据BusinessKorea消息称，同样作为存储大厂的三星也加快了第五代HBM3e“Shinebolt”的开发与销售进度，预计将紧随SK海力士之后。经初步测试，“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升，预计将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大数据传输速度为1.15TB/s）更快，同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。三星电子的HBM开发和生产速度目前仍落后于SK海力士，美光也已经向客户提供了性能相当的HBM3 Gen2的测试样品，不过三星电子正在制定战略，以夺回先进存储芯片生产的领先地位。

HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

三星决定升级西安工厂主要有两个原因。第一是NAND闪存市场没有出现复苏迹象，即便今年4月开始采取减产措施也没有明显改变，为了保持其在该领域的领导地位，选择升级工艺可以确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代V-NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。三星西安工厂作为采用第6代V-NAND技术的128层闪存产品的主要生产基地，开工率自然也大幅度下降。

美国的无限期豁免是另外一个原因，促使三星尽快升级生产设备。三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元，于2014年5月开始投产，并在2017年开始建造第二工厂，先后投资了150亿美元，于2022年3月全面投产。这是全球产能最高的NAND闪存工厂，占三星NAND闪存总产量的40%以上，占全球NAND闪存总产量的10%以上。

争夺CXL市场的核心自然就是DRAM，三星和SK海力士是全球第一和第二大存储器厂商，当然不会错过CXL这片“新蓝海”，目前都在积极开发CXL技术，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一不同信息处理设备直接的通信协议，简化了数据处理、减少了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有计算机标准里DRAM的物理可扩展性问题。

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，三星和SK海力士都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，都打算加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

目前三星已经量产了HBM2E和HBM3，并开发了速率为9.8 Gbps的HBM3E，将很快向客户提供样品，以丰富高性能计算（HPC）和人工智能（AI）生态系统。三星还对新的HBM-PIM (processing-in-memory) 寄予厚望，通过加入计算功能，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，不但改善了内存带宽的瓶颈，而且在语音识别等特定工作负载中实现了高达12倍的性能提升和4倍的能效提升。

三星在去年年底成立了先进封装团队（AVP），提供了包括2.5D/3D的先进封装解决方案，以扩大芯片封装业务的收入。同时借此机会，最大限度地发挥各业务部门之间的协同效应，为芯片制造业务争取更多订单。有报道称，三星曾向英伟达建议，可以从台积电拿到制造好的芯片，然后采购三星的HBM3，并使用三星的I-Cube 2.5D封装来完成后续的工作。

据韩国代工芯片设计公司ADTechnology发布的一份新闻稿称，三星已经获得一份新的3nm订单，将为海外公司生产一款服务器级别的处理器，不但采用了3nm GAA工艺制造，而且还应用了2.5D系统级封装，与HBM类内存相结合，将多个芯片封装在一起。ADTechnology表示，该3nm项目将成为业界最大的半导体产品之一。

ADTechnology和三星都没有透露是哪个客户的订单，传闻来自美国，只知道是用于数据中心，由于与HBM类内存打包封装，所以更倾向于面向人工智能（AI）应用的芯片。与加密货币使用的芯片不同，这次3nm订单所要制造的芯片显然难度要大很多。

根据三星今年在业界研讨会上的介绍，目前的初代3nm工艺名为SF3E（3GAE），明年会带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。

据The Elec报道，三星正在考虑明年推出配备折叠屏的笔记本电脑，将采用在Galaxy Z Fold / Flip 5上引入的水滴铰链。与之前使用的U型铰链相比，水滴铰链可以更紧密地折叠屏幕两侧，同时减少屏幕中间的折痕。不过这种技术用于笔记本电脑还是有不足的地方，可能迫使三星将笔记本电脑做得比以前更厚。此外，与智能手机相比，笔记本电脑与人的眼睛之间的距离更远，对水滴铰链的必要性降低。像LG和惠普等其他厂商，正努力将U型铰链做得更轻。

其实三星早在去年就想推出配备折叠屏的笔记本电脑，不过由于消费市场需求不高，故而推迟了相关计划，何况三星本身在笔记本电脑领域的市场份额就不大，所以更不会着急。有消息人士透露，三星正在权衡各种选择，希望在明年下半年消费市场复苏的时候顺势推出配备折叠屏的笔记本电脑，以获得最大的收益。

据称，三星考虑从自家或京东方处购入可折叠OLED面板。

根据Android Authority消息，10月9日三星高管白信哲表示三星目前在积极研讨为手机产品提供超过五年安全更新方案的可行性。从这个信息我们可以看出三星正在考虑提供比目前更长的安全更新服务以应对谷歌方面的压力。

同时白信哲补充道，三星考虑提供五年以上的安全更新是考虑到将会有相关的新法规出台。Android Authority猜测“新法规”是指欧盟此前表示，未来欧盟将要求品牌方为其智能手机提供更长时间的系统更新。

值得注意的是，三星并未谈及操作系统更新，因此，它们也有可能在提供四次主要操作系统升级后将安全更新服务延长到五年以上。不过鉴于三星在智能手机的市场地位及其手机出货量，只要它把上述更新政策落实，对安卓生态系统而言仍然可以起到积极作用。

如果要落实长期更新政策，三星面临最大的挑战是如何说服芯片供应商对SoC做好系统适配，毕竟三星的许多手机产品也使用了高通或联发科的芯片。

凭借多代Galaxy Flip/Fold产品，三星已经成为了该细分市场的领导者，拥有着庞大的用户群。与游戏开发商展开合作，可以为这些可折叠设备量身定制独家游戏，更充分地利用手机的屏幕设计，而不仅仅是屏幕更大的智能手机。

据了解，除了Epic和腾讯，名单上还包括Krafton Inc、Nexon Games Co.、NCSOFT Corp和Pearl Abyss Corp等公司。三星与这些游戏开发商的合作还处于早期阶段，要看到实质性的游戏作品估计还要等上一段时间。同时三星可能还会注意到外接显示和无线手柄配对等周边设计，在未来的产品迭代中加以优化。

三星在一份声明中写道，通过与相关政府的密切协调，与其在华半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。SK海力士也在声明中称，欢迎决定延长出口管制规定的豁免，相信这一决定将有助于稳定全球半导体供应链。

由于三星和SK海力士在华的半导体投资规模相当大，这些工厂的生产比重超过了40%，同时在中国大陆地区的销售也很高，受限后对其运营和销售有很大的影响。未来几年内，这些工厂将面临生产设备升级的问题，而去年美国商务部给予为期一年的许可证显然无法满足这些企业的需求。目前三星和SK海力士在华工厂已被纳入“经过验证的最终用户（VEU）”，无需为每种情况单独获得许可证，也就是说今后将不受其他许可程序或期限限制。

根据统计数据，三星约40%的NAND闪存芯片产于西安的工厂，而SK海力士也有约40%的DRAM芯片在无锡的工厂生产，同时还有约20%的NAND闪存芯片产自大连的工厂。此外，三星在苏州还有封装设施，SK海力士的封装厂则位于重庆。

据Wccftech报道，三星已经决定增加用于DDR5的电源管理IC，以应对未来的需求。三星是少数几家从事电源管理IC生产的制造商之一，预计未来几个月内市场对DDR5的需求量将上升至新的水平，为此相对应地提高DDR5内存的产量。英特尔明年将带来Arrow Lake，与以往Alder Lake及Raptor Lake不同的是，不再支持DDR4内存。AMD则更为激进，从去年的Ryzen 7000系列开始就不再支持DDR5内存，而且新平台的销售占比也在不断提升。

与消费市场有所不同的是，英特尔的Sapphire Rapids和接下来的Emerald Rapids仅支持DDR5内存，使得DDR5内存在服务器领域能够快速地推广。从成本角度看，随着行业转向DDR5内存，成本也在不断下降，与DDR4内存之间的差距越来越小，最终也加速了DDR5内存在消费领域的销售。

今年三星的营收表现并不理想，其中过往的支柱存储器部门业绩恶化是主要原因。随着DRAM行情转好，三星似乎看到了曙光。

据了解，苹果在2019年就因与高通的谈判陷入困境，于是转向三星寻求其他的可能。不过双方的谈判并没有太过于深入，传闻原因是三星供应方面的问题，无法生产足够数量的5G调制解调器，导致会谈没有取得令人满意的结果，未能建立合作伙伴关系。这也使得苹果不得不重新找回高通，支付了较高的溢价。有人猜测，也可能与三星的半导体工艺不如台积电有关。

事实上三星的5G基带比高通的产品要慢，而且能效也更低，导致续航能力更差。有消息称，苹果原打算采购三星的5G基带在一些旧款iPhone机型上使用。即便双方达成协议，苹果还需要面对其他的问题，比如这些调制解调器必须遵守全球各地严格的连接规定，同时每个地区都有不同的条件和标准，众多的变量会让优化成为一个大问题，可能会进一步削弱调制解调器的性能。

此前有报道称，苹果自研5G调制解调器原型产品的性能不怎么样，不但速度慢，还容易过热，而且需要占据大量的内部空间。现在苹果的管理团队和工程师已经意识到，5G调制解调器的研发难度似乎比自研的Arm架构芯片还要大，因为其中涉及到大量复杂的问题。

990 Pro的4TB版本与2TB版本在性能上相差不大，采用的是PCIe 4.0接口，搭载了三星自研的Pascal主控芯片，搭配第7代176层堆叠3D V-NAND闪存，拥有4GB LPDDR4缓存。其顺序读取速度为7450 MB/s，顺序写入速度为6900 MB/s，随机读取为1600K IOPS、随机写入为1550K IOPS，耐久度为2400TBW。

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