可以肯定的是，短期内这种情况都不会改变，预计2024年这一数字还会继续上升。传闻最新的第三代骁龙8比第二代骁龙8更贵，而且明年高通还会带来第四代骁龙8，配有融合了NUVIA技术的定制Oryon内核，高通高级副总裁兼手机业务总经理Chris Patrick此前已暗示，定价很可能会更高。

作为全球最大的智能手机制造商，三星如此依赖高通的高端SoC，显然会影响其利润率。近期有报道称，三星不打算升级Galaxy S24系列内存，仍只是8/12GB配置，不会提供16GB版本，原因是出于削减成本的考虑，或许也是出于这方面的考虑。

可以确信，三星会继续推进Exynos系列SoC的开发工作，这一点再怎么强调都不过分，毕竟可以节省数十亿美元的成本。如果三星不能找到合适的方法解决这个问题，将会面临恶性循环，同时消费者可能会对未来的Galaxy S系列产品失去兴趣，这也会降低三星的品牌价值。

预览var istart = 1; //通过编号生成，图片开始的编号，不强求连续，但尽量连续编号，小图+s，如1s； // var istart=['1','2','3','4','5','6']; //通过文件名生成，大图文件名，不含后缀，小图以s结尾 var ilast = 3; //结束图片的编号，如果是文件名生成，这个数字不用改 var tips = []; //图片说明，按顺序列，没有就空着 var iurl = "https://img.expreview.com/news/2023/12/01/sanxing/"; //图片目录 var col = 3; //列数，一排几张图，1 2 3 4可选 var nomore = 0; //大小图是否一样，1为一样，不需要s后缀的小图，用于列图片 var gap = 0; //图片间距修正，默认0 var bd = 0; //描边，0或1，默认0 var full = 0; //是否全屏，0 或 1 var pic = ".png"; //图片格式 WaterInit(pic, iurl, col, gap, bd, istart, ilast, full, tips, nomore);最近关于三星Galaxy S24 Ultra已有不少曝光信息流出，此前该机型的跑分数据已现身Geekbench数据库，根据详细页面我们可以看到该机型的CPU架构为1个3.30 GHz核心+3个3.15 GHz核心+2个2.96 GHz核心+2个2.27 GHz核心，可以确认该新机型的SoC将使用第三代骁龙8移动平台。最好的CPU跑分成绩为单核成绩2234，多核成绩6807，对比Galaxy S23 Ultra分别提升了15%和35%，而GPU跑分成绩则高达1713，对比上Galaxy S23 Ultra提升85%。此外我们可以在跑分页面看到该机型配备内存为8GB，结合Galaxy S23 Ultra的配置情况及此前我们报道的情况来看，三星Galaxy S24 Ultra大概率会坚持8GB及12GB两种内存规格版本。该机型运行的操作系统为Android 14。

关于影像配置部分，mysmartprice猜测三星Galaxy S24 Ultra将配备2亿像素的主摄像头、1200万像素的超广角镜头、1000万像素长焦镜头以及5000万像素的潜望式长焦镜头。续航充电方面将配备5000mAh电池，并支持45W快速充电。此外比较有趣的是mysmartprice称该机型还将配备钛金属中框。

至于Galaxy S24系列发布时间，此前有消息称三星计划在2024年1月17日于美国加利福利亚州圣何塞举办发布会。

过去一段时间里，SK海力士在DDR5的研发上投入非常大，不但引入了新的制造工艺，已经完成了现有DRAM中最为微细化的1bnm（第五代10nm级别）的技术研发，而且积极地与英特尔第四代至强可扩展处理器（代号Sapphire Rapids）进行兼容性验证。

SK海力士的努力也得到了回报，过去数月里服务器DRAM市场份额节节攀升。此外，SK海力士在HBM产品上也处于领先位置，很大程度缩小了与三星在DRAM整体市场份额之间的差距。目前三星以39.4%的市场占有率排在DRAM市场的第一名，SK海力士以35%的市场占有率紧随其后。

据TrendForce报道，由于三星对明年3nm产能扩张计划趋于保守，加上良品率并不稳定，高通已正式取消了第四代骁龙8采用三星代工的计划，双代工厂策略将推迟至2025年，未来一年仍完全依赖台积电。

三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA）工艺，这是其首次引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。明年三星将带来SF3（3GAP），这是其第二代3nm工艺技术，使用了“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做了进一步的优化，高通原本有望成为首个采用新工艺的客户。

目前台积电3nm月产能大概在每月6至7万片晶圆，预计明年底会提升至每月10万片晶圆，对营收的贡献率也由5%提高至10%。

mysmartprice的文章详解介绍到，被三星上调售价的产品大部分为3200万像素以上的图像传感器，因为这些传感器的制造过程比较复杂。但是在目前的智能手机市场中，大多数旗舰智能手机都使用5000万像素以上的相机传感器，所以它们很容易受到三星这次上调售价政策的影响，而又因为图像传感器几乎是智能手机内最贵的零部件，所以三星此举会让大部分手机厂商增加生产成本，最终导致影像旗舰手机的零售价也需上涨。此外mysmartprice还提到，若智能手机市场趋势真如上述情况般变化，那么三星Galaxy S24 Ultra极有可能被赋予更昂贵的零售价。

不过值得庆幸的是三星并不是智能手机图像传感器的唯一制造商。三星在该领域的竞争对手索尼和Omnivision（豪威科技）尚未对其手机图像传感器产品进行涨价。虽然三星的手机图像传感器性能很强，但2022-2023年大部分影像旗舰手机都采用索尼的手机图像传感器。不过也不能排除三星此次涨价政策会刺激索尼和Omnivision（豪威科技）也跟着一起涨价的可能性。

据Notebookcheck报道，明年初即将到来的Galaxy S24系列同样也有三款机型，分别是Galaxy S24、Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra，虽然会带来一些令人兴奋的升级，比如Galaxy S24+会配备1440P屏幕、Galaxy S24 Ultra采用钛合金框架等，但某些方面可能会让人失望，相信内存配置就是其中一项。

据了解，三星在Galaxy S24将坚持8GB内存的配置，Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra则是可选8GB和12GB，这一点在之前Geekbench泄露的信息里已得到证实。作为其中定位最高的一款产品，Galaxy S24 Ultra没有提供16GB版本令人费解，传闻三星曾有16GB版本的原型机，不过出于削减成本的考虑，最后被放弃了。

相信许多人都会认为，Galaxy S24系列的内存配置实在太低了，这将大大限制其在设备上执行人工智能（AI）任务的能力，毕竟这些应用程序相当消耗内存容量，而人工智能恰恰是三星在Galaxy S24系列上的营销重点。其他安卓智能手机品牌已开始在自己旗舰机型上提供24GB内存，这更不利于三星对新机型进行宣传。

据Android Authority报道，已收到三星官方的声明，否认了这种说法。

关于重新命名品牌的传言并不属实。仅供参考，上述品牌名称“Dream - ed”只是一个内部项目名称。

这意味着三星不会将Exynos系列更名为“Dream Chip”或者“Dream”，这些名称有可能是别的东西，比如其他的项目名称。至少在声明里，三星承认了存在名为“Dream”的项目。

自2011年搭载Exynos 4210的Galaxy S2发布以来，三星一直使用Exynos作为旗舰处理器的品牌。可惜的是，过去几年里Exynos系列在高端领域并没有取得三星所期望的成绩，可以说是接连受挫。现在三星寄望于即将上市的Exynos 2400可以改变现状，搭载于明年第一季度推出的Galaxy S24系列，重新将其带回到高端SoC市场。

此外，传闻Exynos 2500正在开发当中，是三星“Dream Team”设计的芯片，将配备四个Cortex-X5内核、两个Cortex-A730内核和四个Cortex-A520内核，并搭配了采用AMD技术定制的GPU，而且芯片已经在测试当中。

在科技行业里，重新打造命名体系并不是什么新鲜事，比如三星主要的竞争对手高通，之前就将高端移动SoC改成了“第x代骁龙8移动平台”，取代了以往“骁龙8xx”的命名方式。这意味着三星未来推出的SoC将被称为“Dream Chip”，而不是Exynos，或许还会加入数字。暂时也不清楚有关“Dream Chip”的具体细节，考虑到三星的决心，或许会出现许多变化。

传闻Exynos 2500正在开发当中，是三星“Dream Team”设计的芯片，将配备四个Cortex-X5内核、两个Cortex-A730内核和四个Cortex-A520内核，并搭配了采用AMD技术定制的GPU，而且芯片已经在测试当中。三星迫切需要一款标志性的高性能移动SoC，通过一场胜利，重新树立信心，也许Exynos 2500有机会成为首款“Dream Chip”产品。

三星认为，由于人工智能（AI）的蓬勃发展，汽车市场存在巨大的机遇，相关的半导体市场规模将达到500亿美元，预计未来五年内的年均增长率将达到17%，超过了移动领域的6%和高性能计算（HPC）的12%，而三星本身就是存储器市场的领导者，拥有完善且齐全的解决方案，比起其他厂商更有优势。

为了满足汽车行业对于人工智能的计算需求，三星计划推出LPDDR5X的新版本，采用FBGA-561封装，尺寸只有原来产品的一半，能效却提高了20%，升级后芯片容量从2GB至24GB，每通道速率为8.5Gbps，速度最高可达68GB/s；明年三星还会有可插拔AutoSSD，容量为512GB至4TB，速度最高可达6.5GB/s；2025年三星会带来下一代GDDR7，容量为2GB至4GB，每通道速率为32Gbps，速度最高可达128GB/s，可满足L4级别自动驾驶商业化的要求。

至于"AI Phone"和"AI Smartphone"商标，根据Sammobile报道，由于这两个商标是通用名称，三星大概率不能获得这些商标。不过，我们从它申请商标的行为不难看出，三星正在探索有效地营销Galaxy S24系列的方法，并在新的旗舰机型上加入了人工智能的相关功能。

在Exynos 2400发布会上，三星已经通过Exynos 2400开发版演示了人工智能创建文本和图像转换功能。而且目前有第三代骁龙8移动平台的加持，LLM（大型语言模型）已经可以在移动设备上运行，上述情况都表明了在硬件方面三星已经具备在手机中添加AI功能的能力。

至于Galaxy S24系列发布时间，此前有消息称三星计划在2024年1月17日于美国加利福利亚州圣何塞举办发布会。在选址方面，三星还曾考虑过旧金山（美国）和首尔（韩国），不过最终敲定了圣何塞。这与过往的情况有些许不同，三星大多会选择在2月份举办新一代旗舰Galaxy S系列的发布会，而且过去Galaxy Unpacked活动的地点一般会选在纽约。

@DavidMa05368498

此前据知名三星产品爆料人@i冰宇宙的透露，三星可能会在S24 Ultra上面取消倍受好评的10倍光学变焦，也就是很可能无法成为演唱会神器了，虽说现在有不少厂商弄了3倍或5倍光学经过裁剪+AI改善的10倍拍摄方案，出来的效果也还OK，但相比真正物理上的10倍光学变焦，相信还是让不少粉丝用户有所顾虑，不知道三星能不能做到软件神优化了。

有传闻报道三星会在明年1月17日举行Galaxy S24系列的新机发布，国行版应该还会更晚一些发布，而且明年二月中旬是我们的农历春节假期，所以推测大家可能还要到2月底和3月初才能买到新一代小众机皇。

烧屏意思是指显示器长时间显示某个静止的图像画面，留下残影的现象，而“屏幕元素偏移”功能可以通过轻微移动状态栏图标、小部件、应用图标等常驻显示元素的位置，以达到防烧屏的作用，用户在使用过程当中由于经常切换页面是非常难察觉到的这些细微的变化。在过去的One UI 5及更早版本的系统当中都拥有该功能。不过，国行版本的One UI 6原本的推送时间是在10月底，由于某些原因改为了11月底，有可能与此相关。

国外网友提供了一个简单的方法供大家检查“屏幕元素偏移”功能是否正常运行：

首先在状态栏可见的位置截取屏幕截图

将屏幕旋转为横向，然后旋转回纵向（重复该动作 5 次，以便元素偏移距离较为明显的像素位置）

在Samsung Gallery中打开屏幕截图

与屏幕截图重叠的状态（和导航）栏应该是可见的，并且能够注意到状态栏元素的位置稍有移动。若“屏幕元素偏移”功能缺失，位置则是不变的。

之前有传言称，高通的第四代骁龙8可能采用双代工厂策略，同时采用台积电的N3E工艺和三星的SF3E（3GAE）工艺。不过据ctee报道，目前高通和联发科都计划采用台积电第二代3nm工艺（N3E），制造第四代骁龙8和天玑9400的芯片，并没有所谓的双源计划。相比于苹果A17 Pro所采用的第一代3nm工艺（N3B），性能和能效都会有所改进。

三星在2022年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，传闻比起台积电3nm所使用的FinFET技术更为节能。虽然三星的新一代先进工艺已推出一年多了，不过一直都没有获得大客户的大批量订单。反倒是4nm工艺，随着三星逐步解决了一系列问题，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率提升至接近台积电的水平，似乎已得到了AMD等厂商的认可，获得了新的订单。

目前台积电3nm产量已开始拉升，预计明年末每月产能将达到10万片晶圆，收入占比也会从现在的5%上升至10%。三星计划明年带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，而Exynos 2500可能是首款采用新工艺的高性能芯片。