Computerbase已经从三星那里获得了新一代内存的各种信息，目前DDR5还处于生命周期的初期，频率普遍不是很高，不过随着时间的推移频率是会慢慢上去的，三星认为在不久的将来DDR5的频率就会提升到JEDEC标准的6400Mbps，而超频条的频率可达到8400Mbps，其实现在就已经有厂商把DDR5内存的频率提升到7000Mbps了。

而下一代的DDR6已经在早期开发阶段，未来用于取代DDR5，当然预计至少在2025到2026年后才会推出，DDR4内存至少用了6年，而DDR5到DDR6估计也会差不多的时间。

三星认为未来的DDR6内存的JEDEC标准会达到12800Mbps，而超频条的频率可能会到17000Mbps，甚至可能会突破20000Mbps，目前DDR6的标准各家目前还在一同讨论中，预计在2024年完成。每个模组DDR6内存的通道数和现在的DDR5相比再次翻倍，变成16bit*4，bank数量增加到最多64个。

显存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+计划，用于取代现有的GDDR6，三星计划在本月采用1znm开始试产GDDR6+，它的频率能到24Gbps，并会成为下一代GPU的配置，如果真能达到此频率的话拥有320/352/384bit显存位宽的显卡显存带宽就能超过1TB/s，而256bit的GPU的带宽也能到768GB/s。

至于新一代的GDDR7显存，预计可提供高达32Gbps的传输速度，并且会支持实时错误保护技术，但三星并没有对其进行详细说明。而HBM3内存，三星计划会在2022年第二季度开始投产，并表示速度会是800GB/s，将会用在未来的HPC和数据中心GPU/CPU系统中。

DDR5是新一代内存标准，相关规范去年已经公布了，三星、美光之前也宣布了旗下的16Gb DDR5内存了，三星去年甚至宣布了移动版的LPDDR5-6400内存了。SK Hynix去年宣布了16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片，使用的也是1Ynm工艺，频率达到了DDR5-5200，带宽比DDR4-3200内存高了大约60%，是目前已宣布的DDR5内存中频率最高的，距离标准上限DDR5-6400MHz也没多远了。

至于DDR5的量产时间，SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存，也就是至少还有一年多时间。在SK Hynix之前，美光也宣布过DDR5内存量产计划，他们预计会在2019年底开始量产DDR5内存。总之，不论哪家内存芯片公司，量产DDR5内存的时间都不会很早，2020年才是起步时间。

但在技术研发方面，DDR5内存的工作是已经完成了，下一步就是DDR6内存了，韩国先驱导报援引SK Hynix公司内存研发人员Kim Dong-kyun的消息称，他们已经开始预研DDR6内存了，预计需要5-6年时间才能完成。

目前业界还没有统一的DDR6规范，SK Hynix方面提出了DDR6内存的两个方向，一个是继续目前不断提升频率/带宽的技术路线，另一个则是跟系统技术结合起来，比如跟CPU结合，目前都没有定论呢。

继续提高频率的话，DDR6内存的频率将达到12Gbps，比目前的DDR5内存标准上限DDR5-6400再翻一倍，带宽也会翻倍，意味着单条内存带宽能达到100GB/s。

不过现在说的这些依然只是DDR6内存技术的潜在选择，5年后内存市场变化会很大，DDR6标准依然是起步阶段，提升频率只是其中一个方向，未来3D堆栈的内存技术必然会对DDR内存发起挑战。