目前美光提供的HBM3E产品拥有16个独立的高频数据通道，采用了1β（1-beta）工艺打造，封装规格为11mm x 11mm，堆叠8层和12层的24Gb裸片，提供了24GB或36GB容量，带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s。美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，封装互连缩小了25%，功耗比起竞品降低了30%。美光凭借先进CMOS技术创新，结合先进的封装技术，提供了改善热阻抗的结构解决方案，有助于改善立方体的整体散热表现，加上大幅度降低的功耗，为客户提供了功耗更低、散热效率更高的HBM3E产品。

美光还打算将1β工艺应用到其他产品上，包括LPDDR5X产品组合等，以推动了异构计算环境中系统架构的重大创新。

据了解，日本政府已经批准高达1920亿日元（约合人民币88.66亿元）的补贴，以支持美光的广岛工厂生产下一代芯片。日本经济产业省去年表示，这笔补助资金将帮助美光整合ASML提供的EUV光刻设备，生产的芯片将为人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和自动驾驶技术提供动力，对于未来科技的发展至关重要。

美光在当地本身就有生产设施，其实在更早之前已经计划扩充并升级生产线。美光最初计划2024年初之前开始运营新工厂，但是出于各种不利市场条件，最后调整了时间表。此外，美光还在2013年收购了日本的DRAM厂商尔必达（Elpida），得到了4000多名工程师和技术人员，增强了自身的技术实力。

近年来，日本在半导体领域呈现了复苏的趋势，日本经济产业省与各个私营部门展开多方面合作，促进了相关产业的布局和发展，同时有利的汇率政策也有助于工厂建设和投资。不过日本半导体人才面临短缺，或许要通过人才发展补贴计划来满足未来的发展需要。

该款产品在外观上也延续了之前的设计，配备的铝制散热模块改成了白色，采用折纸工艺设计，有着时尚酷炫的造型，没有RGB灯效，这与之前基本款的Classic系列是一样的。这次提供的超频版只有一款32GB套装（16GB x2）有着更低的时序，为CL36-38-38-80，运行电压为1.35V，同时支持Intel 3.0和AMD EXPO技术。

美光称，超频版比起同样是DDR5-6000的标准版降低了25%的延迟，可以进一步提高1080P和1440P分辨率下内存密集型游戏的运行帧率，比如《赛博朋克2077》和《彩虹六号：围攻》等。按照过去美光的说法，以后超频版还会有48GB套装（24GB x2）可选。

英睿达LPCAMM2内存的运行电压为1.05V，数据传输速率达到了7500 MT/s，是普通DDR5 SO-DIMM的1.3倍。相比于DDR5 SO-DIMM，LPCAMM2的运行功耗降低了58%，待机功耗降低了80%，并节省了64%的空间。尽管LPDDR5X在延迟方面不如DDR5，但可以利用更高的数据传输速率抵消。与焊接式LPDDR5X内存子系统相比，这种模块化的外形设计不会增加LPDDR5X内存的延迟。

JEDEC在去年12月宣布，Dell的CAMM正式成为了JEDEC标准规范，被命名为“CAMM2”，未来将取代SO-DIMM内存模块。CAMM2有两种设计，除了常规的DDR5，还能用于LPDDR5(X)，同时可以通过单个模块提供更高的带宽和双通道（共128-bit总线位宽）支持。与焊接式内存子系统不同，新设计是可以升级的，允许用户在需要时更换内存模块并增加容量。

目前容量为64GB的英睿达LPCAMM2 LPDDR5X-7500内存已经可以订购了，售价为329.99美元（约合人民币2384.08元）。

美光副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示：“凭借这一最新批量出货的里程碑产品，美光将继续引领市场，为我们的客户提供已通过所有主要平台认证的大容量RDIMM。AI服务器可以选择配置美光的24GB 8层堆叠HBM3E（用于GPU连接）和128GB DDR5 RDIMM（用于CPU连接），以提供内存密集型工作负载所需的容量、带宽和功耗优化的基础架构。”

美光认为，新款高性能、大容量内存模块专为满足数据中心各种关键任务应用的性能需求而设计，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMDB）、以及多线程、多核计数通用计算工作负载的高效处理，未来将大批量应用在服务器CPU中。新产品已得到AMD、HPE、英特尔和超微等业界厂商的支持，建立了强大的生态系统。

目前美光已经开始供应128GB DDR5RDIMM内存模块，并将于2024年6月通过选定的全球渠道分销商和经销商提供。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，这是美国半导体制造的历史性时刻，而美光领先的内存是满足人工智能日益增长需求的基础，这将创造许多高科技就业机会。美光拟议的投资将分布在纽约州和爱达荷州，以在美国创建一个强大的领先DRAM芯片生态系统：

纽约州克莱 - 计划里四座晶圆厂的前两座，属于DRAM工厂，是美光未来20年内在纽约投资约1000亿美元长期投资计划的第一步。每座晶圆厂拥有600,000平方英尺的洁净室，四个设施的洁净室空间总计240万平方英尺，这是美国有史以来宣布的最大洁净室空间，面积相当于近40个足球场。

爱达荷州博伊西 - 投资250亿美元建造一座大型晶圆厂，洁净室约600,000平方英尺，专注于生产领先的DRAM芯片。这与美光的研发设施位于同一地点，以提高其研发和制造业务的效率，减少技术转让的滞后，并缩短尖端内存产品的上市时间。

美光承诺，未来六年内斥资500亿美元建造前三座晶圆厂，预计将在纽约州创造9000多个制造和设施工作岗位以及4500个建筑工作岗位，并在爱达荷州创造2000多个制造和设施工作岗位以及4500个建筑工作岗位。

美光表示，这次四层单元的NAND闪存新品是一项突破性的成就，提供了前所未有的层数和密度，可实现比以往NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性，并缩短了访问时间。美光232层QLC NAND闪存通过利用以下重要功能，为移动、客户端、汽车、边缘和数据中心存储的用例提供无与伦比的性能，包括：

全球位密度最高的OEM量产型NAND闪存，密度比起自家上一代176层QLC NAND闪存提高了30%。

业界领先的位密度，领先于竞争对手的最新产品，结构更为紧凑，相比提升了28%。

业界领先的NAND闪存I/O接口速度，达到了2400 MT/s，比上一代提高了50%。

读取性能比上一代176层QLC NAND闪存提高了24%。

写入性能比上一代176层QLC NAND闪存提高了31%。

存储解决方案和定制企业级SSD设备制造商Pure Storage的总经理Bill Cerreta表示，美光的232层QLC NAND闪存是其大容量DirectFlash模块的关键，在美光的推动下，让Pure Storage在2028年之前完成取代数据中心所有机械硬盘的目标上又向前迈进了一步。

现在美光宣布，带来适用于智能手机的LPDDR5X新版解决方案，在保持9.6 Gbps的速率同时，将功耗进一步降低了4%，再次突破了原有的界限。美光还表示，新的LPDDR5X解决方案也能用于标准低功耗压缩附加内存模块（LPCAMM2）。

美光表示，在新的LPDDR5X解决方案里，利用了增强型动态电压和频率扩展内核（eDVFSC）和第二代high-k金属栅极（HKMG）技术来提升节电效率，从而显著改善了功耗表现，并能灵活地提供工作负载定制的功耗和性能，这样的改进为移动生态系统提供了在边缘释放生成式人工智能（AI）所需的性能。

根据消费者调查报告，显示智能手机的续航能力是他们选购时最关心的功能，超过了其他关键指标，前三位分别是电池续航时间（61%）、拍照质量（48%）和5G网络连接（24%）。美光认为随着人工智能用例和应用引入到旗舰智能手机，对于计算相关硬件的能效要求会更加高，市场研究显示到2027年，全球预计会有超过10亿台AI智能手机出货，并渗透到中端设备上。

目前美光已经向移动生态系统提供样品，包括为人工智能密集型应用提供持续的高带宽功能，并进一步提高电源效率。

美光嵌入式产品和系统副总裁Michael Basca表示：“随着存储需求竞相跟上以人工智能和先进算法为特色的丰富车载体验，以实现更高水平的自主安全，这个时代需要一种新的汽车存储模式来匹配。在我们与重新定义下一代汽车架构的创新者合作的基础上，美光重新构想了存储，推出了世界上第一款四端口SSD，为行业提供了灵活性和动力，以推出即将到来的变革性技术。”

相比于一般的车规级单端口SSD，4150AT在没有车规级PCIe交换芯片的情况下，就能实现多系统间共享单个实体硬盘的容量；美光还针对车用多虚拟机环境进行了优化，4150AT支持运行多达64个虚拟机；以BGA封装形式提供，采用176层TLC NAND闪存，可配置为SLC或高耐久性SLC（HE-SLC）模式；支持NVMe 2.0规范，通过了ASIL-B和ASPICE L3认证；随机读取和随机写入分别为600K/100K IOPS；提供了220GB、440GB、900GB和1.8TB四种容量，对应TBW分别为160TB、320TB、640TB和1280TB。

在美光看来，4150AT这类高性能SSD能够同时有效地管理来自多个SoC的数据流，让其成为更多车辆的理想解决方案，从先进的驾驶辅助系统（ADAS）到到车载信息娱乐（IVI）再到人工智能座舱体验，为消费级汽车带来了企业级的速度。

集邦咨询指出，此次地震影响的厂区是美光内存的重要生产基地，两个厂区已有最新的1-beta制程内存进行生产，后续还将会生产HBM内存。

除了美光，此次受地震影响的内存颗粒厂商还有南亚（Nanya）、力积电（PSMC）和华邦电 （Winbond），这三家受到的影响较小。南亚受影响的厂区主要负责20/30nm制程的产品，最新的1-beta制程内存正在研究中；力积电（PSMC）则以25/21nm制程产品为主。上述厂区在进行短暂的停机检查后已陆续恢复运作。

另外，集邦咨询也报道了台积电的相关状况，称目前其产能利用率较高的5/4/3nm厂区未受太大影响，已在震后6-8小时完成停机检查，并恢复到90%以上的产能；研发总部Fab12因水管破裂而导致部分机台进水，但主要影响的是尚未量产的2nm制程，因此短期内不会有太大影响，只是可能会因为需要重新购买新机台而导致研发成本略有上升。封装厂区方面，目前主要运作的厂区龙潭AP3和竹南AP6在事发后已立即进行人员疏散，停机检查发现冰水主机存在问题，但厂内有后备设施，因此不影响厂区运作，官方已安排陆续复工。

今天美光宣布，位于西安的封装和测试新厂房已正式破土动工，进一步强化了公司对中国运营、客户及社区的不懈承诺。美光还在奠基仪式上宣布，公司将在西安建立美光首个封装和测试制造可持续发展卓越中心（CoE），推动公司在环境、社会和治理（ESG）方面的合作伙伴关系，实现全球可持续发展目标。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra以及全球运营执行副总裁Manish Bhatia，均出席了奠基仪式。

这次美光追加的投资里，包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。此外，美光还将在西安工厂投资多个工程实验室，提升产品可靠性认证、监测、故障分析和调试的效率，从而帮助客户加快产品上市时间。

新厂房预计在2025年下半年投产，并根据市场需求逐步增产。落成后，美光西安工厂的总面积将超过13.2万平方米（140万平方英尺），同时将额外增加500个就业岗位，使美光在中国的员工总数增至4,800余人。

美光也在推进收购力成半导体（西安）有限公司（力成西安）的资产，并将向力成西安1,200名全体员工提供新的就业合同。

MCRDIMM是由英特尔和SK海力士及瑞萨合作开发的，也就是Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合并阵列双列直插内存模组），初始的规格为DDR5-8000。据了解，AMD也准备了一个类似的产品，叫做HBDIMM，不过两者存在一些差异。

根据去年英特尔的展示，Granite Rapids与DDR5-8800的MCRDIMM内存模块搭配，在双路系统里的内存带宽将达到1.5 TB/s。Granite Rapids支持12通道内存子系统，每个通道支持两个内存模块，如果使用DDR5-8800的MCRDIMM内存模块，意味着可以提供3TB（12个插槽）或6TB（24个插槽）的容量。

据了解，美光目前已经向厂商提供了单条256GB的DDR5-8800内存样品。

近日美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在2024财年第二财季财报会议上表示，美光2024年的HBM产能已经售罄，2025年大部分产能的供应也已经分配完毕，预计HBM产品的出货占比将在明年大幅度攀升。2024财年美光将从HBM产品上获得数亿美元的收益，从2024财年第三财季开始，HBM产品收入将增加并提高整体毛利率。

由于需要更多地制造HBM，极大影响了美光其他DRAM的产能，限制了普通内存产品的供应。Sanjay Mehrotra坦承，在同一制程节点生产同等容量下，HBM3E的晶圆消耗量是标准DDR5的三倍，随着性能及封装复杂程度的提高，未来HBM4的消耗量会更大。

这一定程度上与HBM的良品率更低有关，由于需要多层DRAM通过TSV堆叠，只要其中一层出现问题，就意味着整个堆栈报废。现阶段HBM的良品率也就在60%到70%之间，明显低于普通的DRAM产品。

不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的巨大需求推动下下，2024年的HBM产能已经排满。

美光预计2024财年第三财季的营收在66亿美元左右，上下浮动2亿美元，高于59.9亿美元的市场平均预期，每股摊薄收益为0.17美元，上下浮动0.07美元。美光认为，人工智能（AI）的蓬勃发展带动市场对HBM产品的需求，同时预计DRAM和NAND闪存定价在本年度内将进一步提高，有可能让美光在下一个财年实现创历史新高的业绩表现。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光在2024财年第二财季实现了重新盈利，无论是收入、毛利率还是每股收益，都高于原来业绩指引的上限，正面了美光团队在定价、产品和运营方面的出色执行力，相信卓越的产品组合使美光能够在2024年下半年实现强劲的营收，而美光也将是人工智能带来的多年机遇中最大受益者之一。

与SK海力士在HBM3遥遥领先不同，到了HBM3E情况似乎出现了变化，美光和三星的加入让市场竞争变得越来越激烈。去年美光、SK海力士和三星先后都发送了HBM3E样品给英伟达，用于下一代AI GPU的资格测试。这也是英伟达为了保证下一代产品供应，规划加入更多的供应商的举措。

美光在去年7月，推出了业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层堆叠的24GB容量HBM3E，采用了1β（1-beta）工艺制造。随后美光透露，其HBM3E样品的性能更强且功耗更低，实际效能超出了预期，也优于竞争对手，让客户大吃一惊。美光还准备了12层堆叠的36GB容量HBM3E，在给定的堆栈高度下，容量增加了50%。

作为HBM市场的领头羊，SK海力士也不会坐以待毙，近期已向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品，以进行产品验证测试。近期三星也官宣了同类产品，容量为36GB的12层堆叠HBM3E。下一代HBM4有望在2026年到来，相信HBM市场竞争会变得更加激烈。