虽然DRAM和NAND闪存芯片价格还没有回到今年初的水平，不过几个月下来上涨的幅度并不小，比如512GB的NAND闪存芯片价格几乎是7月时的两倍，256GB也在同一时间段上涨了55%，而两条8GB的DDR4内存套装比起8月时涨价了10%。

新冠疫情后世界经济放缓，随着消费者减少支出，市场需求下降，导致芯片供过于求、库存水平处于高位，供应商不得不采取降价措施，也让消费者今年能以非常低的价格购入存储产品。对存储器制造商而言，后果很严重，三星2023年第一季度的利润几乎都被抹去，而美光损失了20多亿美元。

相比之下，固态硬盘的涨势更为明显，现在已经很难找到几个月前那种大容量低价产品了。至于内存，可能不久以后情况也会发生变化。

SK海力士打算将两个DRAM芯片水平排列，然后组合在一起，像一个芯片那样。由于芯片下面没有添加基板，可以让芯片变得更薄，会明显减小了安装厚度，SK海力士打算在明年公开披露使用该封装制造的芯片的研究成果。

未来HBM会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。此前有报道称，SK海力士目标是将HBM4以3D堆叠在逻辑核心上，有点类似于AMD的3D V-Cache技术，不过容量更高且更便宜，只是速度会慢一些。这不仅改变了逻辑和存储芯片的互连方式，也将改变芯片的制造方式。

有SK海力士高层人士表示，在人工智能时代，SK海力士将引领存储半导体创新，针对每个客户提供差异化的专业产品。

国内最大的存储器半导体企业长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC闪存芯片，名为X3-9070。长江存储也领先于三星和SK海力士，实现了更高层数的NAND闪存芯片的量产，回击了外界质疑的声音。据了解，去年一年里，来自政府与国有投资基金的投入就达到了9万亿韩元（约合人民币499.5亿元）。持续且大量的资金投入支持确实能取得效果，一方面是技术的追赶，另一方面是更快的市场渗透

此外，随着半导体电路小型化逼近极限，国内可能会抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术，高性能、多芯片的封装被视为突破半导体小型化限制的关键。中国大陆是全球第二大封装技术市场，有着较为完善的生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入了全球十大半导体封装企业的前十名，而韩国没有一间公司出现在榜单上。

PC DRAM方面，2023年第三季度就已经开始涨价了，加上为新款CPU备货，预期会带动DDR5内存需求上升。由于原厂配件库存仍处于高位，且没有出现缺货的情况，迫使三星再度扩大减产幅度，同时厂商也不愿意再降低DRAM产品价格，甚至打算提价。预计2023年第四季度DDR4价格环比增长0~5%，DDR5价格环比增长3~8%，PC DRAM合约价季涨幅约3~8%。

Server DRAM方面，预计2023年第四季度DDR4的均价将持平，已经没有下跌空间，DDR5均价可能还会下跌，不过出货比重上升，两者之间价差约50~60%，整体的平均零售价会拉升，Server DRAM的合约价预估环比增长3~8%；Mobile DRAM方面，库存已回到健康水平，下半年行情好转，环比增幅超过10%，预估LPDDR4X合约价季涨幅约3~8%，LPDDR5(X) 合约价季涨幅5~10%；Graphics DRAM方面，买方心态已转为可接受价格上涨，且电竞本热销，表现优于整体笔电市场表现，预估合约价季涨幅3~8%；Consumer DRAM方面，三星自9月起开始扩大减产规模，至第四季度将达到30%，且库存不断下降，预计会拉高合约价，季度涨幅3~8%。

美光是在去年末推出了1β工艺节点，无论性能、位密度还是电源效率上都有显著的收益，而且还能降低DRAM成本，将带来广泛的市场优势。基于1β工艺节点打造的DDR5内存覆盖了4800MT/s至7200MT/s的范围，允许将计算能力推向更高的性能水平，支持跨数据中心和客户端平台的人工智能（AI）训练和推理、生成式人工智能、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。

美光核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway表示，采用1β工艺节点的DDR5内存进入大批量生产及应用是行业内的一个重要里程碑，与生态系统合作伙伴及客户合作将推动高性能内存更快地被采用。美光将会有多款产品采用1β工艺节点，除了DDR5外，还包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。

美光计划继续投资数十亿美元，将晶圆厂转变为技术领先、高度自动化、可持续发展、以及人工智能驱动的设施，其中包括对日本广岛工厂的投资。据了解，这间工厂将采用1β工艺节点批量生产DRAM。

三星在12nm级别工艺技术上使用了一种新的high-κ材料，有助于提高电池电容。高电容导致数据信号出现明显的电势差，更便于准确区分。同时在降低工作电压和减少噪音方面的努力，也有助于三星提供客户需要的解决方案。

此前三星的12nm级32Gb DDR5 DRAM还需要使用TSV（Through Silicon Via）工艺，而这次12nm级32Gb DDR5 DRAM可以在不使用TSV技术的情况下生产，两者同为128GB模块下，后者的功耗降低了约10%，使其成为数据中心等注重能效的企业的最佳解决方案。

三星表示，12nm级32Gb DDR5 DRAM将会在今年年底开始量产。

当谈及性能时，HBM类产品无疑是领先的，利用堆栈技术带来了更大的接口带宽，也提高了数据传输的速率，而这类存储器也并不需要最先进的光刻技术。现今大量供货的HBM2E和HBM3产品，也经过了时间的验证，发展得很成熟了。

HBM类产品要求较高的是封装技术，需要使用微小的硅通孔（TSV）垂直连接8个或12个存储器，这是一个复杂的过程。不过相比在更高的10nm级工艺技术上生产DRAM芯片，对堆叠的芯片模块进行封装还是相对要简单一些。理论上，长鑫存储有生产HBM类产品的技术，不过每个模块能够堆叠多少DRAM还很难说。

在未来人工智能、高性能计算、自动驾驶汽车等各种应用场景中，HBM类产品都有较高的需求，适用范围非常广，能够依靠自己的技术实现自主研发和生产，肯定是利大于弊。

3D DRAM设计中，重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。新的DRAM单元设计方式不是简单地将2D DRAM组件放在一侧，然后再将其堆叠在一起，加上工艺上的约束和要求，就是一项说起来容易做起来困难的工作。重新设计的DRAM架构可以层层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术，比如GAA设计。

据了解，第一代3D DRAM设计最多只能利用28层堆叠，随着架构的改进和额外的分层，DRAM密度可以实现两个节点的跳跃改进。该技术遇到的另外一个问题是，现阶段没有生产工具可以可靠地制造3D DRAM所需的这些特征，需要对DRAM的生产工具进行改进甚至重新设计，这是一个必然的过程。

此前有报道，三星和SK海力士都将3D DRAM作为克服DRAM物理极限的一种方式。在三星看来，3D DRAM是半导体行业未来的增长动力，而SK海力士则认为，明年关于3D DRAM的电气特性细节将被公开，从而决定其发展方向。

三星继续位列第一，不过由于DDR5制程仍落于1Ynm，且占比有限，平均销售单价（ASP）下跌了约7~9%，不过在AI服务器出货带动下，营收环比增长了8.6%，达到了45.3亿美元；SK海力士超越美光回到了第二名，在2023年第二季度表现抢眼，不但出货量环比增长超过35%，且平均销售单价也有约7~9%的增长，使得营收环比增长了接近50%，达到了34.4亿美元；美光由于HBM发展得比较晚，没能赶上这波人工智能热潮，不过仍有不错的DDR5出货量，平均销售价格也得以维持，营收约29.5亿美元，环比增长15.7%。

总的来说，前三名里SK海力士的市场份额增长，而三星和美国的市场份额都有不同程度的下降。此外，因各产品的合约价仍持续下行，三大原厂的利润率仍为负值，其中三星第二季营业利润率由-24%上升至-9%，SK海力士营业利润率由-50%大幅收窄至-2%，美光的营业利润率则从-55.4%缩窄至-36%。

资金当然是来自《美国芯片法案》的520亿美元预算，这意味着美光和英特尔一样，希望能说服政府，获得比竞争对手更多的资金份额。此前英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）就表示，英特尔的重要研发工作都在美国本土完成，而且在此处拥有规模庞大的自有工厂，应该拿到更多补贴才对。

英特尔和美光的做法也引来了争议，有人认为《美国芯片法案》的资金主要来自于纳税人，在半导体市场疲软的趋势下，这些半导体企业以包括扩大产能等各种理由申请大量补助资金，其实是让别人掏腰包去填补其自身的业绩亏损。

2021年10月，美光宣布在未来十年内，计划在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发，包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光认为，内存和存储芯片在全球半导体行业中所占的比重正不断增长，目前约占半导体市场的30%份额。

据TomsHardware报道，美光希望继续保持在DRAM市场的领先优势，已经计划在2024年上半年量产32Gb DDR5芯片，为打造1TB大容量内存模块奠定基础。尽管美光没有透露新款DRAM芯片的数据传输速率，不过考虑到这是第三代DDR5内存模块，频率应该会进一步提升。

32Gb DDR5芯片将采用美光去年推出的1β（1-beta）工艺节点生产。这是目前美光在存储芯片上最先进的半导体工艺，有可能是其最后一个没有采用极紫外（EUV）光刻技术的制造工艺，此前已经向特定的智能手机制造商和芯片组合作伙伴运送了DRAM芯片样品。

与行业内很多企业不同，美光不打算在短期内全面使用极紫外（EUV）光刻技术来生产存储芯片，而是继续使用深紫外（DUV）光刻技术，同时在1β工艺节点上使用了其第二代HKMG技术，美光称，新工艺节点的能效提高约15%，位密度提高了35%以上。

32Gb DDR5芯片首先会用于数据中心的内存模块，这是对内存容量需求最为迫切的地方。据了解，美光明年首先会提供128GB的DDR5内存模块，然后再推出192GB和256GB的产品。512GB和1TBDDR5内存模块暂时还没有安排，不过有可能提前向特定客户提供。

PC DRAM方面，三星、SK海力士和美光都集中减产DDR4内存，效果将会在今年第三季度显现，同时第二季部分OEM厂商以低价策略大量拉货，加快了原厂去库存的速度。总体来说，今年第三季度DDR4内存仍处于供过于求的状态，预计跌幅按季度在3%至8%。原厂更多地想稳住DDR5内存的价格，并没有完全满足买方需求，预计环比下跌5%以内，而第三季整体PC DRAM的均价预计环比下跌0%至5%。

Server DRAM方面，买方库存仍处于高位，而且新平台的转换速度不如预期。尽管近期投资AI服务器成为业界热点，像128GB的高容量DDR5服务器内存及HBM类产品销量提升，但对Server DRAM库存并没有实质上的削减，预计DDR4及DDR5产品的跌幅分别为3%至8%及0%至5%。整体上，Server DRAM价格走势持续疲弱，预计第三季度Server DRAM均价的跌幅在0%至5%。

Mobile DRAM方面，尽管传统旺季有望带动需求，但对降低库存的作用依然有限，加上原厂减产及连续数月的下跌让价格跌至底线，基本没有继续下跌的空间，预计第三季度Mobile DRAM均价跌幅在10%到15%之间；Graphics DRAM方面，英伟达GeForce RTX 40系列带动了需求，叠加旺季效应，买房早已备足存货，市场总体上供过于求，预计第三季度Graphics DRAM均价跌幅在0%到5%之间；Consumer DRAM方面，市场交易冷清，市场总体上仍供过于求，预计第三季度Consumer DRAM均价跌幅在0%到5%之间。

作为业界第一大厂，三星的出货量和平均销售价格都出现了下滑，营收约为41.7亿美元，环比下降24.7%；美光第一季度越过SK海力士爬升到第二名，营收为27.2亿美元，环比下降3.8%，得益于去年年末的订单，衰退幅度缩减；SK海力士下滑到了第三名，出货量和平均销售价格都出现超过15%的跌幅，营收约为23.1亿美元，环比下降31.7%。

由于平均销售价格下跌速度过快，三大厂第一季度的营业利润率由正转负，同时DRAM价格持续下行，导致第二季度的营业利润率仍处于亏损状态。目前三大厂都启动了减产，三星、美光和SK海力士第二季度的稼动率分别下滑至77%、74%和82%。

TrendForce认为，目前市场供过于求的情况尚未改善，价格方面依旧持续下跌，不过在原厂陆续启动减产后，下半年DRAM价格的跌幅将有望逐季收窄。展望今年第二季，虽然出货量会增加，不过因价格跌幅仍比较大，预期营收成长的幅度会非常有限。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示：“利用差异化的工艺技术，三星行业领先的12nm级别DDR5 DRAM具有出色的性能和电源效率。最新的DRAM反映了我们对引领DRAM市场的持续承诺，不仅提供高性能和高容量的产品，满足了计算市场对大规模数据处理的需求，而且还通过对下一代解决方案的商业化，支持更大的产量。”

与上一代产品相比，三星新的12nm级别DDR5 DRAM的速率达到了7.2 Gbps，功耗降低了23%，同时将晶圆的生产效率提高了20%，出色的电源效率使其成为那些希望减少服务器和数据中心的能耗及碳足迹的全球IT公司的理想解决方案，支持包括数据中心、人工智能和下一代计算在内越来越多的应用。

三星在12nm级别工艺技术上使用了一种新的high-κ材料，有助于提高电池电容。高电容导致数据信号出现明显的电势差，更便于准确区分。同时在降低工作电压和减少噪音方面的努力，也有助于三星提供客户需要的解决方案。

PC DRAM方面，由于DDR4内存库存充足，供应商虽希望降低库存，但由于市场需求不强，成交量并没有上升，预计跌幅为15%~20%。DDR5内存由于供给关系相较DDR4内存更为平衡，预计均价跌幅小于DDR4内存。

Server DRAM方面，由于服务器需求持续下滑，导致DDR4内存库存压力上升，预计季跌幅扩大至18%~23%，而DDR5内存则受PMIC问题影响，供应受限，促使第二季均价跌幅缩小至13%~18%，但是由于DDR5内存比重仍相对较低，对价格变动影响有限，预计Server DRAM第二季度均价季跌幅扩大至15%~20%。

Mobile DRAM方面，虽然智能手机厂商完成了库存修正，采购意向相比去年更高，但供应商库存仍处于高位，因此更意愿让利促销。目前有采购方将第三季度与第二季度需求合并以增加议价能力，多种因素叠加下，预计第二季度Mobile DRAM均价季跌幅扩大至13%~18%。 

NAND闪存均价下跌的主要原因依然是市场供过于求，Enterprise SSD、UFS跌幅扩大，两种类型产品约占总NAND闪存消耗量的50%。

服务器整机需求持续下滑，不仅影响Server DRAM均价，同样影响Enterprise SSD价格。第二季度Enterprise SSD库存压力增大，预计均价跌幅扩大至10%~15%。不过预计随着新平台放量，加上持续去库存化，下半年Enterprise SSD需求有机会出现明显增长。

UFS表现情况与Mobile DRAM类似，虽然智能手机厂商采购意向增强，但采购方将第三季度需求与第二季度合并以增加议价能力，加上供应商对去库存意愿强烈，预计第二季度UFS均价跌幅扩大至10%~15%。