相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。这个过程涉及2-3个步骤，而MR-RUF技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程。根据SK海力士的说法，MR-RUF的导热系数大约是TC NCF的两倍，显著影响了生产速度和产量。从目前的市场占有率来看，SK海力士的说法似乎非常有说服力。

传闻JEDEC固态存储协会可能会放宽HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度放宽至775微米，这意味着存储器制造商可以在现有的键合技术中实现16层堆叠，无需转向新的混合键合技术。

SK海力士透露，在未来的芯片堆叠中，将消除凸块，并使用特殊材料填充和连接芯片。这种材料类似于液体或胶水，将提供散热和芯片保护，从而实现更薄的整体芯片堆栈。SK海力士非常地乐观，认为混合键合技术有可能在不超过775微米的情况下实现20层以上的堆叠，不需要转向新的工艺。

据Wccftech报道，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作，比如打算将存储控制器安装在HBM结构的基础芯片上。

SK海力士希望通过新计划，为多用途HBM解决方案奠定基础。虽然暂时无法判断这种偏离业界传统的做法会对高性能计算市场产生多大影响，但是性能提升基本是可以确定的。这与HBM技术的封装结构有很大关系，由于采用单一的单元，不仅可以确保更快的信号传输速度，而且结构间隙将大大减少，从而提升功率效率。

现在的HBM市场比以往任何时候都要激烈，SK海力士面临着更大的竞争压力。与台积电的结盟大大增强了SK海力士在HBM产品上的开发实力，最大限度地确保领先于三星和美光等竞争对手，并推动着HBM产业的持续创新。

虽然距离HBM4投产还有两年的时间，不过SK海力士已经在加速推进第七代HBM产品的开发工作。据etnews报道，SK海力士HBM先进技术团队负责人Kim Kwi-wook在近日举行的“IMW 2024”活动上分享了下一代HBM的发展方向，表示当前HBM技术已达到新的水平，同时代际更迭周期也在加快，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年。

行业对于高带宽存储器的高需求迫使SK海力士将HBM项目提速，预计首批12层堆叠的HBM4最快会在明年下半年到来，到2026年还会有16层堆叠的产品，不但会利用MR-MUF技术，同时还会往更为定制化的方向发展，而HBM4E最早会在2026年出现。这是SK海力士首次提及HBM4E，确认了新标准的存在，传闻带宽将是上一代产品的1.4倍。