这项技术是英特尔、加州大学伯克利分校合作的，论文已经发表在了12月3日的《自然》杂志上，它所用的MESO是一种铋，铁和氧（BiFeO 3）组成的多铁材料，这种材料既有铁磁性又有铁电性，而且两种状态又有耦合性，改变一种就会影响另一种，操作电场就能改变磁场，这对研发MESO设备很有用。

这种材料最早是伯克利分校材料科学与工程和物理学教授Ramamoorthy Ramesh于2001年发现的，他也是这篇论文的高级作者，而MESO设备则是英特尔MESO项目硬件小组主管Sasikanth Manipatruni发明的，现在这个突破也是他们合作研究出来的。

根据伯克利发布的新闻，MESO逻辑器件的开关电压可以从3V降低到500mv，并预测可以降低到100mv，是目前CMOS晶体管所需开关电压的1/5到1/10，从1到0的切换能量仅为CMOS工艺的1/10到1/30。除了能耗上的优势，MESO逻辑器件的运算速度也比CMOS工艺高出5倍。

简单来说就是英特尔及伯克利大学合作的MESO逻辑器件为替代目前以晶体管为基础的CMOS工艺铺平了道路，新的MESO逻辑器件在性能及能耗上有极其明显的优势。当然了，这种新技术还在研发中，英特尔提到他们的目标是在未来十年中超越CMOS时代。

　　他认为标准的CMOS半导体工艺会在5nm节点停止，届时一切事物都会达到平衡。作为世界最大的通讯芯片公司之一的联合创始人，他表示有信心看到TB级网速速度，但是PB（千万亿位）级网络速度就不太确定了。

　　Samueli说“我们还有15年左右的时间，但是我们需要准备未来每两年网络带宽不再翻倍的时刻。”

　　此前已经有多位专家语言摩尔定律的终结，但是有深刻技术背景及芯片设计的权威专家并不多，Henry Samueli算是其中的一位。在1991年创立博通公司之前，他是UCLA（加州大学洛杉矶分校）大学的电子工程学教授，专门从事通讯芯片研究。

　　Henry Samueli对EEtimes表示CMOS工艺的终结是他最担心的事情，他们已经跟客户讨论过这个事了。

Intel的制程工艺已经开发到了14nm，10nm也在准备中，但是7nm及以下的工艺尚在探索