有消息称，三星计划将SF3首先用于一款可穿戴设备所使用的芯片上，或许是Galaxy Watch 7所搭载的芯片。此外，三星还计划在明年Galaxy S25系列智能手机所采用的Exynos 2500上，采用SF3制造。在三星看来，新的SF3可以使用不同宽度的MBCFET器件，从而提供了更大的设计灵活性。

目前三星还在改进其4nm工艺，除了投产的SF4P（4LPP+），还计划推出用于高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），不过届时台积电也会带来名为N3P的增强型3nm工艺。

Galaxy S24系列采用了高通第三代骁龙8平台，传闻Galaxy S24和Galaxy S24+也会有Exynos 2400版本，在中国、美国和韩国以外的市场销售。Galaxy S24采用6.2英寸第二代动态AMOLED屏，分辨率为2340×1080，Galaxy S24+采用6.7英寸第二代动态AMOLED屏，Galaxy S24 Ultra采用6.8英寸第二代动态AMOLED屏并支持S Pen，后两款分辨率为3120×1440，三者的峰值亮度均为2600尼特，提供了1-120Hz自适应刷新率。Galaxy S24、Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra的电池分别为4000mAh、4900mAh和5000mAh，其中Galaxy S24为25W有线快充，其余两款机型为45W有线快充，三款机型均支持无线充电。

Galaxy S24和Galaxy S24+后置镜头模组由5000万像素广角摄像头、1000万像素长焦摄像头、1200万像素超广角摄像头组成，另外前置1200万像素摄像头。Galaxy S24 Ultra则是后置2亿像素广角摄像头、5000万像素长焦摄像头、1000万像素长焦摄像头、1200万像素超广角摄像头，前置1200万像素摄像头。

三星官网已开启了先行者计划，1月26日起陆续送达。Galaxy S24提供了8+256GB、12+256GB、8+512GB三种存储组合，国行价格分别为5999元、6499元和6999元；Galaxy S24+提供了12+256GB、12+512GB两种存储组合，国行价格分别为7499元和8499元；Galaxy S24 Ultra提供了12+256GB、12+512GB和12+1TB三种存储组合，国行价格分别为10199元、11199元和13199元。

随着Galaxy Unpac即将到来，三星公布了Exynos 2400的更多细节信息。其CPU部分为1+2+3+4的四丛架构，包括1个超大核（Cortex-X4@3.20GHz）、2个高频大核（Cortex-A720@2.90GHz）、3个低频大核（Cortex-A720@2.60GHz）和4个小核（Cortex-A520@2.00GHz），总共配置有10个核心，频率和之前流出的信息有所不同。此外，Exynos 2400搭载了名为“17K MAC”的NPU。

Exynos 2400可以驱动4K@120Hz或QHD+@144Hz的显示屏，支持单个320MP摄像头，以8K@30fps录制视频，或者进行8K@60fps的解码。集成的5G基带能够提供12.1Gbps的下行速率和3.67Gbps的上行速率，支持Sub-6GHz，下行/上行速率达到9.64/2.55Gbps。

三星暂时还没有将3nm GAA工艺用于生产智能手机使用的SoC，这次Exynos 2400采用的是4LPP+工艺，与早期的4nm工艺相比，有着更高的能效表现，不过比起高通第三代骁龙8所采用的台积电（TSMC）N4P工艺，仍然有一定的差距。

三星表示，S65UC显示器面向工作、学习和娱乐应用场景，曲面与人的视线范围相符合，宽高比迎合了用户的视野，可以更好地利用屏幕空间，助力舒适使用，实现高效工作，拓宽创意领域。其采用了34英寸超宽曲面显示屏，曲率为1000R，10bit色深，显示比例为21:9，分辨率为WQHD（3440 x 1440），刷新率为100Hz，sRGB色域为113%，支持HDR10和AMD FreeSync技术，低闪屏功能减少了蓝光伤害，能够自适应亮度色温，并获得了TUV智能护眼认证。

S65UC显示器配备了两个HDMI接口和全功能USB-C接口（兼容DisplayPort Alt-Mode，PD 90W反向供电），另外还有LAN接口和音频插孔，并带有USB集线器功能，配置了USB 3.0接口，同时内置了扬声器，其内置了KVM功能，支持PBP/PIP分屏功能，双信号源输入后可通过系统中开启分屏或画中画功能，用户可通过一个屏幕进行更便捷的多任务处理。此外，还配备了人体工程学支架，可实现前后俯仰和水平旋转调节。

近日，三星官方介绍了旗下存储产品的开发和技术应用情况。其中谈到了正在开发一种新型存储器，称为“Low Latency Wide I/O（LLW）DRAM”，将高带宽、低延迟、低功耗的特性结合在一起。三星将新的内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，未来也可能出现在各种客户端工作负载中。

LLW DRAM作为一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。LLW DRAM另一个重要特性是1.2pJ/bit的超低功耗，不过三星没有告知该功耗下的具体数据传输速率。

事实上，三星并没有透露LLW DRAM太多的细节信息，尽管已经对宽接口内存技术（比如GDDR6W）探索了一段时间了。据了解，LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W，并采用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术将多个DRAM集成到一个封装中。

由于三星已公布技术的预期性能细节，根据过往经验，LLW DRAM很可能到了开发阶段的尾声。

虽然三星的SSD产品线更多地以990 PRO这样的高端型号而出门，不过990 EVO面向中端市场，为2280 M.2规格，重量约为9g，最大连续读写速度分为5000MB/s和4200MB/s，最大随机读写则分别为700K IOPS和800K IOPS。其采用了三星的V-NAND TLC，搭载了自研主控芯片，MTBF为1,500,000小时，支持三星魔术师固态硬盘管理软件。

990 EVO可以说是一款PCIe 5.0 SSD，不过只有2个通道，理论上带宽与PCIe 4.0的4个通道是一样的。按照一般的SSD，如果接口是PCIe 5.0 x2，那么插入到PCIe 4.0 x4规格的M.2插槽，同样也是2个通道，那么速度就会减半。不过990 EVO不一样，这时候能换成PCIe 4.0 x4去使用，不会出现降速。暂时还没有其他品牌的SSD采用这种设计，很奇怪三星为什么不简单地使用4个通道，或许是出于SSD在PCIe 5.0标准下功耗及散热的考虑。

暂时还不清楚990 EVO SSD的上市时间及具体定价，应该不会让消费者等待太久。

据ET News报道，三星正在开发智能感应系统（Smart Sensing System），旨在提高产量并改变半导体工厂的运营方式。该系统主要用于实时监控和分析生产过程，目前尝试自动处理等离子体的均匀性问题。由于半导体制造中蚀刻、沉积和清洁等过程的结果会明显受到等离子体均匀性的影响，对于精确测量和管理的要求很高

三星的最终目标是，在2030年之前使其晶圆厂完全实现自动化，成为无人半导体生产设施。实现这一目标需要开发能够管理大量数据并自动优化设备性能的系统，而智能感应系统是该计划的重要组成部分，能在工厂运转中发挥关键作用。三星已经为此投资了大笔资金，希望能够获得长期回报。此外，三星还选择与学术机构及合作伙伴寻求合作。

这些新型传感器的一个重要特点是尺寸很小，可以安装在现有的晶圆厂中，不需要额外的空间，对于洁净室来说是非常宝贵的。与过往严重依赖外国工具来实现先进半导体工艺不同，新型传感器都是在韩国设计和制造，这表明三星在开发智能感应系统上的一个重大转变，即一定程度减少对国外的依赖。

三星半导体部门在2023年最大的亏损来自于DRAM和NAND闪存供应过剩，为此在过去一年里，不断减少产量并为削减库存作出了巨大的努力。去年10月起，三星的策略开始收到了效果，市场价格出现了反弹，PC和智能手机的需求也推动了复苏。不得不提的是，三星还利用了人工智能（AI）的热潮大量出货HBM类产品，数据显示其全球市场占有率达到了47%左右。

虽然三星似乎已开始看到一丝曙光，但较高的库存仍然对后续的经营构成风险。有消息称，三星半导体存储器的库存达到了150亿美元，而且不少是过时的产品，可能最后不得不打折出售。当然，三星会继续执行削减NAND闪存产量的策略，以进一步提高定价。

Odyssey OLED G9（型号G95SD）采用了49英寸曲面OLED屏幕，分辨率为5120 × 1440（DQHD），刷新率为240Hz，响应时间（GtG）为0.03ms，支持AMD FreeSync Premium Pro，得到了VESA DisplayHDR TrueBlack 400认证。另外还支持三星智能电视、三星游戏中心和Core Lighting+，配备了两个HDMI 2.1接口和一个DP 1.4接口，并带有USB集线器功能。

Odyssey OLED G8（型号G80SD）采用了32英寸OLED屏幕，分辨率为3840 × 2160（UHD），其他规格上基本与G9一致。Odyssey OLED G6（型号G60SD）采用了27英寸OLED屏幕，分辨率为2560 × 1440（DQHD），刷新率为360Hz，其他规格上基本与G9一致。

以上显示器兼容VESA规格的支架安装，配备的可调支架支持升降高度、前后俯仰、水平旋转和垂直旋转操作。有些令人失望的是，这些新款OLED游戏显示器都没有配备DisplayPort 2.1接口，或许三星还在等今年晚些时候的更新设计。值得一提的是，三款新品均支持Core Lighting+，可以从显示器背面发出环境光，从而在玩游戏和看电影时获得更好的体验。

三星暂时没有提供新产品的定价，以及具体的上市时间。

昨天就有报道称，三星从2024年1月2日起，已经向媒体和其他相关人员发出官方邀请函，参加这次活动。

准备好，一起迎接Galaxy AI时代。

从您生活中重要的电子设备开始，释放全新的创造力，生产力和可能性。

这就是属于你的AI手机。

Galaxy AI，来了。

三星表示，革命性的移动体验即将到来，准备好发现一个充满可能性的新时代，利用最新的Galaxy创新技术，改变生活、联系和创造方式。这次全新的Galaxy S24系列将为迄今为止最智能的移动体验设定更高标准，届时将揭示最新的Galaxy创新，提供一种基于AI的全新移动体验。

Galaxy S24系列将重新启用双平台策略，届时将分别会有搭载Exynos 2400和第三代骁龙8的版本，前者将用于欧洲等特定地区，但不会出现在Galaxy S24 Ultra上。传闻Galaxy S24将坚持8GB内存的配置，Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra则是可选8GB和12GB，另外会带来一些令人兴奋的升级，比如Galaxy S24+会配备1440P屏幕、Galaxy S24 Ultra采用钛合金框架等。据称，新机型的定价与今年的产品差不多。

近日有网友透露，三星会从2024年1月2日起，向媒体和其他相关人员发出官方邀请函，参加三星在美国加利福利亚州圣何塞举办的“Galaxy Unpacked”活动，也就是Galaxy S24系列智能手机的发布会。

此前有报道称，客户可以在韩国首尔时间1月19日开始预订Galaxy S24系列，首批设备会在1月26日至1月30日发送。据称，Galaxy S24系列的定价与今年的Galaxy S23系列差不多。传闻Galaxy S24将坚持8GB内存的配置，Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra则是可选8GB和12GB，另外会带来一些令人兴奋的升级，比如Galaxy S24+会配备1440P屏幕、Galaxy S24 Ultra采用钛合金框架等。

Galaxy S24系列应该是三星首款带有人工智能（AI）功能的智能手机，配备了三星内部开发的人工智能技术。三星还可能将Bixby重新命名为Galaxy AI，三星已经公布了其首个人工智能应用，通话时音频和文本翻译将实时显示在手机屏幕上，有效提升了不同语言人士之间的交流效率与流畅度。

去年三星就在新发布的移动处理器Exynos 2400上，介绍了全新的Zoom Anyplace技术，其中便利用了人工智能技术。其使用自家的2亿像素图像传感器，在不影响图像质量的情况下，最高可拍摄4倍特写；同时在拍摄移动中的物体时，可缓解主体模糊的情况；另外可以自动实时跟踪和捕捉物体，以全屏方式进行录制，提供更丰富的细节。

三星并不是唯一有这方面想法的厂商，SK海力士在去年的活动里就透露，如何将人工智能芯片集成到影像传感器，从而减少延迟、提高图像质量、降低功耗，而且包括人脸和物体识别在内的许多功能正在测试当中。虽然SK海力士的影像传感器主要供应中低端智能手机，但是也想利用人工智能爆发的契机，争夺更多的市场份额。

短时间内，具备人工智能的图像传感器或许还不能起到多大作用，但确实看起来非常吸引，也会为产品增加新的卖点。

由于生成式人工智能（AI）、自动驾驶和内存数据库（In-Memory Database，IMDB）等新兴领域的数据吞吐量和内存需求呈指数级增长，对具有更大内存带宽和容量的系统的需求也在增加。CXL作为一种开放性的互联协议，拥有更高的带宽，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。作为下一代接口，与主DRAM一起使用的时候，可以扩大带宽和容量，满足计算市场高速数据处理的需求。

在最新的开发中，三星针对Red Hat Enterprise Linux（RHEL）9.3做了CXL内存的优化工作，并验证了在Red Hat的KVM和Podman环境下的内存识别、读写操作。这让数据中心客户可以轻松使用三星CXL内存，无需对现有硬件进行额外调整。三星和Red Hat还在合作编写“RHEL 9.3 CXL内存启用指南”，以帮助用户在该操作系统上使用三星的CXL内存，并在各种用户环境中构建高性能计算系统。

三星和Red Hat的合作始于2022年5月，双方签署了关于下一代存储器合作的谅解备忘录（MOU），并将通过三星存储器研究中心（SMRC）继续开发CXL开源和参考模型。目前双方合作的范围涵盖一系列存储和内存产品，包括NVMe SSD、CXL内存、计算内存/存储和结构。

Galaxy Book 3 Go整体尺寸为323.9 x 224.8 x 15.5 mm，重量为1.43kg，与Galaxy Book 2 Go搭载了相同的处理器，都是第三代骁龙7c+计算平台，采用6nm工艺制造，CPU配有4个Cortex-A78内核和4个Cortex-A55内核，另外还有Adreno GPU。其受益于FastConnect 6700移动连接系统，带来了更好的Wi-Fi 6/6E传输速度，支持蓝牙5.1，集成的骁龙X53 5G调制解调器及射频系统，可提供3.7 Gbps的连接速度。

Galaxy Book 3 Go采用了14英寸IPS屏，分辨率为FHD，还配有4GB的LPDRR4x内存，128GB的eUFS存储，一个MicroSD卡插槽，提供了两个USB Type-C接口、一个USB Type-A接口和一个3.5mm音频插孔，另外还有两个1.5W扬声器和720P网络摄像头。三星为Galaxy Book 3 Go配备了42.3Wh电池，提供了45W快速充电功能，充电30分钟即可持续8小时。

三星表示，Galaxy Book 3 Go专门针对学生设计，也可以作为办公人员辅助使用的笔记本电脑。新产品将于2023年1月2日起通过三星商店（包括线上和线下）和三大移动网络运营商（KT、LG Uplus和SKT）在韩国发售，售价为557,700韩元（约合人民币3078.5元）。

近日有网友表示，收到了来自三星供应链的爆料，Galaxy S24系列的128GB存储版本仅支持UFS 3.1标准，而不是其他同系列产品的UFS 4.0标准。这意味着三星为了贯彻执行成本控制策略，在下一代旗舰系列智能手机的读写速度上作出了妥协。

目前三星基于UFS 4.0标准的最新存储芯片搭配专有的主控时，顺序读取速度最高可达4200 MB/s，相比之前基于UFS 4.0标准的解决方案节能46%，且带宽提升了一倍。加上IOPS的提高，基于新标准的存储可以使手机有更快的响应速度，打开应用程序和其他任务变得更轻松。当然，普通用户可能很难注意这一点差异，传闻高通第三代骁龙8的定价比起第二代骁龙8更高，三星不得不在其他配置上选择妥协。

一些智能手机制造商宣传自家产品整合了一流的核心硬件时，也会同时选择其他一些零部件上缩水，比如图像传感器，以便于控制成本。像三星这样在存储解决方案上降低标准也是常见的手段，而且很多时候日常使用中没有明显差别，用户不一定能感觉到配置的差异。