按照正常的路线图走，Intel的10nm工艺其实应该在2016年就量产了，但现在推迟到了2017年下半年，这是Intel官方对外承诺的时间，今年的CES展会期间Inel CEO科再奇还展示基于Cannonlake处理器的笔记本产品，不过正式出货要等到今年底，之前有确切的消息称是12月份才会上市。另外就算上市了，10nm工艺初期也只是给移动产品准备的，桌面的还要等等，毕竟下半年还有个8代Core处理器发布。

但是今年底发布的时间也不一定能保得住，因为现在传出10nm工艺的良率存在问题。美国巴伦周刊网站援引BlueFin Research分析师Steve Mullane的报告称Intel的10nm工艺有可能面临新的延期，不过好的方面是现有工艺的产品生产状况比华尔街预期的要好些。

他这周参加了SPIE工程师学会有关“高级光刻工艺”的讨论会，了解到了Intel 10nm工艺的一些新进展。Intel将在以色列的Fab 28工厂生产10nm产品，预计今年下半年正式量产。不过10nm工艺的工艺记录（process of record，简称POR）还没有最终完成，Fab 28工厂的10nm生产设备安装还在计划中。

跟他所听到的消息，Intel依然挣扎在HMV大规模制造中的10nm工艺的缺陷/良率问题上，还没有最终锁定10nm工艺的POR工艺记录时间。

虽然Fab 28工厂的10nm工艺依然预期在2017年下半年问世，但可能延期2-3个月的问题依然让人很关注。

不过好的一方面是Intel现有工艺的产品生产还不错，与华尔街预期的要好。22nm工艺在2017年之后依然不会淘汰，爱尔兰的Fab 24工厂14nm产能满转，Fab 32工厂在6月份季度预计会继续提升14nm产能。

PS：话说回来，在10nm节点上虽然Intel比起放嘴炮的三星、TSMC量产时间更晚一些，不过这三家公司的10nm工艺都存在良率问题，三星为高通代工的骁龙835上市时间也比之前预计的要晚些（今年国产旗舰手机要更加期货了），三星都推迟了Galaxy S8的发布时间了。TMSC的10nm工艺虽然已经有联发科Helio X30发布了，但联发科自己也承认量产时间比预期晚些，现在Intel的10nm工艺又被爆出良率问题，可能还会继续延期。

在发布新闻中，我们详细介绍了过了Helio X30处理器的卖点，联发科升级了高性能CPU内核、GPU也从Mali变成了性能更强的PowerVR 7XT定制核心，号称性能是X20的2.4倍，基带也升级到Cat 7级别的450Mbps网速，内存容量也提升到最高8GB LPDDR4X，其他如双摄、HiFi音频、WiFi等方面也有不同程度的进步，再加上TSMC 10nm工艺，X30处理器性能比前代X20提升30%，功耗降低了50%。

来自日经新闻的报道称，联发科运营长朱尚祖在MWC期间的记者会上提到了X30处理器的接单情况，承认厂商的热情不高，目前预计采用X30的新机数量不足10款。

官方这个表态实际上并不让人意外，早在之前就有传闻称X30并不受厂商欢迎，联发科的大客户中OPPO、Vivo、金立等公司无意采用X30处理器，小米也是如此，华为则根本没可能采购联发科的高端处理器，X30潜在的客户只有魅族、乐视，不过乐视手机自身难保，只有魅族使用X30的可能性是最大的。

联发科Helio X30预期不理想的原因可能跟TSMC的良率也有关系，朱尚祖表示目前TSMC的10nm良率还不够让人满意，X30上市时间有所延误——消息称称晚了2-4周时间，不过总体还在官方预期内。

另外还有一点，联发科这次抢先上了10nm工艺，甚至比苹果、华为还要早，但为此付出的代价也是极高的，因为10mm芯片开案成本高达1200万美元，不能保证一定销量的话，成本就分担不下来。据传10nm芯片初期成本极高，联发科X30一套芯片要价在60美元左右，骁龙835则高达100美元，不过骁龙835虽然更贵，但不愁销路，X30就没这么好命运了。

23日下午TSMC公司举行了供应链管理论坛，总经理、联席CEO刘德音在会议上做了主题演讲，公布了TSMC公司的一些新动向，比如2017年资本开支将达到100亿美元，研发费用也会增加15%。

对于工艺进展，刘德音表示10nm工艺去年底就已经量产，现在有超过3000名工程师正在为第一季度的出货做准备，今年下半年出货量还会快速扩大。

10nm之后半导体制造工艺也会越来越困境，其中7nm公认为是高性能节点，而TSMC此前也对7nm进展感到满意，自信会领先对手。这次会议上，刘德音提到TSMC的7nm工艺会在今年第一季度试产，2018年正式量产。

7nm之后就是5nm工艺，TSMC表示他们的5nm工艺今年已经进入技术研发阶段，2019年上半年准备试产，不过具体量产时间就没有公布。

再往后还有3nm工艺，这个工艺就更加遥远了，Intel之前的路线图中最多也就前瞻到5nm工艺，而TSMC表现已经着手研发3nm工艺了,投入了数百名工程师资源进行早期研发，TSMC自己也没公开3nm工艺什么时候试产、量产。

PS：考虑到TSMC以往的黑历史，这些制程工艺的真正量产时间其实还是会有变数的，比如说7nm工艺，虽然他们并不是第一家准备在2018年就量产7nm工艺的公司（AMD好基友GF也这么说过），不过公认2018年量产7nm还是有点太早了，时间还不靠谱，财大气粗如Intel这般也只是计划在2020甚至2021年量产7nm工艺，此前宣布投资70亿美元升级亚利桑那州的Fab 42工厂就是为7nm准备的。

这起事件的导火索是Intel花了2500万美元从高通挖过来的、现在担任高级副总裁、差不多是Intel二号人物的Murthy Renduchintala（他是印度裔，中文名字各种翻译都有，有点乱）在2017年的投资者会议上说的，他在这个PPT中谈到了Intel在制程工艺上的优势，重点就是说当友商发布10nm工艺的时候Intel已经领先（他们）三年时间了。

什么？三星、TSMC的10nm今年上半年就要量产了，Intel的10nm Cannonlake处理器要到今年底（大概12月份）才能在移动市场少量出货，2018年的主力还是14nm工艺，Intel在这种情况下还能有领先友商三年时间的自信，这下可就炸锅了，有些半导体领域的人士直接就“开喷”了，比如Simiwiki网站创始人Daniel Nenni就在论坛表示对这位高管的言论难以置信，要知道TSMC和三星已经发布10nm工艺了，而且比Intel 14nm工艺更好。

相信持此观点的不止一个，不过从另一方面来说Intel这位副总的表态也是有根源的，首先Intel在半导体工艺上领先对手两三年的表态已经不是第一次出现了，Intel早前就表示在半导体工艺上领先对上至少三年半时间，不过那都是2013年的老黄历了，当时14nm工艺还没量产呢。

其次，TSMC和三星虽然在14nm及10nm工艺上“领先”Intel量产，但是这更多地是营销上的胜利，因为追究起来，在真正重要的CPP、Fin Pitch及Metal Pitch三个栅极距指标上，前面两家的14/16nm工艺不如Intel的14nm，即便是10nm工艺也只是比Intel的14nm工艺略微好点，此前业内就质疑过TSMC和三星玩数字游戏，他们的工艺有点名不副实。

说是这么说，只是Intel在这场半导体工艺之争中确实落了下风，这也是事实，即便Intle自信工艺实力比其他两家更好，但是现在再说10nm领先友商三年的话就有点太PPT了——有人开玩笑说AMD整天PPT制敌，现在看来Intel这点也不差啊！

如此看来下一代Exynos处理器名字中带有“9”是跑不掉了，是全新的9系列呢？还是延续之前Exynos 8895命名？

“Exynos 9”处理器很可能会用上三星宣布量产没多久的10nm工艺制作，放弃了原来Exynos 8890猫鼬架构，采用全新的自主CPU架构，有望集成了性能超群的Mali-G71 GPU。三星的Exynos处理器性能一直都是名列前茅，一点都不会差，就是有功耗较高的小毛病，这次换用了10nm工艺后，有希望在功耗以及能效上与骁龙835一决高下。不过在通信基带上一直是Exynos 处理器的弱势项目，不支持全网通确实不太符合中国市场，中国市场的Galaxy S8多半仍是采用骁龙835处理器。

Intel前不久公布的这个8代酷睿处理器就是早前曝光的Coffeelake（咖啡湖）处理器，但跟最早爆料的也有所不同，官方并没有提到所谓的6核处理器，否则Sysmark跑分提升也不会是15%这么低了。既然桌面版都没有6核版，那么笔记本版Coffeelake出现6核版的可能性就更不大了。

8代酷睿处理器今年下半年问世，也比之前传闻的2018年发布早一些，只是除了官方宣称的那个15%跑分提升之外，我们对8代酷睿处理器的其他规格还知之甚少，目前能够确定的是它还是基于14nm FinFET工艺，但这个工艺又不同于之前使用的14nm，应该是第三代14nm FinFET工艺了。

从Broadwell算起，Intel的14nm工艺已经衍生出四代产品了，Broadwell最先使用，但没有大规模量产，架构升级的Skylake才算是量产型14nm工艺，去年下半年发布的Kaby Lake是第二代14nm工艺（14nm+），现在公布的8代酷睿处理器则是第三代14nm工艺——14nm++，这样一来就跟Intel规划的10nm节点推出10nm、10nm+、10nm++三代工艺对应起来了。

对于8代处理器，大家对性能、功耗上的表现也别期待太高了，因为架构、工艺也都是优化版，不会有明显的改善。好消息是8代处理器也不会换插槽，继续兼容LGA1151插槽，理论上200系、100系主板也能继续兼容下半年的处理器，不过具体情况还得等Intel及主板厂商那边确认如何兼容，升级BIOS是免不了的。

过去的两年中Intel的处理器工艺及路线图因为种种因素不得不做出调整，14nm工艺延期一年多，10nm工艺本应该在去年问世，不过也延期到今年下半年了，首款10nm处理器代号Cannonlake，Intel官方承诺的发布日期是今年下半年，只不过首批推出的Cannonlake处理器都是移动版的。

早前在CES展会上，Intel展示过基于Cannonlake处理器的笔记本，官方表态将在今年下半年——准备来说是到今年底才会正式出货。10nm桌面版还是个谜，但从Intel的路线图来看，未来的第八代Core处理器还是基于14nm工艺的，Sysmark跑分号称能提升15%，看起来就很像是牙膏式升级。

8代Core处理器还是基于14nm工艺

对于即将开始建设的Fab 42工厂，Intel公司副总Ann Kelleher也透露了更多细节，此前的官方公告中说Fab 42工厂主要针对未来的7nm，不过Kelleher表示该工厂的制程工艺还会超越7nm(beyond)，也就是说未来还会升级5nm——虽然Intel现在并没有公布5nm工艺路线图，因为7nm工艺都是2020年之后的事了。

Fab 42是Intel宣布的第一个升级7nm工艺的工厂，以Intel的产能，一座7nm工厂是远远不够的，不过官方目前还没有作出决定下一轮升级哪座晶圆厂，至少在明年初期都不会公布正式决定，还得等等。

柯再奇表示Intel将会在今年年底前将Cannon Lake推向市场，以此击退之前那些说Cannon Lake会延期的传言，不过这次Cannon Lake的首秀相当的短暂，在用其短暂的播放了一段广告后就被送下了舞台。

柯再奇拿着这台Cannon Lake笔记本的时候说到：“我听说摩尔定律死亡比我职业生涯中的任何事情都要多，今天我就要在这里向你们展示，并且告诉你们，摩尔定律还活着，而且活的很好很旺盛。”

不过根据之前曝光的线路图，首批Cannon Lake处理器只有低功耗的U系列与Y系列处理器，都是双核+GT2核显，15W以上的处理器还是使用14nm工艺，不过明年会有新的14nm Cannon Lake架构，新的架构最大的特点就是会有6核，Intel终于要把6核处理器下放到主流平台了。

我们都知道半导体工艺越先进，制造出的晶体管体积越小，性能越强，功耗越低。Intel企业院士Mark Bohr在IEEE刊物上提到了他们的10nm工艺的详情，认为Intel的10nm工艺不仅远超14nm工艺，也比其他公司的10nm工艺更好，10nm工艺制造出的晶体管最小栅极间距从上代的70nm缩减到了54nm，逻辑单元可缩小46%。

先进工艺带来的技术优势固然好，但越来越高的开发成本也让很多公司却步。对于这一点，Mark Bohr也承认10nm工艺整体成本会比14nm更高，不过均摊到每个芯片上成本实际上还是降低了（但是Intel得清楚不是所有公司都有这么大产量的）

Mark Bohr如此夸赞10nm工艺，其实就是在外界强调摩尔定律未死，这是Intel过去三十多年领先业界的黄金定律，自然不会轻易放弃。

Intel科研人员说10nm处理器不仅可以提高性能，还可以降低功耗，但性能与功耗终究是要有所取舍的，Intel最近几代处理器在性能上其实变化并不大，而10nm工艺实际上被公认为低功耗工艺，并非高性能节点。Mark Bohr也表示新工艺的首要目标是降低能耗，只有这样才能在芯片中加入更多核心，或者在GPU中加入更多执行单元，进而降低整体成本。

三星的10nm工艺去年10月份就宣布量产了，TSMC也将在今年初期量产10nm工艺，不过这两家的10nm工艺栅极间距确实不如Intel优秀。至于GlobalFoundries，他们已经确定跳过10nm工艺，直奔未来的7nm工艺，不过低功耗工艺上有12nm FD-SOI工艺。

Intel在14nm节点已经出了14nm及14nm+代工艺了，而在10nm则规划了三代工艺，分为10nm、10nm +、10nm ++，就算今年推出第一代10nm工艺，整个10nm节点至少也要维持三代处理器，直到2020年之后才会升级到7nm节点。

Altera此前是全球最大的FPGA公司，他们的FPGA芯片也需要代工厂，之前跟赛灵思一样依靠TSMC，在14nm节点Altera跳到Intel那边了，后来又被Intel公司花160亿美元收购了，现在变成了Intel子公司。Intel、Altera现在的重点是Stratix 10芯片，使用的是14nm工艺，配备HBM 2显存，此前已经出样给客户，今年可以商用。

那么下一代产品呢？Altera最大的对手赛灵思之前已经跟TSMC联合宣布了10nm工艺的FPGA芯片，Altera新产品也会升级到10nm，考虑到他们已经变成了Intel子公司，使用Intel 10nm工艺应该很正常，但是现在传出的消息可不一样，他们有可能跳回TSMC的10nm工艺代工。

对岸的Taipei Times在一篇报道TSMC公司的新闻中提到了TSMC 10nm工艺的客户，除了我们之前知道的苹果、联发科及海思之外，FPGA领域还有赛灵思，这个也不稀奇，但是竟然还有Altera，他们的消息来源是麦格理资本公司的报告。

如果这则消息最终成真，那么意味着Intel的10nm工艺延期不仅影响自家的CPU进度，就连FPGA芯片都等不及了，这对Intel来说有点难堪啊！

按照Intel最初的Tick-Tock计划，10nm工艺的处理器早在去年就得量产了，这是Tick升级周期，不过随着14nm的延期，10nm工艺也得调整，官方此前的说法是2017年下半年发布Cannonlake处理器。只是计划赶不上变化，10nm工艺的量产可能还有很多技术问题，良率比之前的14nm工艺还要低，SA网站的查理“大婶”前几天发了一篇分析文章，谈到了这些问题。

最终的结果是什么呢？半导体工艺不能按时升级，Intel就不得不调整产品发布策略。10nm Cannonlake继续延期呗，今年初则会发布Kaby Lake桌面版，两者之间填补空白的就是Kaby Lake Refresh升级版，类似Broadwell延期之前Intel推出了Haswell Refresh升级版过渡那样。

Kaby Lake Refresh升级版的消息前几天就有了，也得到了Intel官方资料的确认，而且会成为8代智能处理器，这要比Haswell Refresh的地位还要高，毕竟后者的命名只是小改，Kaby Lake Refresh直接得到正室地位。

有关Intel未来几代处理器的消息实在够混乱，因为2018年还有个14nm的Coffee Lake处理器，再加上Kaby Lake-X、Skylake-X等平台，Intel这下不升级工艺了，反倒是把产品线拉的越来越大。

Intel这样挤牙膏对AMD来说倒是个好事，Intel只要不快速升级到10nm工艺，AMD的14nm Ryzen处理器就能跟Intel 14nm处理器周旋一段时间，撑到GlobalFoundries未来的7nm工艺量产。

最后要说一个长期以来都在谈的问题——Intel拥有地球上最强大的半导体工艺，但在10nm甚至以后的7nm、5nm工艺上似乎要落后TSMC和三星了，三星去年10月份就敢宣称量产10nm，TSMC今年初也会量产10nm工艺，进度比Intel提前半年到一年，未来的7nm甚至号称领先1-2年。但是，这两家宣称的领先只是“嘴炮”，不可否认他们快速缩短了与Intel的差距，但说超越Intel还有点早。

尽管TSMC、三星的半导体工艺在线宽——也就是常说的xx nm中的xx数字上达到或者超过了Intel，但线宽只是衡量半导体工艺的一部分，真正要看的还是晶体管大小，这就要涉及到Gate Pitch栅极间距及Fin Pitch鳍片间距了，日本PCwatch网站之前做过三家半导体工艺的晶体管大小对比，如下图所示：

三星、TSMC及Intel工艺的晶体管间距

就说14/16nm工艺吧，Intel的晶体管间距是70x52nm，TSMC的16nm是90x64nm，三星14nm LPE是84x64nm（另有78x64nm），显然Intel的14nm晶体管体积才是最小的，三星、TSMC两家要比Intel的晶体管大得多，即便是10nm工艺，三星的也有64x48nm，只比Intel的14nm晶体管略好，所以TSMC、三星这两家所谓的新一代工艺其实要落后于Intel半代水平，超越Intel只是因为市场宣传而已。

在10nm节点，GlobalFoundries直接跳过了该节点工艺，半导体市场老大Intel比较谨慎，要到明年下半年才量产10nm工艺，而TSMC、三星就比较激进，三星今年10月份就宣布量产10nm工艺了，不过这跟当年抢先量产14nm LPE工艺一样，这两家的10nm工艺被传良率不足，初期产能会很紧张，将会影响新一代移动处理器进度。

面对这个传闻，TSMC本周一做了回应，不过他们没提确认或者否认良率问题，只是对外大打强心剂，强调10nm工艺明年Q1季度就会带来收益，这意味着2017年1-3月份10nm工艺就会量产。

尽管TSMC官方不会证实，不过他们首批10nm工艺客户就是苹果、联发科及华为海思，其中联发科Helio X30号称首个10nm工艺处理器，但之前被爆因为客户不足而砍单，而海思的麒麟970处理器尚未公布，上市时间也是个迷，TSMC的10nm工艺真正依靠的还得是苹果，包括新一代平板用的A10X及下半年iPhone手机的A11处理器。

在10nm工艺节点，以往在半导体技术上保持领先的Intel反而最谨慎，官方的10nm处理器Cannonlake要到明年下半年才量产，而且初期也只会用在移动版处理器上。三星和TSMC在14nm、16nm节点上尝到了“领先Intel”的甜头，10nm节点双方追的更紧，双方量产10nm工艺的时间都要比Intel早半年。

不过转换到新工艺并不是那么容易的，初期的产能、良率都是个考验。Digitimes援引业界消息称这两家的10nm工艺良率都比预期要低，这也不可避免地会影响双方客户的处理器进度。

TSMC原本预计会在明年3月份发布的新一代iPad上量产10nm工艺的A10X芯片，但是不让人满意的良率可能会打断计划。

明年的iPhone 8手机将会使用A11处理器，也是10nm工艺生产的，之前传闻说是明年4月份就会量产，不过Digitimes原文称A11量产可能会在2017年下半年开始。

TSMC的10nm不太好，三星的10nm工艺同样面临这个问题，以致于大客户高通对2017年的处理器路线图也比较谨慎了。高通原本计划在骁龙835以及新一代骁龙660系列（代号8976 Plus）上使用10nm，但是现在只有骁龙835确定使用新工艺，骁龙660则会使用14nm工艺。

此外，TSMC公司还任命Geoffrey Yeap负责公司5nm工艺的R&D研发，后者原本是高通公司副总裁，2016年3月份加入TSMC。

TSMC公司原本有两位副总负责R&D研发，Shien-Yang W主要负责16nm及7nm工艺，Min Cao负责20nm及10nm工艺。消息称让Geoffrey Yeap负责5nm工艺有点不同寻常。

2016年联发科原本规划1-2颗16nm芯片、1颗10nm芯片，但是市场变化太快，今年初联发科调整了路线图，原本使用TSMC 16nm FinFET Plus工艺的Helio X30改为10nm工艺，16nm工艺的产品只剩下Helio P20。今年下半年，联发科又追加了1颗10nm芯片——Helio P35。

从量产时间来看，Helio X30预定明年Q1季度量产，相关手机产品将在Q2季度上市，P35芯片则在明年Q2季度量产。

Helio X30（纸面）规格不错，继续10核三簇架构，由4x Cortex-A73 2.8GHz+4x Cortex-A53 2.3GHz+2核Cortex-A35 2.0GHz组成，支持8GB LPDDR4内存，GPU则升级到Imagination定制版的PowerVR 7XT MP4，频率820MHz，网络方面则支持3x CA Cat10 LTE。

联发科之前的高端梦在Helio X10及X20处理器上都失败了，沦为千元机产品，这次X30芯片在规格上强大了许多，超越高通骁龙835/三星Exynos 8895还不可能，但至少差距没有之前X20与骁龙820这么大了。

但是Helio X30也有自己的麻烦，联发科好不容易把规格、制程提上来了，但可能遇到了坏时候——来自对岸经济日报的消息称，联发科原本向TSMC下达了10万片10nm订单（指的应该是12英寸晶圆），但因为潜在客户小米、魅族、乐视在2017年的动向不明，联发科近期评估之后决定下调订单量，而且下调幅度惊人，达到了50%。

不过这个说法遭到了联发科的否认，他们称10nm芯片属于高价产品，定价比今年的X20芯片更高，规划数量也比较少，不会下调这么多。