关于 3nm GAA 的消息
传三星3nm GAA工艺良品率已提升两倍，但仍然不如台积电
三星在2022年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nm GAA工艺的良品率一直都不是那么理想。
三星考虑为2nm订单提供折扣，3nm GAA良品率仍然不稳定
三星和台积电（TSMC）都计划在2025年量产2nm工艺，而三星希望能抢先一步实现量产，以速度压倒对方，从而在新一代制程节点上获得竞争优势。尽管三星和英特尔最近都非常努力，采取了各种积极的措施，使得2nm代工的竞争加剧，但种种迹象表明，台积电仍将获得最多的订单，而且优势是巨大的。
英伟达评估三星3nm GAA工艺，若顺利则预定2025年量产
三星在2022年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产初期，三星3nm GAA工艺的良品率并不是那么理想，随着三星与合作伙伴的努力，传闻良品率已达到60%到70%之间，三星也尝试在芯片设计者中重新建立信心。
高通未来骁龙8平台或采用双代工厂策略，N3E和3nm GAA工艺双管齐下
高通近期放弃了三星代工高端骁龙8系列芯片，目前第二代骁龙8芯片采用的是台积电4nm工艺，即便今年即将到来的第三代骁龙8芯片，也会继续选择台积电代工，过去多款芯片证明，至少这个时期台积电的工艺更胜一筹。不过这并不代表高通完全弃用三星，有消息称，双方正在为未来骁龙8芯片是否重新合作进行探索。
三星Exynos 2500将搭配AMD定制GPU，或采用第二代3nm GAA工艺制造
几天前，三星和AMD宣布已经签署了一项为期多年的协议，将把多代高性能、低功耗的AMD Radeon图形解决方案带到三星Exynos SoC的扩展组合中，为更多移动设备带来游戏机级别的图形质量和优化功耗。
多个客户对三星3nm GAA工艺产生兴趣，或于2024年开始大批量供应
三星在今年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。虽然三星看似在3nm制程节点上先行一步，但实际生产上并非一帆风顺，低良品率及缺乏订单一直困扰着三星。
高通第三代骁龙8或转向三星3nm GAA工艺，与台积电推迟量产3nm工艺有关
高通（Qualcomm）在最近发布的第二代骁龙8移动平台（Snapdragon 8 Gen2）上，采用了台积电（TSMC）的4nm工艺制造。自从将旗下高端SoC转投回台积电以后，能效有了较为明显的提高，但这不代表高通不再考虑三星的代工服务。
三星3nm GAA良品率仅20%，或与新伙伴合作改进生产
三星在今年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。
三星第二代3nm GAA工艺将于2024年量产，或被更多移动SoC采用
前一段时间，三星在京畿道华城工厂V1生产线，举行了采用下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术的3nm代工产品发货仪式。三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。
三星举行3nm GAA代工产品发货仪式，联席CEO及政府主管部门领导出席
三星今天在京畿道华城工厂V1生产线（仅EUV），举行了采用下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术的3nm代工产品发货仪式，包括三星电子联席CEO兼设备解决方案部门负责人庆桂显和韩国工业贸易资源部长李昌阳在内，共100多位高管、政府部门人员、供应商代表以及三星员工出席。
三星首批3nm GAA芯片将于7月25日发货，预计移动SoC稍后再跟上
三星官方在上个月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术，三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。
三星官宣：全球首个3nm GAA工艺量产
三星宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术，三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。
三星3nm芯片有望在2022Q2量产，首次引入GAA工艺
三星在去年的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，确认在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，分为早期的3GAE以及3GAP。近日，三星表示有望在本季度开始使用3GAE制造工艺进行大批量生产，在一份声明中写道：
台积电N3制程节点或会延期，三星3nm GAA工艺也遇到技术问题
业界普遍认为，苹果是台积电（TSMC）在订单方面的优先考虑对象，传言不仅优先获得了4nm工艺的产能，还获得了3nm工艺的首批订单。虽然有消息指，英特尔抢占了台积电大部分3nm制程节点的订单，用于服务器和图形领域的下一代芯片，但苹果仍然是台积电的第一大客户。
三星3nm GAAFET工艺节点或延期到2024年
三星在2020年的时候，宣布攻克了3nm工艺节点的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出新工艺，并在今年3月份的IEEE国际集成电路会议上，介绍了该工艺的相关细节。
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