 11:01 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    近日SK海力士(SK hynix)公布了截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告,收入创历史同期新高,营业利润也创下了市况最佳的2018年以来同期第二高。SK海力士认为公司业绩摆脱了长时间的低迷期,开始转向了全面复苏期,凭借旗下面向人工智能(AI)的存储器顶尖竞争力,业绩将持续改善。

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  • SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地,以应对HBM需求的大幅增长

    吕嘉俭 发布于2024-04-24 17:27 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    今天SK海力士宣布,为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来,提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。

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  • SK海力士将选择台积电7nm工艺,用于生产HBM4的基础裸片

    吕嘉俭 发布于2024-04-23 17:15 / 关键字: SK海力士, SK hynix, 台积电, TSMC, HBM4

    近日,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

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  • 三星和SK海力士竞争升级:争夺下一代AI半导体市场主导权

    吕嘉俭 发布于2024-04-22 15:24 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix

    在进入人工智能(AI)时代后,两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产,以抢夺市场先机,争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入,全球半导体战线正在扩大。

    据Business Korea报道,近期三星和SK海力士都公布了下一代半导体计划,问题的关键是:谁能首先将新产品推向市场?要知道SK海力士因为在HBM3上抢得先手,去年几乎垄断了英伟达HBM3订单,在存储器市场低迷时期以最快的速度扭转了颓势。

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  • SK海力士和台积电签署谅解备忘录,在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作

    吕嘉俭 发布于2024-04-19 12:37 / 关键字: SK海力士, SK hynix, 台积电, TSMC, HBM4

    SK海力士宣布,已经与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

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  • 受益于SSD价格持续上涨,三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利

    吕嘉俭 发布于2024-04-13 16:54 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix, NAND

    随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效,存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称,2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势,其中NAND闪存会表现得更为强势,合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函,通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。

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  • SK海力士准备1cnm DRAM:第六代10nm级别工艺,计划2024Q3量产

    吕嘉俭 发布于2024-04-09 18:08 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    去年,SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm(第五代10nm级别)的技术研发,并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG(High-K Metal Gate)工艺,相比1αnm(第四代10nm级别)工艺的产品,功耗降低了20%。

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  • SK海力士将在美国印第安纳州建造先进封装工厂,并与当地研究机构进行R&D合作

    吕嘉俭 发布于2024-04-04 10:11 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    SK海力士宣布,将在美国印第安纳州西拉斐特建造适于人工智能(AI)的存储器先进封装生产基地,同时与美国普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作,计划向该项目投资38.7亿美元。在当地时间4月3日,SK海力士与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动。

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  • SK海力士计划在美国印第安纳州投资40亿美元,建造一座芯片封装厂

    吕嘉俭 发布于2024-03-27 15:12 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    虽然去年存储器市场行情低迷,相当部分厂商损失惨重,不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能(AI)爆发的机会,凭借针对性的产品线和市场策略,拿下了不少市场份额,迅速走出了低谷。此前有报道称,SK海力士正谋求进一步发展,考虑在美国印第安纳州兴建晶圆厂及封装设施,还将亚利桑那州作为备选地点。

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  • SK海力士斥资900亿美元打造全新半导体生产设施,首座晶圆厂2027年投入运营

    吕嘉俭 发布于2024-03-23 20:00 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    作为全球最大的半导体企业之一,SK海力士最近乘着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)的东风,凭借旗下的HBM和DDR5产品,快速地走出了2023年存储器市场消极萎靡的阴霾,并期待着有更大的发展。

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  • SK海力士展示Platinum P51:面向消费端的高性能PCIe 5.0 SSD

    吕嘉俭 发布于2024-03-21 12:34 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    在英伟达GTC 2024大会期间,SK海力士以“Memory, The Power of AI(存储器,人工智能的驱动力)”为主题,展示了包括12层HBM3E、CXL(Compute Express Link)和PCIe 5.0 SSD在内的众多产品。其中与普通玩家最为密切的,要数基于“PCB01”的消费端产品,型号为Platinum P51的高性能PCIe 5.0 SSD。

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  • SK海力士加大HBM封装投入,将投资10亿美元建造先进封装设施

    吕嘉俭 发布于2024-03-11 14:50 / 关键字: SK海力士, SK hynix, HBM

    近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动着对先进工艺和封装技术的发展,市场需求在迅速增长。特别是去年以ChatGPT为首的人工智能工具在全球范围内掀起了一股热潮,对数据中心GPU的需求大幅度提高,使得各个晶圆代工厂和芯片制造商更加重视封装技术方面的投入,同时还选择进一步扩大封装产能。

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