• 容量再翻倍，IMFT宣布第二款20nm工艺NAND闪存芯片出炉

    Blade 发布于2011-12-07 11:15 / 关键字： IMFT, 20nm, NAND, 128Gb, ONFi 3.0

    　　在今年4月份，有英特尔和美光联手打造的闪存厂商IMFT（Intel Micron Flash Technologies）正式宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片。其首款产品是64Gb MLC NAND闪存芯片，芯片面积为118mm²，尺寸比同容量的25nm制程产品减少约三分之一但性能与寿命方面则基本保持一致。

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  • 提速至400MB/s，NAND闪存接口标准ONFI 3.0出炉

    Blade 发布于2011-03-18 14:38 / 关键字： ONFI, ONFI 3.0, NAND, 固态硬盘

    　　近日，Open NAND Flash Interface（ONFI）组织公布了新编准规范ONFI 3.0，其通过使用非易失性DDR2（NV-DDR2）接口，使NAND闪存接口在保持向下兼容的同时，传输速率提升至400MB/s。

    　　新的ONFI 3.0标准制定了详细的新NAND闪存接口与基础架构定义，不但接口速度得到有效提升，让NAND闪存控制器在拥有同样性能的同时需要的的通道数减少至原来的一半，可大大节省产品成本，减少产品体积。

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