此外，最近有传言称，台积电美国亚利桑那州晶圆厂面临招聘困难的问题。台积电重申了2024年开始运营的计划，并分享了建造过程的视频和照片。英特尔在该州同样拥有半导体生产设施，目前正在扩建当中。

三星的实际负责人李在镕即将前往欧洲，展开为期两周的访问。业内普遍猜测，三星领导人此行与半导体业务有关。据称，李在镕将前往荷兰的ASML，有可能涉及极紫外（EUV）光刻机的采购。韩国是ASML最大的市场之一，占据了其三分之一的收入。

近期三星宣布了一项3550亿美元的五年投资计划，主要涉及半导体和生物制药领域，这也是三星有史以来最大规模的投资，以确保在技术方面仍处于领先位置。三星希望到2030年，在晶圆代工领域能赶超竞争对手台积电，增加EUV光刻机扩大产能是必要的举措。传闻三星还有意收购恩智浦半导体（NXP），以拉近与台积电之间的差距，同时更好地在汽车芯片市场布局。

此外，三星计划对旗下各个业务部分进行重组，包括内存和闪存制造、晶圆代工和设备解决方案等。三星不寻常的举动引起了业界的注意，认为三星想借此找到合适的解决方案，开发出良品率合格的下一代芯片。据称，由于良品率过低及尚未能开发出第五代DRAM芯片，从而让晶圆代工客户失去信心，三星正在寻求解决问题的办法。

此前有报道称，三星正在组建一支由半导体和智能手机部门人员组成的新队伍，以开发一种新的未命名芯片，比如适用于Galaxy系列智能手机的定制SoC，目标是在2025年能赶超苹果的A系列芯片。三星希望通过不同业务部门的员工协同工作，以避免出现问题，不过想看到成效或许要等上数年的时间。

三星的最新决定比原定时间提前了六个月，很大程度是由于LCD面板价格下跌导致的业务亏损。根据美国市场研究公司Display Supply Chain Consultants（DSCC）的数据，如果将2014年1月份的LCD面板的平均价格指数设为100，那么到今年9月份将降至36.6，创下历史最低点。2021年6月份这一数字为87，相比之下下跌了58%。

不过三星退出LCD业务的时间表已经比原计划要更晚一些。三星曾计划在2020年末退出LCD业务，但新冠疫情的爆发使得LCD面板价格突然飙升，让三星推迟了计划的时间表。三星自身还会继续采购LCD面板，不过供应商将转为京东方和友达光电，以降低价格，提高竞争力。

未来三星自身会将注意力转到采用有机发光二极管（OLED）和量子点（QD）技术的面板上，预计现有LCD业务的员工将转移到QD业务部门。三星也在不断地开拓新的显示技术，以应用在高端电视上，比如近期发售的新款Micro LED电视。

根据《韩国先驱报》的报道，Pat Gelsinger前往首尔会见了三星几位高管，包括副董事长李在镕，联合首席执行官兼芯片业务负责人京基铉以及三星移动负责人卢泰文，虽然并没有提及会议的内容，但可以看得出两家公司有意加深相互之间的合作。其实两者本身就有一定的合作，毕竟两家都是全球前茅的大型半导体制造商之一，三星的内存产量极大，需要顾及与Intel处理器的兼容性。

三星目前在最新半导体工艺竞争力有所下降，他们的4nm工艺节点进度不怎么出色，产能爬坡遇到了困难，高通把最新的骁龙8 Gen 1订单全部交给了台积电，有消息指出NVIDIA的下一代显卡RTX 4000也会交给台积电，Intel可能想借此机会用较低的价格买到三星的代工产能，但不清楚Intel到底想把什么东西交给三星生产，可能他们并不想把所有外包代工产品全部交给台积电，把一部分交给三星以此来分担风险。

据Galaxy Club报道，三星目前正在开发两种Exynos芯片，一种用于Galaxy S23系列，另外一种用于相对低价的Galaxy智能手机，比如Galaxy A54。传闻两款芯片的型号分别为S5E9935和S5E8535，与此作为参照，Exynos 2200的代号为S5E9925，所以推测S5E9935对应的是Exynos 2300，Galaxy S23系列仍可能会有搭载Exynos 2300的版本。

至于Exynos 2300的具体规格，暂时还不清楚，也无法确定采用图形架构的情况。三星与AMD合作开发了基于RDNA 2架构的Xclipse GPU，继承了PC平台上硬件加速的光线追踪和可变速率着色（VRS）等高级图形功能，原本是Exynos 2200的一大卖点，不过受制于功耗等原因，Exynos 2200的整体表现仍不如人意。

目前三星的芯片开发计划似乎比较混乱，充满着不确定性。Exynos芯片的连续受挫，加上半导体生产上遇到的诸多问题，未来三星的SoC看起来困难重重。

这段时间以来，三星在芯片制造上遇到了不少挫折，导致管理层决定针对非内存类先进工艺芯片良品率过低的问题展开调查，加上近期高通新的骁龙8+移动平台已从三星更换为台积电，使得三星的晶圆代工部门承受了巨大的压力。

传言三星正在为其Galaxy系列智能手机开发定制SoC，不再采用Arm的Cortex内核，改为以Arm的指令集来创建自己的内核，且分为性能核和能效核。三星还希望打造一整套生态系统，以对抗智能手机领域最大的竞争对手。据称首个定制SoC设计会在2023年完成，并在2025年推出，这与“Dream Platform One Team”的目标和时间高度一致，不过暂时还不确定两者是否会有关联。

此外，三星在移动领域是否延续与AMD的合作也是一个疑问。去年就有报道称，三星开始与AMD商谈下一代产品的授权和研发问题，在移动平台上继续使用AMD新的GPU架构，不过已很长时间没有相关消息了。

据The Korean Economic Daily报道，三星可能会像苹果那样同时开发自己的软硬件，打造一整套生态系统，以对抗智能手机领域最大的竞争对手。有了解三星自研计划的人士透露，三星首个定制SoC预计会在2023年完成，不过并不会在当年推出，三星打算到2025年才推出搭载自研芯片的Galaxy系列产品。

暂时还不清楚三星的定制SoC会出现在那些Galaxy系列设备上，对应的产品定位如何。传闻三星的最终目标是在旗下顶级智能手机中使用，与现在Exynos 2200最大不同的是，不再采用Arm的Cortex内核，这意味着三星很可能会朝着苹果的方向发展，即以Arm的指令集来创建自己的内核，且分为性能核和能效核。

有行内人士表示，三星之所以选择苹果的道路，发展自己的生态系统，与中国厂商给予的巨大压力有关。

“没有自己的生态系统（类似苹果的生态系统），三星落后于中国的企业只是时间问题。”

近年来，三星Exynos系列的发展不如人意。尽管三星与AMD合作开发了基于RDNA 2架构的Xclipse GPU，继承了PC平台上硬件加速的光线追踪和可变速率着色（VRS）等高级图形功能，不过整体而言，Exynos 2200的表现仍未有根本性的改变。

据称，三星正在与客户谈判，协商新的晶圆代工报价，价格将提高15%到20%之间，具体取决于具体的制程节点和制造技术的应用，提升幅度相当大，预计2022年下半年会落实。与其他晶圆代工厂类似，先进制程节点的上涨幅度会低一些，反而成熟制程节点的涨幅会比较大，传言三星部分客户已同意新的条款。

与排名前几的其他晶圆厂有所不同，三星在2021年采取了相对稳定的定价策略，报价上保持了稳定，没有因为需求旺盛而不断调价。不过随着晶圆厂的产能利用率在100%或以上，三星也面临额外的风险，设备损耗的速度也加快了。近期全球通胀、物流、半导体供应链价格上涨、以及其他不稳定因素使得运营风险和成本压力都大大增加，使得三星不得不考虑提高价格。

虽然相比前一阶段，全球市场的需求似乎有所减弱，像个人电脑市场甚至面临下滑的趋势，但不少细分市场仍在继续增长，芯片供应仍未达到饱和，对各类IC的需求仍然处于高位且还没有放缓的迹象，芯片制造商的涨价趋势仍将延续。

此外，内置的Micro AI处理器可支持20bit色深，还能即时分析每一秒的内容，并在去除噪点的同时优化图像显示质量。通过Muti-View，The Wall电视可以同屏处理四个动态信号源，Black Seal技术能创造出更纯正的色彩，应用的超低反射膜能最大限度地减少外部光反射。据了解，目前新款The Wall电视已在全球范围内开启预订。

除了IWB，三星还会推出The Wall All-in-One，将提供三种型号，分别是4K 146英寸、2K 146英寸和2K 110英寸，采用了纤薄、无边框的设计，集成S-Box媒体播放模块，支持拼接。其最具创新性的特点是便于安装，通过预先调整的接缝和预安装框架套件，使得整个过程非常简单。新款产品的显示屏厚度为49mm，内嵌厚度为59mm。

此外，三星在ISE 2022上还会展示各种新的显示产品，比如户外显示系列，可以用于电动汽车充电站。还有全新的交互式白板2022 Samsung Flip Pro，将提供75英寸和85英寸两种型号，其添加了支持65W充电的USB Type-C连接，具有业界领先的触控延迟和多点触控功能，允许最多20人同时协作。

据三星介绍，这次的新型CXL内存模块是第一款采用512GB DDR5内存的产品，搭载了专用的控制器，支持PCIe 5.0接口，采用了EDSFF尺寸。其容量是之前版本的四倍，而系统延迟只有五分之一，非常适合下一代需要大容量存储的企业服务器和数据中心。

三星还计划推出用于CXL（Compute Express Link）内存模块的可扩展内存开发套件（SMDK）的升级版本，以促使更多厂商将CXL内存模块部署到现有及未来的IT系统中。这是一套开源软件解决方案，旨在为CXL内存模块的平台提供相关的开发支持工作。三星的SMDK和CXL内存模块能够在异构内存系统中无缝协同工作，软件工具包由库（一组预先构建的可重用代码）和应用程序编程接口（API）组成，开发人员可以轻松地将CXL内存模块集成到系统，而无需修改现有应用环境，或为此做特殊的优化来满足系统需求。

CXL作为一种开放性的互联协议，拥有更高的带宽，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。

VentureBeat进一步透露了微软Xbox Everywhere计划的细节，表示Xbox团队正在与三星合作，为其电视开发Xbox流媒体应用程序。微软的选择很合理，毕竟三星是世界上最大的电视制造商，而索尼是双方共同的竞争对手。VentureBeat也确认了微软的流媒体设备计划，称可以串流游戏和视频。据悉，相关的设备和应用程序会在未来12月内推出。

无论具体的策略是什么，一切的证据似乎都表明微软在云游戏方面的努力，就像其Xbox Everywhere计划里所说的，所有的一切都是希望让世界各地的玩家都能在已经拥有的设备上与自己想要一起玩的人去玩想要的游戏，为大家带来欢乐。

新一代产品采用了三星第七代V-NAND闪存技术和专有主控，使得UFS 4.0闪存的顺序读取速度达到了4200MB/s，顺序写入速度达到了2800MB/s。虽然有了更高的性能，但是并没有增加封装的尺寸，其最大尺寸为11mm x 13mm x 1mm，仍属于紧凑型封装。三星的UFS 4.0闪存解决方案还包含了一个名为“Replay Protected Memory Block（RPMB）”的先进设计，当只能通过身份验证来读取或写入重要个人数据的时候，其效率提高了1.8倍。

据三星的介绍，该款UFS 4.0闪存解决方案每通道提供了23.2 Gbps的数据传输速度，是之前UFS 3.1闪存解决方案的两倍。同时，UFS 4.0闪存解决方案提供了每毫安（mA）6.0MB/s的顺序读取速度，能效比上一代产品提高了46%。这使得UFS 4.0闪存更适合需要大量数据处理的设备，比如需要高分辨率图像和大容量游戏的手机、汽车和AR/VR应用场景。

三星将会在2022年第三季度量产UFS 4.0闪存，容量最高达到1TB。

据三星介绍，MBCFET多桥-通道场效应晶体管工艺是其第一个使用的GAAFET工艺，作为一种全新的形式，不但保留了GAAFET工艺的优点，而且兼容之前的FinFET工艺技术。使用其3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时，可实现30%的性能提升、50%的功耗降低以及晶体管密度提高80%（包括逻辑和SRAM晶体管的混合）。

三星表示，除了功耗、性能和面积（PPA）上的改进，随着制程技术成熟，3nm工艺的良品率将会接近4nm工艺。不过鉴于过往这些年三星在5nm和4nm芯片制造上遇到的问题，这次3nm工艺的性能和功耗实际情况如何还有待观察。暂时还不清楚谁将成为三星3nm工艺的首家客户，毕竟过渡到全新的晶体管工艺是存在一定风险的，而且芯片设计人员需要开发全新的IP，价格并不便宜。

竞争对手之一的英特尔在Intel 7/4/3制程节点仍依赖FinFET，最早会在2024年才转向新型晶体管（称为RibbonFET）。另一个竞争对手台积电在N4和N3制程节点仍使用FinFET，要到N2制程节点才引入GAA工艺，大概会在2024年投入生产。