DDR3L-RS标准此前被称之为DDR3Lm，通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗，电压为标准的1.35V，同时能提供与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性，运行频率有667/800MHz两种。

　　美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造，FBGA封装，容量暂时有2Gb(128Mb×16/256Mb×8)和4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)两种规格，已经通过Intel Ivy Bridge新平台的认证。

　　除了上面两种规格，美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS，运行频率800MHz，预计今年12月份量产。而下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS则可能在2013年年初推出。

　　美光官方对于DDR3L-RS的介绍链接：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram#ddr3l-rs

　　据称，这种DDR3L-RS内存芯片在待机功耗上比普通的DDR3L要低70%，而性能则维持在主流水平。目前其拥有单芯片2Gb、4Gb、8Gb三种规格，可用于组装单条容量为2GB、4GB和8GB的SO-DIMM DDR3内存。

　　由于功耗比普通DDR3L芯片更低，因此这种DDR3L-RS芯片尤其适合Ultrabook、平板电脑等对功耗非常敏感的移动设备。SK海力士预计，这款芯片正式出货后，将全面渗透Ultrabook、平板电脑甚至是智能手机市场，甚至在传统笔记本电脑市场中也会很受欢迎。

　　曾有调研报告支持，虽然目前超薄性笔记本电脑的市场份额只有11%左右，不过到了2014年将达到39%，再过一年就会来到52%。如果SK海力士的DDR3L-RS芯片发展顺利，届时其市场份额将非常可观。不过我们也相信，其它DRAM厂商不可能看不到这个商机，未来肯定会有更多类似的产品，或许DRAM领域会掀起一股“低功耗潮流”也说不定。