• 第三代骁龙8移动平台三星Galaxy定制版GPU频率曝光 : 频率达到1000MHz

    冼廷斌 发布于2023-11-03 10:27 / 关键字: 三星, 第三代骁龙8移动平台, Exynos 2400

    此前三星高管曾自信地表示,Exynos 2400的GPU Xclipse 920在性能方面将超越第三代骁龙8移动平台三星Galaxy定制版,但前段时间已有消息曝出后者在Geekbench的Vulkan测试中得分更高。昨日数码博主@Ice Universe在X平台上曝出了第三代骁龙8移动平台三星Galaxy定制版的GPU频率为1000MHz。

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  • 高通计划推出新的XR芯片,将驱动三星和LG的高端XR设备

    易铭恩 发布于2023-11-03 10:21 / 关键字: 高通, 三星, LG, 骁龙

    高通最新的XR芯片是骁龙XR2 Gen 2,被用在了Meta最新的XR设备Quest 3上。该芯片基于骁龙8 Gen 2打造,GPU性能是上一代芯片骁龙XR2 Gen 1的两倍,提升可谓十分明显。不过,这还不是高通的极限,援引MIXED的消息,高通XR部门副总裁兼总经理Hugo Swart在Electronic Times的访谈中透露,他们将会在2024年的第一季度推出下一代XR芯片,并将会装备在三星和LG的高端头显中。

    不过Hugo Swart并没有说明设备的细节,“我不能透露具体的信息,但我们正在和三星及LG合作。LG在很多领域都有着专长。我们正在涉及头显领域,而三星自从宣布跟高通和谷歌合作以来也取得了很多进展。”

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  • 新款Exynos 2200有进步 , 博主实测三星Galaxy S23 FE性能优于Galaxy S22

    冼廷斌 发布于2023-11-02 12:01 / 关键字: 三星, 安卓, Exynos 2200

    目前三星Galaxy S23 FE已正式发售,除搭载第一代骁龙8移动平台的版本外,该机型在部分地区搭载的SoC为Exynos 2200。但因为设计缺陷问题,搭载在Galaxy S22身上的Exynos 2200在功耗及发热量方面表现并不理想,因此部分消费者并不看好Exynos 2200版本的三星Galaxy S23 FE。

    最近一位韩国博主对Exynos 2200版本的Galaxy S23 FE进行性能实测,并且将测试结果与搭载同款SoC的Galaxy S22进行比较,比较意外的是Galaxy S23 FE的Exynos 2200性能明显优于旧款,性能表现与第一代骁龙8移动平台相当。视频中我们可以看到,无论是Wild Life Extreme压力测试还是Geekbench跑分环节,Galaxy S23 FE的表现都要全面优于Galaxy S22,在详细数据中也可以看到运行同样的时间后Galaxy S23 FE的SoC频率要高于Galaxy S22,这代表着新款的Exynos 2200性能更强,而且在能效测试结果中新款Exynos 2200表现更好。

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  • 三星公布2023年第三季度财报:业绩有所改善,预计存储芯片市场迎来复苏

    吕嘉俭 发布于2023-10-31 20:40 / 关键字: 三星, Samsung

    三星今天公布了2023年第三季度财报,显示营收为67.40万亿韩元(约合人民币3646.34亿元),低于去年同期为76.78万亿韩元,以及低于市场预期的67.62万亿韩元,同比下降12.22%,不过高于上一个季度的60.01万亿韩元,环比增加12.31%。

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  • 传三星Exynos 2500将采用RDNA 4架构GPU,支持速度更快的LPDDR5T内存

    吕嘉俭 发布于2023-10-31 16:59 / 关键字: 三星, AMD, Exynos

    此前就有报道称,三星正在开发Exynos 2500,将搭配AMD技术定制的GPU,不过没有提及具体的规格。传闻Exynos 2500是三星“Dream Team”设计的芯片,将配备四个Cortex-X5内核、两个Cortex-A730内核和四个Cortex-A520内核,而且已经在测试当中。

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  • 三星透露1.4nm工艺细节:将增加纳米片数量

    吕嘉俭 发布于2023-10-31 10:14 / 关键字: 三星, Samsung

    去年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上,公布了未来的技术路线图,其中SF1.4(1.4nm级别)工艺预计会在2027年量产,同时还会加速2.5D/3D异构集成封装技术的开发,为代工服务提供整体系统解决方案。

    据DigiTimes报道,近日三星代工副总裁Jeong Gi-Tae在接受媒体采访时透露,正在开发中的SF1.4工艺技术会将纳米片的数量从3个增加到4个,有望显著改善性能和功耗的表现。

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  • 三星One UI 6将提供云备份服务 , 但微信聊天记录不能使用

    冼廷斌 发布于2023-10-30 11:23 / 关键字: 三星, One UI 6, 云服务

    根据数码博主@i冰宇宙爆料,三星将在One UI 6正式版中提供的免费云备份服务。任何地区(包含国内)的One UI 6用户可将无限量的数据备份到三星云,有效期长达30天,亦可通过此功能恢复手机数据,30天内不收取任何费用。

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  • 三星电视的Steam Link应用将停止服务:计划2023年12月1日关闭

    吕嘉俭 发布于2023-10-24 14:41 / 关键字: 三星, Samsung, Steam

    Valve在2015年推出了Steam Link串流盒子,让玩家可以将PC游戏串流到显示上玩,该产品于2018年停产,转而通过应用程序的方式提供。三星在2017年将Steam Link应用程序带到了旗下的智能电视上,并负责相关的维护工作,不过随着注意力转移到Tizen平台提供的Gaming Hub,三星就不再新款智能电视上提供Steam Link应用程序了。

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  • 三星Galaxy Tab A9+平板国行版开启预约抢购:三种配色可选,1399元起

    吕嘉俭 发布于2023-10-24 14:27 / 关键字: 三星, Samsung

    近期三星推出了新款Galaxy Tab A9+平板电脑,目前新产品已登陆电商平台,开启了预约抢购,并提供了预购礼遇:一是权益2选1,赠价值199元的三星移动电源+12期免息分期或至高300元换新补贴;二是晒单赢30元京豆。

    Galaxy Tab A9+平板电脑提供了山岩灰、星系银和海浪蓝三种配色,可选4+64G/WLAN8+128G/WLAN8+128G/5G版本,对应的价格分别是1399元、1699元和2099元,厂家提供了一年质保。

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  • Exynos 2400性能提升明显 : CPU性能提升70% , AI性能提升14.7倍

    冼廷斌 发布于2023-10-24 11:12 / 关键字: Exynos 2400, 三星, SoC

    根据androidheadlines消息称,在2023年三星系统LSI技术日活动中,三星利用Exynos 2400在现场演示了光线追踪功能以及部分AI功能。根据三星官方的说法,这款SoC相比Exynos 2200芯片在性能方面有了显著进步,CPU整体性能对比上代提升了70%,AI性能对比上代提升了14.7倍。

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  • 三星推出HBM3E“Shinebolt”:面向下一代人工智能应用

    吕嘉俭 发布于2023-10-23 10:49 / 关键字: 三星, Samsung, HBM

    近日,三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动,展示了一系列引领超大规模人工智能(AI)时代的创新技术和产品,包括HBM3E“Shinebolt”、LPDDR5X CAMM2和可拆卸的AutoSSD,以加速包括云端、边缘设备和汽车未来应用的技术进步。

    三星宣布,推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM,面向下一代人工智能应用,提高总拥有成本(TCO),并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

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  • 三星正在开发业界首款5nm车用eMRAM,计划2027年量产

    吕嘉俭 发布于2023-10-20 14:06 / 关键字: 三星, Samsung

    近日,三星在德国慕尼黑举行的2023年欧洲三星代工论坛(SFF)上,公布并介绍了其汽车工艺解决方案。

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  • 三星正在积极推进第五代HBM3e:传输速度比海力士更快,高达1.228 TB/s

    郑滔 发布于2023-10-19 10:12 / 关键字: 三星, HBM3

    近期,由于人工智能(AI)需求激增,市场需要性能更强大的解决方案,英伟达已经决定将下一代Blackwell架构GB100 GPU的发布时间从2024年第四季度提前到2024年第二季度末。同时英伟达已经与SK海力士达成协议,选择在新一代B100计算卡上采用后者面向人工智能的超高性能DRAM新产品HBM3E。

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  • 三星确认明年带来第9代V-NAND技术:沿用双堆栈架构,将超过300层

    吕嘉俭 发布于2023-10-19 09:38 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    作为全球最大的NAND闪存供应商,三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日,三星分享了最新的V-NAND技术开发情况,重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数。

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  • 三星西安工厂计划升级设备,为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备

    吕嘉俭 发布于2023-10-16 12:18 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    近日,存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免,不需要特别的许可批准,即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂,另外在苏州还有封装设施。

    据Business Korea报道,三星已经决定对西安工厂进行升级,并开始大规模扩张,首先将过渡到200层的NAND工艺。为了应对过渡计划,目前三星已采购了一批新的设备,预计今年年底就能交付。同时三星计划明年陆续引进新的生产设备,为生产采用第8代V-NAND技术的236层闪存产品做好准备。

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