SOC方面三星Galaxy Tab A9采用OnePlus Pad Go同款的联发科Helio G99，而Galaxy Tab A9+则采用高通骁龙695 5G，两款处理器理论性能较为接近，核心数均为8核，且CPU最高频率均为2.2GHz，但它们在性能方面均落后于Galaxy Tab S9 FE的Exynos 1380。操作系统方面两款平板均搭载Android 13，预计运行的是One UI 5.1。

屏幕方面两款产品均为LCD，三星Galaxy Tab A9采用了分辨率为1,340 x 800的8.7英寸的屏幕，而三星Galaxy Tab A9+则是1,920 x 1,200的11寸屏幕，且刷新率为90Hz。

内存及存储规格方面三星Galaxy Tab A9仅提供4GB＋64GB版本，而Galaxy Tab A9+则有4GB＋64GB及8GB＋128GB两个版本可供选择，从内存配置上也不难看出它们的入门级产品定位。

根据WinFuture报道，目前三星Galaxy Tab A9已在危地马拉和阿联酋发售，价格分别为1,499 加元和699阿联酋迪拉姆（两地售价均约合人民币1400元），且三星也将很快在欧洲推出Galaxy Tab A9。而Galaxy Tab A9 Plus的具体发售日期则暂时未知，售价方面根据爆料其仅Wi-Fi版本起售价为220欧元（约合人民币1700元），而5G版本则高达260欧元（约合人民币2000元）。

Exynos 2400的CPU部分为1+2+3+4的四丛架构，包括1个超大核（Cortex-X4@3.10GHz）、2个高频大核（Cortex-A720@2.90GHz）、3个低频大核（Cortex-A720@2.60GHz）和4个小核（Cortex-A520@1.80GHz），总共配置有10个核心。由于Exynos 2400的CPU将过渡到最新的Arm V9.2内核，意味着仅支持64位，高通接下来的第三代骁龙8平台也将采取同样的策略。

Exynos 2400的GPU部分采用Xclipse 940，以RDNA 3架构为基础。三星还在System LSI Tech Day 2023活动现场做了演示，通过光线追踪技术（包括全局照明、更准确的反射和阴影渲染）增强了游戏的真实感，同时大幅度改进了光线追踪的性能。不过三星并未给出Xclipse 940的具体规格，传闻其配备6个WGP、12个CU，相比Exynos 2200采用的Xclipse 920（3个CU）规模翻倍。根据泄露的测试信息，Exynos 2400的GPU性能不如第二代骁龙8平台配备的Adreno 740，不过三星还有时间做一些优化工作。

三星还为即将推出的智能手机设计了新款人工智能工具，并使用Exynos 2400做了演示，实现在本地通过文本生成图片。此外，Exynos 2400还支持双向卫星通信功能，兼容 NB-IoT（窄带物联网）和 NTN（非地面网络）技术，三星与Skylo Technologies共同展示了该功能的视频，这意味着新一代Galaxy S24系列也会有双向卫星通信功能。

明年第一季度三星将推出Galaxy S24系列，有传言称，三星计划在部分地区的Galaxy S24和Galaxy S24+机型中使用Exynos 2400，而Galaxy 24 Ultra预计将搭载高通第三代骁龙8平台。

据ChosunBiz报道，虽然三星和台积电都已量产了3nm工艺，不过两者都遇到了良品率方面的问题，都正在努力提高良品率及产量。三星在3nm工艺上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶体管技术，而台积电沿用了原有的FinFET晶体管技术，无论如何取舍和选择，似乎都没有逃过同一个难题，在新的制程节点都没有达到预期的良品率。

按照台积电的规划，在3nm制程节点上至少有5个不同的工艺，其中2个可以投产，接下来还会有N3P、N3X和N3AE。相比之下三星规划的工艺数量更少一些，只有3个，且仅有1个投产，就是目前称为3GAE的工艺，未来还会有3GAP和3GAP+。

据了解，目前三星和台积电在3nm工艺上的良品率分别为60%和50%，距离70%的及格线显然还差不少。从纸面数据来看，三星的良品率更高一些，但其基于的数字局限于某款加密货币所使用的专用芯片上，显然缺乏说服力。有业内人士表示，三星实际的良品率可能还不到50%，想要吸引大客户至少要达到70%以上。

三星表示，T9固态硬盘身材小巧、性能强劲、耐用可靠，可为专业人士提高工作效率，主要特点包括：是三星首款采用USB 3.2 Gen2x2接口的移动固态硬盘，顺序读取/写入速度高达2000MB/s，提高用户工作效率；兼容Windows、macOS、Android系统手机和平板电脑，另外还有游戏机和12K相机；具备高达3米的抗跌落能力。

由于重量仅为122克，加上采用了点状防滑表面处理，T9固态硬盘握感舒适且防止滑落，方便用户随身携带。T9固态硬盘还配备了三星的动态散热防护装置，尽可能地减少因过热导致的性能下降，保持快速的传输速度。此外，T9固态硬盘的设计符合国际安全标准IEC 62368-1，同时还可以使用AES 256位加密密码进行安全保护。

在核心配置方面，两款平板均搭载了Exynos的八核中端处理器，性能上与旗舰产品Tab S9搭载的第二代骁龙8移动平台有较大差距。内存及存储空间方面Galaxy Tab S9 FE可选择6 GB+128 GB和8 GB+256 GB两个版本，而Galaxy Tab S9 FE Plus则升级为8 GB＋128 GB和12 GB＋256GB，所有型号均支持MicroSD卡扩容功能，最大扩容空间为1TB。

在屏幕方面，Galaxy Tab S9 FE尺寸为10.9 英寸，分辨率为2304 x 1440，而Plus版本则是12.4 英寸和2560 x 1600的分辨率，但据说Galaxy Tab S9 FE不支持三星S Pen。

影像配置方面这两款平板电脑都配备了800万像素的主摄像头和1200万像素的前摄，Galaxy Tab S9 FE Plus则会多一个1200万的超广角摄像头，它们的视频录制规格最高均为4K 30帧。在电池容量方面Galaxy Tab S9 FE Plus为10090mAh，而较小的Galaxy Tab S9 FE则是8000mAh。通讯方面两款屏平板都支持蓝牙5.3和WiFi 6，不过它们均不支持NFC。值得注意的是三星对这两款平板电脑都进行了IP68认证。

目前这两款平板的欧版售价已曝光，Galaxy Tab S9 FE为529欧元起售，而Tab S9 FE PLUS则需要699欧元起售，均有5G网络功能可选购，但价格会比普通版贵100欧元，配色上有灰色、薄荷色、银色和薰衣草色可选择。

过去很长时间里，不少台式机和笔记本电脑通常都是使用LPDDR内存或基于DDR的SO-DIMM。虽然LPDDR结构很紧凑，但封装在主板上，让维修或升级都很困难。另一方面，SO-DIMM的设计很容易更换，不过性能和体积等方面都受到限制。LPCAMM克服了两者的缺点，满足了更高效、更紧凑的要求，同时作为可拆卸模块，提高了PC制造商的灵活性。

LPCAMM的省电特性或许在服务器上变得有吸引力，理论上可以提高总体拥有成本（TCO）的效率，在未来的数据中心和服务器解决方案中有着巨大的潜力。三星内存产品规划组执行副总裁Yongcheol Bae称，随着对高性能、低功耗和制造灵活性等创新内存解决方案的需求不断增长，LPCAMM有望得到广泛应用，三星也会与业界合作探索更多可能。

三星年内将与主要客户一起使用下一代系统进行测试，并计划在2024年实现商业化，

在GPU方面目前有传言猜测三星将在Exynos 1480使用AMD的GPU架构，毕竟日前就有推特博主Reveguns曝料过三星将扩大AMD RDNA GPU架构的应用范围，并且计划明年应用在中端的芯片上（Exynos 1480/1430）。但据说三星选择AMD GPU架构的原因是看重其IPS的性能，因此三星的下一代影像技术可能会更强，而游戏爱好者们则可能要稍稍降低对三星中端机的期待了。

曝料者还指出三星Galaxy A55在主摄上将继续使用5000万像素的传感器，但目前尚不清楚是否为三星Galaxy A54同款的1/1.56英寸传感器。不过在相机升级这一方面曝料者推测三星会更着重提升软件层面的优化，因此三星Galaxy A55的影像技术进步可能会更依赖于相机软件和拍照算法的升级。

另外各媒体猜测三星Galaxy A55在屏幕素质和大小尺寸方面不太可能会有重大升级或者改变，作为参考对比项的三星Galaxy A54采用的是一块6.4英寸的AMOLED屏幕。

若三星保持以往发布Galaxy A系列机型的节奏不变，那么Galaxy A55将发售于2024年第一季度。

三星此前已经在Galaxy S24和Galaxy S24+两款机型里测试Exynos 2400，现在似乎对这款芯片越来越有信心。这或许与其4nm工艺良品率的改善有关，传闻过去几个月里已提升至75%，与台积电4nm工艺的80%良品率已经很接近了。目前移动AP约占智能手机生产成本的20%，如果采用的半导体工艺越先进，占比可能就会越高。从成本和利润考虑，无论台积电还是三星的4nm工艺都比A17 Pro所用的3nm工艺更有优势。

三星现在看起来非常看好明年Galaxy S24系列的销售前景，即便最近消费电子产品市场需求依旧处于低迷，但仍然决定提高Galaxy S24系列的产量，比起Galaxy S23系列提高了10%左右。三星为了牵制苹果，明年可能会更早地推出Galaxy S24系列，从2月份提前至1月份。

三星Galaxy S23 FE其实也不是第一次出现在大众视野，之前就有媒体曝出它的部分配置规格、配色及外观等消息。不过这次根据Google Play 控制台的信息我们可以确认三星Galaxy S23 FE将发售两个版本，它们之间唯一的区别是在SOC方面分别搭载了第一代骁龙8移动平台（代号 SM-S771U1）和 Exynos 2200（SM-S771B）。

在其他配置方面，三星Galaxy S23 FE将运行Android 13系统，内存为8GB，配备一块6.4英寸的AMOLED屏幕，分辨率为1,080 x 2,340，刷新率最高支持120Hz，而在续航充电方面该机型搭载4500mAh电池及25W有线充电。在相机配置方面，该机型使用了主摄＋长焦＋超广的三摄方案，主摄像素为5000万像素并配有OIS光学防抖，长焦像素为1200W，而超广像素则是800W，在外观设计方面三星Galaxy S23 FE摄像头排列方式跟Galaxy S23保持一直，为垂直排列式布局。

目前暂不确定三星对该机型两个不同版本的销售安排。在以往的销售策略中，三星手机的骁龙SOC版本将会在美国/中国地区发售，而在其他地区则发售Exynos SOC版本 。不过无论是第一代骁龙8移动平台还是Exynos 2200都有较为严重的发热情况，加上三星一直较为保守的性能调度策略，该机型两个版本的性能表现都不容乐观。

此前就有报道称，有多个客户对三星3nm GAA工艺产生兴趣，用在未来的产品中，包括了英伟达（GPU）、高通（SoC）、IBM（CPU）和百度（云端服务器的AI芯片），这些企业过去都和三星有合作，相互之间都比较熟悉。传闻名单上应该有六间芯片设计公司，不过即便有意向也不会马上生产。

有业内人士表示，一些公司正在试图减少对台积电的依赖，以寻求自身半导体供应链的多样化。三星也希望能够尽快得到3nm芯片订单，毕竟研发先进的半导体技术所需要的成本非常高，如果没有稳定的收入，很难回收开发成本。

华硕其实很早就进入手机领域，可追溯到2003年，不过从未成为行业的主要领导者。根据统计数据，华硕的ROG品牌和Zenfone系列产品线在2023年的销售预计只有60万台左右，与此形成鲜明对比的是，三星在2022年就售出了多达2.6亿多台智能手机。虽然两者的市场体量差距很大，不过华硕仍然决定向三星发起法律挑战，这也凸显了其对自己专利技术的信心。

比较麻烦的是，这种涉及标准专利的诉讼一般要需要数年的时间，即便最后法院判决要求三星向华硕支付相关费用，对于华硕智能手机业务的收益来说都是杯水车薪，没有太大的帮助。另外一方面，双方接下来可能还会就交叉许可协议进行谈判，不过这一过程很可能也要等上好几年。

这也是DRAM芯片和NAND闪存制造商过去常见的做法，人为限制产能输出，从而遏制价格下跌，弥补亏损缺口。美光和SK海力士在更早之前就已经这么做了，只是三星一向奉行“逆周期”的战略，最后迫不得已才选择减产。

NAND闪存的合约价已经在8月反弹，随着减产幅度扩大，客户备货力道有望回升，这将带动9月的合约价继续上涨。如果涨势想延续到2024年，仅仅依靠减产是不足够的，企业SSD采购订单是否大幅度回补才是关键。由于市场前景仍不明朗，NAND闪存制造商还需要更为谨慎地控制产能，才能让市场供需回到合理的平衡点。

Galaxy S23系列的口碑和销量都不错，特别是Galaxy S23 Ultra的热销，或多或少提升了三星的信心，对明年的Galaxy S24系列有了更多的期待。根据市场调查机构的数据，Galaxy S23系列在上市后的六个月里卖出了1860万台，相比Galaxy S22系列相同时间内的1510万台提高了23%。

据了解，今年三星计划从11月开始就批量生产Galaxy S24系列的零部件，比去年Galaxy S23系列提早了一个月。有分析认为，三星一方面为了确保有稳定的库存，另一方面可能是为了牵制苹果，更早地推出新品。

有传言称，Galaxy S24系列会提高内存配置，其中Galaxy S24和Galaxy S24+将配备12GB内存，而Galaxy S24 Ultra将达到16GB内存。此外，传闻三星打算重启双平台策略，正在Galaxy S24和Galaxy S24+两款机型里测试Exynos 2400，未来在东南亚地区销售的对应机型里，将放弃采用高通的第三代骁龙8平台。

一般来说，传统的半导体封装生产线需要大量的人力，但三星通过利用晶圆传送装置、升降机和传送带等传输设备实现了完全自动化，从而大幅减少了封装过程中的等待和移动时间，极大提高了生产效率，原来在封装生产线的操作人员现在被分配到生产线外的综合控制中心，负责管理设备和检查异常情况。凭借先进的生产技术，三星电子这条自动化的封装产线的制造人力减少了85%，设备故障发生率降低90%，整体设备生产效率提高约一倍以上。

三星从2023年6月开始着手打造其封装厂的自动化无人生产线。据了解，三星的封装工厂位于韩国天安市和元阳市，其自动化无人生产线也建于此。由于这条无人生产线刚刚建成，其仅占产能只有目前三星所有封装生产线的20%左右，但三星计划到2030年将整个封装工厂的生产线都实现无人自动化。

三星此前向英伟达提出了新方案，而现阶段“双源”战略对后者更为有利，可以最大限度地提高计算卡的产能。据了解，三星在上个月向英伟达提供了HBM3芯片的样品，用于H100等多款计算卡进行验证，并在8月31日通过了相关测试。此前有报道称，三星还与AMD达成协议，将负责为Instinct MI300系列提供HBM3和封装技术。虽然SK海力士主导了HBM类存储芯片市场，不过三星近期的猛烈攻势似乎已奏效。

受到利好消息刺激，三星电子的股价在2023年9月1日一度上涨6.1%，创下了自2021年1月以来的最大涨幅。多家金融机构宣布调高三星的目标股价，并维持买入评级。