联电CEO颜博文昨日对外界表示该公司的14nm工艺已经成功进入客户芯片量产阶段，出货给客户的晶圆良率达到了业界竞争水平。算上之前的Intel、三星以及GF公司，联电是第四个量产14nm FinFET工艺的代工公司了。

根据联电公司资料，他们的14nm FinFET工艺技术水平达到业界标准，性能比28nm工艺快55%，功耗减少约50%，晶体管密度则达到两倍。

联电在台湾南科12厂开始量产14nm工艺之后还有个好处，那就是可以把28nm产能转移到大陆合资的联芯公司中以便争取大陆市场的订单。由于对岸政府对半导体公司赴大陆投资有限制——技术水平必须落后台湾本土至少一代，由于联电跳过了20nm工艺节点，所以14nm量产之后就可以把上一代的28nm产能转向大陆工厂了。

28nm工艺虽然两三年前的工艺了，不过这代工艺会很长寿，目前在移动处理器上高通、联发科依然有许多产品使用28nm工艺，大陆市场需求依然很高，联电现在可以把28nm产能转移到厦门地区合资设立的联芯电子了。

联电及关联公司和舰持有联芯一半股份，联芯电子去年11月份投产，设计月产能为5万片晶圆，初期产能不到1万片晶圆/月，只要工艺还是55nm及40nm，很快就可以转移联电的28nm产能了。

中芯国际是另一位台湾晶圆代工业教父级人物张汝京在大陆创立的本土代工企业，此前已经使用28nm多晶硅（PolySiON）工艺为高通代工骁龙410处理器，现在推出的28nm HKMG（高介电常数金属闸极）工艺属于高性能工艺，通过使用高介电常数材料，HKMG工艺能有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。

中芯国际的28nm HKMG工艺已经通过了验证，正准备量产。目前已经用于联芯的4G芯片流片，虽然具体型号没提，不过通告中提到这款芯片速度达到了1.6GHz。

中芯国际CEO及执行董事邱慈云博士表示，中芯国际还将持续对28nm工艺进行改良，预计今年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强版，为客户提供更多选择。

话说回来，尽管28nm还会长期存在，不过这种工艺相比TMSC、三星的16/14nm FinFET工艺已经落后了两代，中芯国际也在开发自己的14nm FinFET工艺，去年比利时国王访华时，中芯国际、高通、华为及比利时微电子中心联合签署了合作协议，联合开发14nm FinFET工艺，但量产时间有可能到2020年，依然会比国际主流工艺落后一点。

雷军的原话是这样的：小米极其重视产品的体验和品质，每款手机我都直接参与研发和测试。要达到小米要求的高体验和高品质，今天的高品质手机成本不可能做到399元。所以，请大家帮忙转发澄清：小米目前没有计划做399元手机！

另外一条转发微博中，小米手机产品公关总监@风中化石表示收到媒体朋友爆料，最近这说法其实是某友商品牌找媒体和KOL做的“黑稿”。

先不管友商这个经常被拉出来背黑锅的词，重点放回雷军的原话上，其实他也没把话说死，只是说现在399元的成本做出来的手机无法达到他们的要求，而且是“目前没有计划”，可能会先出定价499、599元的入门手机，以后再降价下去。