SK海力士表示，1bnm工艺技术的成功研发，意味着可以向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的DRAM产品。SK海力士希望今年开始量产最先进的1bnm工艺技术产品，以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩。此外，SK海力士还打算将1bnm工艺技术扩展到LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。

近期SK海力士的财务状况并不好，上个月公布的2023财年第一财季财务报告显示，因存储器半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌，该季度营收环比减少，且营业亏损加大。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售，以提升营业收入。

财报显示，SK海力士在2023财年第一财季的收入为5.0881万亿韩元（约合38.04亿美元/人民币263.33亿元），同比减少58%，环比减少34%；营业亏损为3.4023万亿韩元（约合25.43亿美元/人民币176.24亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少79%；净亏损为2.5855万亿韩元（约合19.33亿美元/人民币133.81亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少25%。同时营业损失率为67%，净损失率为51%。

SK海力士表示，随着第一季度客户的库存转为下跌趋势，并且第二季度起存储器减产将使供应商的库存减少，预计下半年市场环境将得到改善。此外，随着面向ChatGPT等人工智能场景的服务器市场规模增长，采用高容量存储器的客户在增加，这一点也将对市场产生积极影响。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售，以提升营业收入。

SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示，今年DDR5、LPDDR5、HBM3等产品呈现需求增长趋势，SK海力士将以这些产品为中心，继续巩固人工智能时代高端市场的领导地位。

SK海力士认为，随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，决定从今年下半年起，将新款HBM3 DRAM推向市场，以满足市场需求。SK海力士已向合作伙伴提供了24GB HBM3 DRAM样品，客户对此产品都抱有极大的期待。

据了解，SK海力士的技术团队在新产品中采用了先进（Advanced）MR-MUF3和TSV4技术，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

HBM DRAM是实现需要高性能计算的生成式AI所必要的存储器半导体产品，第一代HBM DRAM在2013年首次亮相。最新规格的HBM3 DRAM被认为能够快速处理庞大数据的首选产品，目前大型科技公司的需求也在不断扩大。

3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。

相比于CPU和GPU，尽管DRAM使用的半导体工艺推进的速度要慢得多，但几乎所有的DRAM制造商都在不断地缩小制程节点。存储器不太热衷于采用新工艺，一定程度上是因为更先进的制程节点对DRAM的性能改善并没有CPU和GPU那么明显。

SK海力士和三星是DRAM制造商里仅有的两家采用EUV技术的厂商，在1βnm工艺上都引入了EUV技术，目前的DRAM大概能到12nm左右。去年三星就宣布，已开发出1βnm工艺的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD完成了兼容性验证。

SK海力士称，正在对SK Trichem造成的设备生产中断和更换零件等情况进行必要的审查，会按照合同条款对SK Trichem要求赔偿。目前SK海力士已暂停从SK Trichem采购材料，直到问题解决为止。

为了应付未来一段时间的生产，SK海力士所需的high-k材料暂时由UP Chemical和M Chemical供应。其中UP Chemical在数年前被国内企业收购了96.28%的股权，这是全球仅有的三家实现半导体存储芯片SOD产品稳定量产供应的半导体材料厂商之一。

SK Trichem表示，这次的原因是其提供的high-k材料的纯度有问题，导致某些设备的压力增加，从而出现停产。high-k材料属于前驱体材料，沉积在DRAM电容器的原子水平上，由于电容器直接决定DRAM的性能，因此high-k材料的质量至关重要。目前SK Trichem仍在为SK海力士同一生产线的其他设备提供材料，并计划在本月末向SK海力士恢复供应，提供符合质量要求的产品。

事实上，ChatGPT的出现似乎给存储器制造商带来了转机。据Business Korea报道，今年年初以来，三星和SK海力士的HBM订单量激增，价格也水涨船高，给低迷的DRAM市场注入了一丝活力。

相比于普通的DRAM，HBM通过堆叠方式实现了更高的带宽，与CPU及GPU协同工作中，可以提高机器学习和计算性能。除了英伟达和AMD的计算卡，近期英特尔也发布了首款采用HBM内存的x86处理器Xeon Max，上面也使用了HBM2e，越来越多涉及AI的高性能芯片选择HBM。

虽然HBM有着更强的性能，但比起普通DRAM出货量要少很多，这是由于其平均售价是普通DRAM的三倍，需要复杂的生产工艺和先进的生产技术。随着ChatGPT的出现，AI再次成为了热点，对高性能计算芯片的需求增加，也让HBM受惠。英伟达最新的H100计算卡采用了最新的HBM3，据了解，与最高性能DRAM相比，目前HBM3的价格最高上涨了五倍。

此外，存储器制造商还在原有HBM基础上集成AI引擎。此前三星就推出了HBM-PIM（Aquabolt-XL）芯片，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。通过在每个内存模块内注入了一个AI处理器，从而将处理操作转移到HBM本身，从而减轻了内存与一般CPU之间转移数据的负担，未来还会扩展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3内存上。SK海力士也在去年宣布开发出具备计算功能的GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/内存加速器），将计算功能添加到速率为16 Gbps的GDDR6上。

有业内人士表示，存储器制造商仅依靠制造工艺的时代已经过去，加入数据处理能力的AI半导体技术的发展将变得非常重要，可能决定芯片制造商的未来。从中长期来看，HBM-PIM这类型专用DRAM芯片的发展将使半导体行业发生巨大变化。

财报显示，SK海力士在2022财年第四财季因需求不振、产品价格下降，业绩由盈转亏。其收入为7.6986万亿韩元（约合62.56亿美元/人民币423.42亿元），营业亏损为1.7012万亿韩元（约合13.82亿美元/人民币93.57亿元），净亏损为3.5235万亿韩元（约合28.63亿美元/人民币193.79亿元）。同时营业损失率为22%，净损失率为46%。这是SK海力士自2021年第三季度以来，首次出现季度营业亏损。

SK海力士2022财年全年的收入为44.6481万亿韩元（约合362.79亿美元/人民币2455.65亿元），营业利润为7.0066万亿韩元（约合56.93亿美元/人民币385.36亿元），净利润为2.4389万亿韩元（约合19.82亿美元/人民币134.14亿元）。2022财年的营业利润率为16%，净利润率为5%。

SK海力士重申了去年10月发布财报时的说法，预计场上供过于求的情况将持续一段时间，今年的投资规模减少50%或以上，估计在10万亿韩元左右。不过SK海力士仍计划持续投资DDR5/LPDDR5、HBM3等主力产品的量产和未来高成长领域，为扩大基于技术力的新市场做好准备，当市况好转时快速扭亏为盈。

有业内人士表示，SK海力士现在的CMOS图像传感器开发团队更像是一支研发队伍，而不是销售与宣传的团队。CMOS图像传感器广泛用于智能手机和IT产品，而SK海力士以往只是一个专注于20MP或更低分辨率低端产品的小玩家。SK海力士从2021年开始向三星供应CMOS图像传感器，比如用于Galaxy A系列产品。

由于受到经济衰退及电子消费端需求低迷等影响，市场对CMOS图像传感器的需求有所下降，压力主要来自于智能手机。对于面向中端机型的供应商来说尤其痛苦，单价也会因此而下降。传言SK海力士近期一直在减少图像传感器的产量，同时减少库存。

SK海力士计划近期向客户提供LPDDR5T内存样板，为16GB容量的封装，数据处理速度为77GB/s，最终在下半年推进产品的量产。在SK海力士看来，在推出8.5 Gbps的LPDDR5内存后，仅相隔两个月就再次突破技术局限，为客户提供多种容量的所需产品，可进一步巩固其DRAM市场领导地位。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

SK海力士DRAM商品企划负责副社长柳成洙表示：

“跟进英特尔Sapphire Rapids的上市，我们正在与多数客户为扩大DDR5的采用进行紧密合作，将在持续增长的服务器市场中巩固领先地位。”

此次英特尔的DDR5认证里，SK海力士还成果获得了1ynm（第二代10nm级别）工艺DDR5的认证。SK海力士将以此为技术基础，为客户提供16Gb、24Gb等多种DDR5产品，提升服务器DRAM的销量。

SK海力士还与英特尔合作发行了DDR5白皮书，其中包含了DDR5的优点及基于Sapphire Rapids的1αnm级DDR5优秀性能等内容，对于采购SK海力士DDR5服务器DRAM的客户来说，可作为参考资料使用。

SK海力士确认了CES 2023参展产品阵容，包括一系列企业级SSD、CXL存储器、GDDR6和HBM3产品等，强化服务器用存储器市场领先企业地位。其中企业级SSD为PS1010 E3.S，这是由176层4D NAND构建的产品，支持PCIe 5.0标准，相比上一代产品，读写速度分别最高可提升130%和49%，还带来了75%以上的能耗比改善，有望降低客户的服务器运营费用和碳排放量。

针对高性能运算（HPC），SK海力士除了提供最高性能HBM3，还有添加了运算功能、PIM技术的GDDR6-AiM，以及灵活扩张存储器容量和性能的CXL存储器。SK海力士NAND商品企划负责人表示：“在世界最大规模的展会中推出能够解决服务器客户痛点的SSD产品，感到非常自豪。期待以搭载自主开发的控制器与固件的产品为基础，公司的NAND事业竞争力进一步加强。”

SK海力士采用了全新的方法来提高DDR5的数据传输速率，一般情况下，DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，而SK海力士另辟蹊径，通过提高整个模块的速度来实现更高的速度，并非单个DRAM芯片。该产品设计时，以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器（data buffer）同时运行两个内存列。

据SK海力士介绍，传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。这样的设计使得每次传输到CPU的数据量增加，数据传输速率提高到8 Gbps以上，是单个DRAM的两倍。

SK海力士还与英特尔、瑞萨电子进行紧密合作，将自身DRAM模块设计能力与英特尔至强处理器、瑞萨电子的缓冲器技术融为一体，并加快了开发到性能验证等各个阶段的速度。

SK海力士预计，在高性能计算对于内存带宽提升需求的驱动下， MCR DIMM模块的市场将会逐步打开。SK海力士计划在未来量产该款产品，不过没有透露具体的时间。

SK海力士提供的1y nm、1a nm 16 Gb DDR5 DRAM模块，以及1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块，可在第四代EPYC服务器处理器上实现4800 Mbps的支持，相比现有的DDR4产品多提供50%的内存带宽。SK海力士还提供了CXL存储器，这是一个容量为96GB的产品，基于1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块构建，为客户提供高满意度，灵活配置带宽和容量、以及经济高效的扩展。

SK海力士DRAM产品规划和支持负责人Sungsoo Ryu表示，与AMD的合作将加强SK海力士作为服务器市场内存解决方案供应商的领导地位，最新的EPYC 9004系列服务器处理器将为SK海力士新的DDR5和CXL存储产品铺平道路，为市场提供卓越的性能。