• 单芯片可达128Gb，三星量产业界第一款3D垂直NAND闪存

    john-li 发布于2013-08-06 12:32 / 关键字： 三星, 3D垂直NAND闪存, 量产, SSD, V-NAND

    　　三星新近宣布他们突破了现有NAND闪存技术的规模限制，开始量产业界第一款3D垂直NAND（V-NAND）闪存。 　　随着性能和面积比方面的提升，新的3D垂直NAND闪存将大范围应用于消费电子和企业应用方面，包括嵌入式NAND存储和SSD固态硬盘。

    　　新的3D垂直NAND闪存可以在单个芯片上实现128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell结构，该结构基于3D CTF（Charge Trap Flash）技术和垂直堆叠制程技术。得益于此，新产品可以提供超过两倍于20纳米平面NAND闪存的容量。

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