图源： 三星Galaxy Unpacked发布会

三星是在今年2月的Galaxy Unpacked发布会上宣布与高通和谷歌合作的，然而他们也是没有公开更多的细节。有消息指三星的目标是与苹果相竞争，附带一提，当时Vision Pro尚未正式发布。

Quest 3的骁龙XR2 Gen 2其实表现已经不错了，但跟苹果Vision Pro相比的话肯定是差得远的。三星和LG的XR设备定位高端，若是要对标Vision Pro的话必然需要更强大的芯片。虽然Hugo Swart没有更进一步地说明，但这个“下一代XR芯片”也许是基于骁龙8 Gen 3，或者是骁龙X系列打造的，这两款芯片在刚刚过去的骁龙峰会2023上推出，前者是移动平台芯片，后者则适用于新一代的PC平台。

根据上述情况我们可以看出三星的4nm工艺已取得较大进步，因此我们也可以对三星下一代芯片Exynos 2400的表现持乐观态度。在此前的活动日中，三星就曾表示Exynos 2400将采用三星4nm LPP +工艺制造，CPU性能将提升70%。GPU部分采用RDNA3架构，图形性能与第三代骁龙8移动平台相当，支持光线追踪功能。在NPU部分优化了对非线性运算的支持，AI性能对比上代提升了14.7倍，而且三星宣称会针对手机功能来开发特定的AI工具。

此外，营业利润为2.43万亿韩元（约合人民币131.46亿元），低于去年同期为10.85万亿韩元，相比上一个季度的0.67万亿韩元增加了不少；毛利润为20.79万亿韩元（约合人民币1124.74亿元），低于去年同期的28.71万亿，不过高于上一个季度的18.36万亿韩元；净利润为5.84万亿韩元（约合人民币315.94亿元），高于上一季度的1.72万亿韩元，但低于去年同期的9.39万亿韩元。

三星表示，2023年第三季度业绩相比上一季度有所改善，主要得益于旗舰智能手机延续了销售的强势，同时半导体业务的亏损幅度也在减小，从第二季度的亏损4.36万亿韩元减少至本季度的3.75万亿韩元（约合人民币202.88亿元）。总体而言，DRAM和NAND的平均售价（ASP）与上一季度相比均出现不错的增长。

目前市场对人工智能（AI）技术的需求依旧强劲，三星计划继续扩大采用先进工艺的DDR5、LPDDR5X、UFS 4.0、以及HBM类高端技术产品的销售。尽管宏观经济环境仍然存在不确定性，不过随着年终促销、主要客户推出新款智能手机，消费端设备需求增加，三星认为存储芯片市场有望迎来复苏。

据相关媒体报道，三星已经将开发工作的重点放在了Exynos 2500，对即将到来的Exynos 2400没有抱太大的期望，引进GPU方面的人才主要也是在Exynos 2500发挥作用，而Exynos 2400只是一个过渡产物。三星在GPU方面下了不少功夫，Exynos 2500很可能采用基于RDNA 4架构的设计，虽然暂时还不清楚细节，但可以期待更好的光线追踪性能。

Exynos 2500另外一项重要的升级是支持速度更快的LPDDR5T内存，作为LPDDR5X基础上改进的产品，速率提升至9.6Gbps，是目前世界上最快的商业化移动DRAM。早些时候SK海力士宣布，其LPDDR5T已在高通第三代骁龙8移动平台上完成了性能及兼容性的验证，这意味着接下来会有智能手机制造商采用。

此外，三星打算转向3nm工艺，而Exynos 2500将是其首款3nm的SoC，或许希望通过GAA晶体管技术提升性能和改善能耗表现。高通同期将带来第四代骁龙8平台，引入自研的定制Oryon内核，预计会对三星造成不小的压力。

增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流，提高性能。更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，增强其开关能力和操作速度。此外，更多的纳米片可以更好地控制电流，这有助于减少泄漏电流，从而降低功耗。此外，改进的电流控制也意味着晶体管产生更少的热量，从而提高了功率效率。

三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。明年计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。

台积电计划在2025年量产N2（2nm）工艺，而英特尔则争取在2024年量产Intel 20A工艺，这两款工艺都将引入GAA架构晶体管设计。

在博文配图中我们可以看到，可备份数据包括：通话和联系人、信息、应用程序、主屏幕、设置、图片、视频、音频、文档和文件。

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目前国行三星手机尚未接收到One UI 6的系统更新推送，但根据@i冰宇宙消息，国行三星S23系列将不再推送One UI 6 beta版本，下一次将直接推送正式版。

事实上自2021年推出Gaming Hub后，三星就逐渐停止对Steam Link应用程序的维护工作，在过去这两年里，不少用户反映Steam Link应用程序不断出现问题，比如串流分辨率超过1080P的游戏时，应用程序就会卡死。据Sammobile报道，Steam Link应用程序将会在2023年11月30日以后停止在三星电视上提供服务，Valve也确认了这一消息。

玩家仍然可以在Apple TV和Android设备上使用Steam Link应用程序，其中也包括NVIDIA SHIELD或Amazon Fire TV等设备。目前三星正在扩大Game Hub的使用范围，除了智能电视还在部分显示器上提供，玩家可以用来访问Xbox Game Pass，另外还有Amazon Luna、Antstream Arcade、Blacknut、NVIDIA GeForce Now和Utomik等流媒体服务。

有玩家表示，既然Valve选择利用Steam Deck重新进入硬件领域，应该考虑推出一个新款Steam Link串流盒子，让玩家可以使用官方设备在显示器和电视上串流Steam游戏库，不必依赖于不可靠的应用程序。

Galaxy Tab A9+有着简约时尚的设计和光滑的金属机身，山岩灰、星系银和海浪蓝都是三星经典的配色，每种色调都彰显出轻松惬意的魅力。其整体尺寸为168.7mm x 257.1mm x 6.9mm，重量为480g；搭载了11英寸的LCD屏幕，分辨率为1920 x 1200，刷新率为90Hz；搭载高通骁龙695平台，采用6nm工艺制造，为2+6二丛架构，Cortex A78大核+Cortex A55小核，主频为2.2 GHz；后置800万像素镜头，支持自动对焦，前置500万像素镜头；支持最高1TB的microSD存储卡；配备了7040mAh电池，提供了约13小时的续航时间；配有四扬声器，支持杜比全景声。

三星为Galaxy Tab A9+提供了多任务分屏功能，最多同时打开三个窗口，以完成多项任务。用户还能将重要数据存储在安全文件夹中，并在隐私仪表板上监控设备的整体安全状态。另外可以使用S互传功能，轻松快捷地分享照片、视频和文件。

为了满足AI的性能需求，三星调整了Exynos 2400的NPU架构，优化了NPU芯片对非线性运算的支持，实现了“消除内存瓶颈”的目的。在MobileBERT基准测试性能中，它的AI性能是上代产品的三倍，而且互动中三星还宣布会推出了专为智能手机设计的AI工具。

虽然三星没有披露更多有关Exynos 2400的架构信息，但androidheadlines表示已经证实了这款SoC将使用1个Cortex-X4（3.1GHz）＋2个Cortex-A720（2.9GHz）＋3个Cortex-A720（2.6GHz）＋4个Cortex-A520（1.8GHz）的架构。而且此前有消息透露，Exynos 2400采用三星的4nm LPP +工艺制造，所以它与采用4nm LPP（Low Power Plus）制程工艺的SoC相比具有更好的能效表现。

在GPU方面，Exynos 2400配备了基于最新AMD RDNA940架构的Xclipse 940 GPU，此前就有消息曝出其性能要强于第二代骁龙8移动平台，在Sacred Path Vulkan 1.3基准测试中，Xclipse 940在1080P下获得了1656分，而第二代骁龙8移动平台的Adreno 740 平均分为1561。

Exynos 2400预计装配在明年的Galaxy S24系列智能手机，但三星并未透露是否打算将Exynos 2400出售给其他智能手机合作伙伴。

HBM3E每引脚速度为9.8GB/s，意味着总带宽超过了1.2TB/s。为了实现更高堆叠层数和改善热特性，三星优化了非导电膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙，最大限度地提高导热性。目前采用8层和12层堆叠方案的HBM3已经开始批量生产，HBM3E的样品也正在向客户发货。三星还打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势，提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务。

除了HBM3E外，本次发布会的其他重点产品还包括了业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、业界首款32Gbps GDDR7、以及能显著提升服务器应用存储能力的PB级别PBSSD。另外还展示了7.5Gbps的LPDDR5X CAMM21、9.6Gbps的LPDDR5X DRAM、专门用于设备上人工智能的LLW2 DRAM、下一代UFS、以及用于个人电脑的QLC SSD BM9C1。

据BusinessKorea消息称，同样作为存储大厂的三星也加快了第五代HBM3e“Shinebolt”的开发与销售进度，预计将紧随SK海力士之后。经初步测试，“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升，预计将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大数据传输速度为1.15TB/s）更快，同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。三星电子的HBM开发和生产速度目前仍落后于SK海力士，美光也已经向客户提供了性能相当的HBM3 Gen2的测试样品，不过三星电子正在制定战略，以夺回先进存储芯片生产的领先地位。

HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

三星决定升级西安工厂主要有两个原因。第一是NAND闪存市场没有出现复苏迹象，即便今年4月开始采取减产措施也没有明显改变，为了保持其在该领域的领导地位，选择升级工艺可以确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代V-NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。三星西安工厂作为采用第6代V-NAND技术的128层闪存产品的主要生产基地，开工率自然也大幅度下降。

美国的无限期豁免是另外一个原因，促使三星尽快升级生产设备。三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元，于2014年5月开始投产，并在2017年开始建造第二工厂，先后投资了150亿美元，于2022年3月全面投产。这是全球产能最高的NAND闪存工厂，占三星NAND闪存总产量的40%以上，占全球NAND闪存总产量的10%以上。

争夺CXL市场的核心自然就是DRAM，三星和SK海力士是全球第一和第二大存储器厂商，当然不会错过CXL这片“新蓝海”，目前都在积极开发CXL技术，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一不同信息处理设备直接的通信协议，简化了数据处理、减少了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有计算机标准里DRAM的物理可扩展性问题。

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，三星和SK海力士都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，都打算加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。