最近一份来自DSCC的报告显示，虽然三星仍然是2023年第四季度最大的可折叠智能手机品牌，但是华为和荣耀已经迎头赶上。三星有可能在2024年第一季度失去全球可折叠手机市场第一名的位置，而华为可能首次在这一市场登顶，结束三星长达四年的统治。

去年全球可折叠手机市场共出货了23款机型，2023年第四季度里排名前十中，有四款来自三星，荣耀和OPPO各有两款，剩下华为和小米各有一款。其中Galaxy Z Flip 5排在第一名，Mate X4排在第二，三到五名分别是Magic VS2、Galaxy Z Fold 5和Find N3 Flip。

不过进入2024年后，可折叠手机市场的情况会发生变化，华为有望凭借Mate X5和Pocket 2两款机型超越三星，而三星则要等到下半年Galaxy Z Fold 6/Flip 6上市才有机会卷土重来，显得有点太晚了，几个月的时间可能市场形势就完全不同了。

据了解，2024年大约会有27款可折叠手机发售。

得益于iPhone 15系列的发布，苹果在2023年第四季度的产量环比增长了58.6%，达到7850万台，位居第一名。苹果全年产量为2.23亿台，比起2022年减少了4.2%。由于苹果与华为在高端市场有重叠，面对后者卷土重来，未来的销售将面临极大挑战。

三星在第四季度处于旗舰机型销售的过渡期，因而产量环比减少了11%，为5350万台，排在第二名。三星全年产量为2.29亿台，比起2022年减少了11.3%。虽然三星在2023年以19.6%的市场占有率蝉联榜首，但是与苹果之间的差距缩小到0.5%。

小米在2023年第四季度的产量环比增长了0.7%，为4310万台，排在第三名，全年1.47亿台，比起2022年减少了6.1%；OPPO在2023年第四季度的产量环比增长了3.4%，约为4000万台，排在第四名，全年1.3亿台，比起2022年减少了4.1%；vivo在2023年第四季度的产量环比增长了4.1%，约为2550万台，排在第六名，全年9350万台，比起2022年减少了2.9%。值得注意的还有传音，2023年第四季度的产量为2950万台，环比增长了11.3%，全年突破9000万台大关，按年大幅度增长了46.3%，季度和年度排名都上升至第五名。

展望2024年，TrendForce认为虽然渠道库存压力比起之前要小，但是市场复苏情况还有待观察，同时产业发展聚焦在人工智能（AI）应用上，各大芯片厂商及品牌都将加速AI赋能的智能手机普及。

三星负责存储器生产的研究员Young Seog Kang表示，作为一名用户，更关心的是总成本问题，目前Low-NA已经投入使用，芯片制造商可能更愿意使用Low-NA EUV以双重曝光或采用先进封装技术作为补充，这可能是更经济可行的替代方案，而不是直接使用High-NA EUV来完成。Young Seog Kang认为，逻辑芯片的布局更为复杂，新技术可能在更长时间内适用，而存储器在扩展新技术时，性能和成本方面都存在潜在的挑战。

相比于三星，英特尔对High-NA EUV的前景更为乐观一些。按照英特尔的新计划，将会在Intel 14A工艺引入High-NA EUV，英特尔掩模业务总经理Frank Abboud称，过往在DUV发挥重要作用的相移掩模有望引入到EUV。ASML系统工程总监Jan van Schoot概述了几种提高光刻分辨率和扩展EUV光刻应用的方法，表示正在研发新的光源和其他改进k1的策略，现在已经有了一些新想法。

JSR（光刻胶供应商）的总裁Mark Slezak认为，EUV技术可以持续20年，DUV技术的持续时间也比预期要长得多。

近日有网友透露，三星当初确实考虑过将天玑9000用于Galaxy S系列智能手机，不过受制于联发科的芯片供应量不足，最终双方未能达成协议。此外，还对于最近有关三星打算采用联发科旗舰SoC用于高端智能手机的消息给予否定的答案。

据了解，联发科最早推出天玑9000的时候，并没有生产足够多数量的芯片，估计仅为1000万块芯片，而且要同时供应几家客户，考虑到每年Galaxy S系列的出货量是这数字的三倍，大概为3000万，让交易最终落空。

此前有报道称，三星的订单在2023年第四季度占据了高通40%的收入，成为了后者最大的单一客户，两者可以说在业务上已经相互依赖。传闻目前第三代骁龙8的定价为200美元，对三星来说已经相当高了，而今年的第四代骁龙8可能会更贵，多少会让三星产生想法，包括加紧开发新款Exynos芯片用于替换，或者引入其他的供应商。

虽然在高端机型上双方没有实现合作，不过三星和联发科之间仍然保持业务联系，Galaxy A系列里也有采用联发科芯片的产品。

据Wccftech报道，最新的调查统计数据显示，三星的订单在2023年第四季度占据了高通40%的收入，成为了后者最大的单一客户，比第二名小米的17%多了一倍以上，很大程度上也是Galaxy S23/24系列机型大规模采用高通高端移动平台所致。

虽然与Exynos 2200相比，Exynos 2400有了较大改进，但是仍然落后于第三代骁龙8，今年晚些时候登场的第四代骁龙8大概率会保持领先，而且定价会更高。最近有报道称，三星正在全力以赴开发新款Exynos芯片，希望能用于明年所有Galaxy S系列机型，一定程度上也和高通旗舰SoC定价较高有关。如果三星可以成功地执行该计划，那么意味着高通的收入会大大减少。

反观竞争对手联发科的情况要比高通好很多，虽然三星和小米也是其最大的两位客户，但占比分别为25%和17%，显得更为平衡。目前联发科为移动平台提供了15款SoC，除了谷歌以外，其他所有Android智能手机厂商都有采购这些芯片。有分析师表示，联发科2024年在全球智能手机芯片市场的份额可能增加到35%。

崔周善在采访时说道，目前显示器行业已经触底，虽然科技数码领域对于有机发光二极管(OLED)有较大需求，但近年来智能手机行业发展变得越来越困难。不过根据市场发展趋势来看，增强现实(ar)和虚拟现实(vr)设备搭载的MicroOLED具有相当巨大的市场潜力，但要将其完全实现商业化还需要3-4年的时间，目前MicroOLED还有大量的技术难题和成本问题。”

他还表示，在Micro OLED普及之前，三星将在Micro OLED领域投入大量资源，以推出比其他公司更有竞争力的MicroOLED显示方案。此外，在2023年，为推进RGB OLEDoS技术研发。三星已投入2.18亿美元（折合人民币约15.7亿元）收购美国的Micro OLED研发公司eMagin。

Micro OLED又称硅基OLED或OLEDoS，是将传统OLED的玻璃基板替换为单晶硅基板，并采用有机发光技术。与传统OLED外置驱动不同，硅基OLED将单晶硅通过CMOS工艺加工成驱动背板，该技术可以将单个像素点尺寸缩小至原来的1/10左右，以实现更高精度的显示效果。目前除了Apple Vision Pro以外，在消费级数码设备中还有部分无反相机的取景器使用了Micro OLED面板，以索尼的旗舰相机α1为例，其取景器就采用了一块最大分辨率约为2048x1536且帧率高达240Hz的Micro OLED显示器。

据相关媒体报道，经过长时间的挣扎后，三星的DRAM和NAND闪存业务终于看到了曙光，今年1月份的月度财报里显示已实现了盈利。如果这种趋势能够得以延续，三星的DRAM业务将迎来五个季度以来的首次季度盈余。

近期TrendForce发布的2023年第四季度DRAM产业和NAND闪存调查报告显示，三星都是排名第一的厂商，而且增长幅度也是最大的。其中DRAM业务季度增幅超过了50%，达到了79.5亿美元，而NAND闪存业务环比增长44.8%，达到了42亿美元。

不过也有业内人士认为，虽然现在市场的情绪是积极的，但还没到松懈的时候。供应商积极减产推动了价格的上涨，供需环境得到了改善，但是市场需求仍然存在较大的不确定性，这可能是一个意想不到的变量，同时还要密切关注库存水平。

据Notebookcheck报道，三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方面依然有一些问题需要解决。不过这次的消息里，没有具体说明到底是初代的3nm GAA / 3GAE，还是已经试产、且今年即将量产的第二代3GAP。三星去年曾表示，其3nm工艺量产后的良品率已达到60%以上，不过现在看来，似乎有点过于乐观。

有行业分析师表示，三星GAA流程方法尚未稳定，这多少能解释为什么良品率一直都上不去。不过在4nm工艺上，三星的表现明显更好，良品率已提升至75%，过去一系列的努力终于有了回报。对于谷歌来说也是个好消息，毕竟今年用于新款Pixel 9系列旗舰智能手机的Tensor G4将采用4LPP+工艺制造。

如果三星想要在未来与台积电（TSMC）甚至英特尔代工服务竞争，必须要提升良品率。三星对明年的Exynos 2500寄予厚望，被认为是其SoC设计的翻身之作，计划采用3nm工艺制造，如果良品率问题得不到解决，很难想象如何与高通及联发科的同类产品抗衡。

据ZDNet报道，有消息人士称已收到了三星的通知，原来的第二代3nm工艺技术将改为2nm，为此去年与三星签订的合同里所写的3nm也变成了2nm。据称，三星计划在今年下半年开始为客户生产“2nm”芯片，看起来除了名字改了，其他与原来的SF3并没有分别，何况也不太可能在短时间内突然使用不用工艺技术为客户生产原先采用SF3的芯片，毕竟这需要重新去做设计。

上个月有报道称，三星已经从日本人工智能（AI）初创公司Preferred Networks Inc.（PFN） 处收到2nm芯片订单。结合这次的信息，有可能当时所称的2nm芯片，其实采用的是原有的第二代3nm工艺技术。

传闻三星正在推动“BSPDN（背面供电网络）”技术的应用，计划在明年量产的2nm工艺上引入，这是SF3所不具备的。如果三星确实将SF3改为SF2，那么之前公布的制程技术路线图也会改变，先前的SF2可能会有一个新的名称。

HBM需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，如果其中一层出问题就意味着整个HBM堆栈报废。随着堆叠层数的增加，良品率有可能会进一步降低。有消息人士称，现阶段HBM类产品的良品率约为65%，如果想要提高这一数字，产量就会下降。存储器制造商之间的竞争就是在良品率和产量之间找到平衡，提供合适的解决方案。据了解，美光和SK海力士似乎在英伟达的资格测试中处于领先位置，其中前者已经通过了认证阶段，开始为下一代H200产品生产HBM3E芯片。

目前SK海力士和三星都打算增加HBM类产品的产量，不过较低的良品率加上更高的需求，从长远来看是个大问题。

相比之下，三星名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术要今年晚些时候才到来，时间上应该落后于台积电和英特尔。去年帕特-基尔辛格曾向媒体表示，自己认为“Intel 18A比台积电N2工艺更好一些”。原因是Intel 18A工艺采用了RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，比竞争对手领先好几年，能为芯片提供了更好的面积效率，这意味着更低的成本、更好的供电和更高的性能。此外，帕特-基尔辛格还暗示N2工艺太贵了，Intel 18A有机会从寻求更高成本效益的客户那里获得订单。

在2024年2月21日举办IFS Direct Connect活动中，英特尔分享了Intel 18A工艺之后的计划，公布了新的工艺路线图，新增了Intel 14A制程技术和数个专业节点的演化版本。同时英特尔宣布首推面向AI时代的系统级代工，名为“英特尔代工（Intel Foundry）”，取代了原来的英特尔代工服务（IFS），还包含了封装的业务。

虽然英特尔信心满满，不过近日传出英特尔下一代Arrow Lake上，仅有非K的酷睿Ultra 5及以下型号才会采用Intel 20A工艺，其余都将启用台积电N3B工艺代替。如果连新一代处理器最核心的计算模块都改用台积电代工，似乎很难让客户愿意冒险改用Intel 18/20A工艺。

据Notebookcheck报道，三星正在新款Exynos芯片的开发上全力以赴，即便与高通达成了新的协议，也没有妨碍其自主研发的努力。有消息称，三星计划明年所有Galaxy S系列机型都搭载Exynos芯片。

Galaxy S25系列将会在明年发布，包括了Galaxy S25、Galaxy S25+和Galaxy S25 Ultra三款机型，全部采用Exynos 2500。三星也会遵守与高通之间的协议，明年在Galaxy Z Fold7和Galaxy Z Flip7上采用第四代骁龙8平台，也有可能是定制的Galaxy版本。此外，面向主流的Galaxy A系列将继续依靠自家的Exynos和联发科的天玑系列SoC。

还有传言称，Exynos 2400将是最后一款同类产品，三星会给后续的继任者起个新的名字。三星一直对Exynos 2500寄予厚望，被认为是其在移动AP领域的中大回归，内部称为“Dream Chip”，最后如果以换新名字代表新的开始也不会让人感到意外。

三星内存品牌产品事业组副社长Hangu Sohn表示，通过两款新的microSD卡，为用户提供了有效的解决方案，以满足移动计算和设备上人工智能日益增长的需求。尽管尺寸很小，但这些存储卡提供了类似SSD的强大性能和容量，可以帮助用户从要求苛刻的现代和未来应用中获得更多。

这是三星首次推出以SD Express接口为基础的microSD卡，是与客户成功协作创建的定制产品。其低功耗设计以及针对高性能和热管理进行优化的固件技术，使得在相当小的尺寸下提供了相当于SSD的性能。相比于基于UHS-1接口的传统microSD卡的读取速度被限制在104MB/s，SD Express产品可以提高到985MB/s。这次三星提供的SD Express microSD卡提供了800MB/s的顺序读取速度，是SATA SSD（最高560MB/s）的1.4倍。此外，利用Dynamic Thermal Guard（DTG）技术让SD Express microSD卡保持最佳问题，确保性能稳定及可靠性。

1TB UHS-1 microSD卡采用了三星第8代V-NAND技术的闪存芯片，实现了过去SSD才有的大容量封装。新产品通过了业界最严苛的测试，即便在苛刻的使用环境中里也能保证可靠性，具有防水、极端温度、防摔设计、磨损保护以及x射线和磁保护等功能。

256GB SD Express microSD卡会在今年晚些时候上市，1TB UHS-1 microSD卡则会在今年第三季度开卖。

传闻三星已经在两个Arm内核上进行了测试，设法更好地实践如何减少芯片的内核面积，应用BSPDN后，两个Arm内核的芯片面积分别减少了10%和19%。随着芯片面积的缩小，三星可以更有效地批量生产更小的SoC设计。早期的测试显示，引入背面供电技术还成功地提高了性能和能效，甚至超出了三星制定的指标。由于尚未商业化，只是初步的技术探索，暂时还不清楚对生产成本的影响。

除了三星以外，英特尔过去也介绍了开发中的PowerVia技术，计划在Intel 20A制程节点首次引入。这是英特尔独有的、业界首个背面供电网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。按照英特尔的说法，背面供电可以让晶体管供电的路径变得非常直接，可以减少信号串扰，降低功耗，同时解决了晶体管尺寸不断缩小带来的互连瓶颈。

HBM3E 12H DRAM采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求。这项技术预计会带来更多优势，特别是在更高的堆叠上，业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的裸片翘曲。三星不断降低其NCF材料的厚度，并实现了业界最小的芯片间隙（7µm），同时还消除了层间空隙。这些努力使其与HBM3 8H DRAM相比，垂直密度提高了20%以上。

三星的热压非导电薄膜技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能，在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域，这种方法有助于提高产品的良品率。

三星表示，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。据了解，三星已经开始向客户提供HBM3E 12H DRAM的样品，预计今年下半年开始大规模量产。