这几天适逢FMS国际闪存会议，各大厂商都爆出了不少料，比如希捷的60TB硬盘、Facebook在研究的100TB
QLC硬盘、美光/Intel的3D
XPoint闪存等，NAND真正的老大三星反倒很沉默的样子，不过今天三星一次性放出了诸多猛料——今年底三星将推出第四代V-NAND闪存，堆栈层数达到64层；容量可达32TB的2.5寸SSD硬盘、BGA封装的SSD容量则能达到1TB，最后还有号称性能突破NAND闪存天际的全新Z系列SSD。
第四代V-NAND：堆栈层数64层
先说三星新一代V-NAND，三星是最早量产3D NAND闪存的公司，此前三星已经发展了三代V-NAND，堆栈层数分别是24、32及48层，64层堆栈是下一个目标，之前东芝、西数已经宣布了64层堆栈的BiCS
3D闪存，抢了三星的风头，不过在FMS会议上三星也正式宣布今年底推出第四代V-NAND闪存，也是64层堆栈。
根据三星所说，第四代V-NAND闪存为TLC类型，64层堆栈，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。
按照计划，今年Q4季度64层V-NAND闪存开始上市，三星自家全新的Z系列SSD就会使用这种闪存。
SSD容量继续提升：32TB 2.5寸硬盘驾到
三星此前已经出货了容量最大的15TB硬盘PM1633A，希捷在FMS会议上展示了60TB的SSD，不过这个还是概念产品，还是3.5寸规格的，真正的容量突破还得看三星——其SAS产品线开始引入核心容量512Gb的第四代V-NAND闪存，可以轻松堆叠出容量1TB到32TB的企业级硬盘，其中32TB的容量再次把SSD容量推向另一个巅峰，三星表示32TB硬盘将普通HDD硬盘的容量减少了40倍。
32TB SAS硬盘预计在2017年问世，三星的目标是2020年推出100TB的硬盘。
BGA封装也有春天：1TB容量来了
除了2.5寸规格，三星在超小型SSD上也有大动作——单BGA封装的SSD容量也有望达到1TB，而且性能也非常强大，读取速度1500MB/s，写入速度900MB/s，体积则比前代减少了50%，重量不到1克。
1TB BGA封装的硬盘预计明年问世，而且会使用三星研发的FO-PLP（Fan-out Panel Level Packaging）扇出型封装。
全新Z系列SSD：性能突破NAND极限
最后三星还宣布了全新的Z系列SSD，号称性能超越了现有NAND闪存极限，不过三星没有给出具体指标，只说其性能比PM963更强，延迟低了4倍，读取速度是后者的1.6倍——PM963硬盘的连续读取速度是1600MB/s，算起来Z系列的连续读取速度可达2.5GB/s。
三星的Z系列SSD也会使用第四代V-NAND闪存，预计明年上市。
