• 2019止不住的存储芯片降价:NAND闪存跌45%、内存芯片降30%

    孟宪瑞 发布于6天之前 / 关键字: NAND, 闪存, DRAM, 内存, 降价, 花旗

    2018年还有三周时间就过去了,对于半导体行业来说,这两年因为存储芯片价格大涨而出现了一轮牛市,但2019年的风向就变了,半导体市场产值大涨的局面不会有了,以往领跑芯片市场的内存、闪存明年都要降价,这一趋势已经不可避免。那么2019年DRAM内存、NAND闪存会降价多少呢?花旗给出的预测显示明年NAND闪存会降价45%,DRAM内存则会跌30%,而且Q2季度之前是看不到价格底线的。

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  • 海盗船推出“假”复仇者RGB Pro内存,就是纯发光的内存条

    梁俊豪 发布于7天之前 / 关键字: 内存, 海盗船, 复仇者RGB Pro内存

    最近DDR4内存价格不断下滑,大概400元就能买到单条8GB,再加几十块就能买到RGB灯光不错的内存条。不过绝大部分人只要8GB×2就能满足日常、游戏使用,剩余两个空荡荡DDR4的内存槽位好像不怎么好看,继技嘉推出了AORUS DDR4内存套装自带两根“假内存”后,海盗船也推出了单独的复仇者RGB Pro内存灯光增强套件,不过价格不便宜,两根“假内存”要价39.99美元,折合人民币275元。

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  • 内存降价、半导体产业增速放缓,韩国担忧出口增速下降

    孟宪瑞 发布于2018-11-30 11:21 / 关键字: 韩国, 内存, 半导体, 出口, 三星

    尽管三星、SK Hynix、美光等公司并不情愿,但是2019年内存降价已经是定局,而且降幅有可能会超过之前的预期,这也会导致明年的全球半导体行业增速下降,WSTS世界半导体贸易统计组织指出2019年榜半导体产业产值预计为4901亿元,比今年增长2.6%,而早前的预期是5020亿美元产值,同比增长5.2%。明年半导体产值增速下滑主要是内存产品降价,由大涨变成了微跌,而韩国也在担心内存降价会影响他们的出口。

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  • 力晶:美国力阻中国发展DRAM内存,明年内存恐缺货涨价

    孟宪瑞 发布于2018-11-28 11:07 / 关键字: 力晶, 内存, 涨价, 晋华, 美光

    台湾台湾半导体协会昨天举行2018 TSIA年会,邀请了台湾半导体行业内的大腕出席,其中台积电联席CEO魏哲家主持会议,还有联发科董事长蔡明介、联电总经理简山杰、力晶执行长黄崇仁等,其中力晶创始人、执行长黄崇仁谈到了内存产业的一些动向,包括未来的内存价格以及美光晋华之间的专利纠纷。据他了解美国司法部起诉晋华公司就是阻碍中国DRAM产业发展,制裁晋华之后中国将不会有任何DRAM长产能崛起,而三星、SK Hynix、美光三家公司已经决定不再扩充内存产能,预计明年下半年内存又会开始缺货。

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  • Q4季度DRAM内存要降价10%:美光杀价最狠,三星捍卫份额

    孟宪瑞 发布于2018-11-22 12:40 / 关键字: DRAM, 内存, 三星, 美光

    10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%,4GB及8GB模组价格都在跌,DRAM内存芯片持续了两年多的牛市要转向熊市了。三星、SK Hynix及美光三家DRAM芯片公司掌握了全球95%的份额,尽管他们本身并不希望DRAM降价,还在通过减产等方式力组降价,只是降价的大门一旦开启,阻止下降是不可能的了,而这三家公司对市场态度不同,美光11月份在内存芯片市场上被视为最具进攻性的DRAM供应商,价格是最低的,三星则是为努力维持自己的份额,SK Hynix的内存芯片倒是最高的。

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  • Q3季度DRAM内存产值再创新高:显存降了3%,DDR4依然微涨

    孟宪瑞 发布于2018-11-17 14:14 / 关键字: 三星, 内存, DRAM, dramexchangge

    此前有报道称10月份DRAM内存现货价格终于降价了,4GB及8GB内存模组降幅约为10%,预计2019年还会再降20%,内存市场将迎来拐点。不过今年Q4季度即便内存降价,前三个季度的内存依然是上涨,所以DRAM厂商今年的整体营收及盈利依然会创纪录提升,Q3季度中显存因为挖矿降温出现了3%左右的降幅,DDR3因为需求弱而跌价之外,包括标准内存、服务器内存及移动在内的内存依然涨了0-2%不等,全球DRAM内存产值达到了280亿美元,同比增长9%,其中三星以45.5%的份额继续保持第一。

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  • DRAM内存芯片未来一年还要降价,中国公司两三年内没机会

    孟宪瑞 发布于2018-11-14 10:22 / 关键字: 创见, 内存, DRAM, 闪存, NAND, 内存降价

    10月份长期居高不下的DRAM内存芯片终于开始跌了,主流模组4GB的均价自上季的34.5美元滑落至31美元,跌幅10.14%,8GB内存模组也跌了10%左右。尽管三星、SK Hynix及美光三家公司希望通过削减产能投资的方式维持住内存高价,但是内存降价一旦开始就收不住了。对于内存的价格走势,创见公司董事长Peter Shu也在采访中提到DRAM内存与NAND闪存一样出现了供过于求的局面,未来一年价格还要继续下滑。此外,他还提到中国大陆的内存创业公司在未来两三年内不太可能在全球DRAM市场占据一席之地,不过NAND厂商在2019-2020年间可望成为行业的一部分。

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  • SK Hynix推1Ynm的8Gb DDR4:生产效率提升20%,功耗降低15%

    孟宪瑞 发布于2018-11-12 15:29 / 关键字: SK Hynix, .DDR4, 内存, 1Ynm

    在全球DRAM内存芯片市场上,SK Hynix目前的市场份额达到了29%,仅次于三星的45%,位列全球第二,领先于美光。在DRAM技术上,今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片,SK Hynix日前也宣布开发出1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,频率3200Mbps,同时生产效率提升20%,功耗降低了15%。

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  • 联电澄清内存专利:有15年DRAM经验,美光25nm技术才是买的

    孟宪瑞 发布于2018-11-12 10:18 / 关键字: 联电, DRAM, 内存, 美光, 专利侵权

    两周前美国商务部、司法部接连出手,先是制裁中国福建晋华集团,接着是起诉晋华及合作伙伴联华电子(简称联电),指控二者涉嫌盗窃美光的DRAM内存专利,给美光公司造成了高达90亿美元的损失。此后联电及晋华集团分别发表声明,否认盗窃美光商业机密。联电公司日前又发布了新的声明,详细解释了联电在DRAM技术上的积累,强调联电已经有超过15年的DRAM技术开发经验,联电开发的DRAM技术与美光公司的DRAM设计完全不同。此外,联电还指出美光的25nm DRAM技术并不是自己开发的,而是购买了台湾瑞晶及日本尔必达公司的25nm DRAM技术。

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  • 美光量产12Gb LPDDR4X内存:4266Mbps频率、功耗降低10%

    孟宪瑞 发布于2018-11-09 10:14 / 关键字: 美光, LPDDR4X, 12Gb, 内存, 手机内存

    2018年的智能手机存储容量越来越大,闪存基本上是64GB起了,128GB已经是主流,内存芯片普遍是6GB起,高端的上了8GB甚至10GB。想要内存容量再上一个台阶,除了期待降价之外,还有赖于大容量LPDDR4内存的量产。美光公司今天宣布大规模量产12Gb核心容量的LPDDR4X内存,使用了1Y nm工艺(10nm级别的)生产,频率可达4266Mbps,同时功耗降低了10%,明年的智能手机可以上12GB内存了。

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  • Google Pixel 3单摄有算法拯救,但4GB内存真的不够用?

    梁俊豪 发布于2018-11-06 11:04 / 关键字: Google, Pixel 3, 内存

    你不得不承认Google在研发能力上是非常强大,一手操办了一个红遍全球的Android系统,而且每一年都会亲自或联合打造一台“亲儿子”系列手机,今年的Google Pixel 3最让人侧目的就是拍照能力,要知道它仅仅是一部配备了单摄像头的手机,依靠成像算法优化以及NPU AI人工智能技术加持,获得了不俗于多摄的效果,这就是Google强大研发能力的最佳体现。既然算法能够拯救单摄像头,但只有4GB内存的Google Pixel 3却卡爆了,经常出现应用在后台被“杀死”的情况。

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  • 连涨两年后内存价格10月份跌了10%,2019年还要再跌20%

    孟宪瑞 发布于2018-11-05 17:02 / 关键字: 内存, DRAM, 内存降价, 三星

    从2016年下半年开始,全球存储芯片进入了新一轮的旺季,DRAM内存、NAND闪存价格从那时候起大幅上涨,一直持续到2018年。如今NAND闪存价格今年已经暴跌了,彻底扭转了价格走势,而DRAM内存一直坚挺到现在,尽管前三季度DRAM芯片价格都是微涨。从10月份开始,DRAM内存现货价格大幅下滑,4GB及8GB内存模组各自跌了10%的价格,预计2019年还会继续这个趋势,平均单价跌幅可能达到20%。

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  • 晋华公司否认窃取其他公司技术行为,坚定走自主研发路线

    孟宪瑞 发布于2018-11-04 11:40 / 关键字: 美光, 晋华, 存储芯片, 内存, 专利

    美光与晋华、联电之间的专利侵权事件已经引发了大陆、台湾及美国三方面的震动,特别是美国政府用行政力量介入事件之后,这已经不是一起简单的商业泄密案件了。针对美光及美国司法部提出的商业窃密指控,联电方面此前已经否认侵权,并联系律师团队全力应对,中国福建晋华集成电路有限公司也发表声明称坚定走自主研发路线,否认存在窃取其他公司技术的行为,指责美光用各种手段破坏晋华公司发展,要求立即停止错误做法。

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  • 被美国制裁又遭台湾“背叛”,联电宣布暂停为晋华开发DRAM技术 ...

    孟宪瑞 发布于2018-11-01 09:24 / 关键字: 联电, 晋华, DRAM, 内存

    2017年中国大陆进口了价值886亿美元的存储芯片,NAND闪存及DRAM内存几乎都是100%依赖进口,为此国内近几年加大了对存储芯片的研发、生产投资力度,其中长江存储主攻NAND闪存,福建晋华及合肥长鑫则主攻DRAM内存,晋华集团投资370亿元的内存工厂已经建成,正在投产中。本周一美国商务部宣布将晋华集团列入出口限制实体名单,理由是晋华集团对美国的国家安全构成威胁。被限制进口美国公司的设备及软件之后,晋华合作方联华电子也宣布将暂停与晋华的技术合作,原因是台湾主管部门依照美方要求限制某些设备。

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  • Q3季度三星内存、闪存芯片贡献的利润再创纪录,但明年要降了 ...

    孟宪瑞 发布于2018-10-31 10:12 / 关键字: 三星, Q3财报, 存储芯片, 内存, 闪存, 手机

    三星的智能手机业务这两年一直在下滑,特别是Note 7爆炸事件之后,不过三星的NAND闪存、DRAM内存等存储芯片业务刚好在2016下半年开始爆发,所以这两年来三星电子的业绩并没有受到智能手机的拖累,在内存、闪存涨价的影响下接连创造纪录。今年闪存已经在降价,不过内存价格还没有降下来,三星前两个季度的盈利还在涨,今天发布的Q3季度财报中三星当季运营利润达到了17.57万亿韩元,约合155亿美元,同比大涨21%,创造了新的记录,其中13.65万亿韩元都是半导体业务贡献的,手机业务只贡献了2.2万亿韩元,占比持续减少。不过三星也发出预警了,Q4季度盈利就不会这么好看了,明年Q1季度内存需求也会放缓,到Q2季度才会稳定下来。

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