华硕DirectCU II系列显卡在供电和散热等方面表现良好，获得了不少DIY玩家的肯定。几日，著名北欧超频选手elmor和Kinc使用华硕ENGTX580 DirectCU II显卡成功打破了单卡3DMark成绩纪录。

　　OCZ与海盗船已经相继宣布旗下固态硬盘产品将采用25nm工艺的闪存芯片，不过部分厂商对此做法并不认同，例如Mushkin就表示暂时不会推出采用25nm闪存的产品。

　　目前，尽管25nm工艺的闪存芯片能大大节省产品的成本，不过其比起34nm工艺的产品仍然有着性能略差、擦写次数较少等缺点。尽管OCZ和海盗船等厂商认为这些缺点不会影响消费者对产品的体验，但是Mushkin等持反对意见的厂商就认为目前消费者是享受不到25nm工艺的好处的， 因此他们仍然坚守34nm工艺，保证为消费者带来和预想一致的体验。

　　近日，OCZ公司宣布旗下所有SSD固态硬盘产品都将采用20nm级别工艺的NAND闪存芯片，以进一步降低产品成本。

　　根据OCZ方面的表示，他们在不断开发性能更好的固态硬盘产品的同时，亦在努力降低现有产品的成本，而20nm级别NAND闪存芯片的将采用将有效控制固态硬盘的成本，为玩家带来性价比更高的产品。

　　近日，OCZ正式发布了面向企业级市场的新款PCI-E固态硬盘Z-Drive R3，该产品采用了OCZ自行开发的VCA虚拟化控制器架构技术，拥有相当强悍的性能。

　　一般来说，如果要获得强悍的磁盘性能，都会通过组建RAID的方式达成，不过这样的话固态硬盘将无法支持TRIM。因此OCZ在其Z-Drive R3 PCI-E固态硬盘中并没有使用RAID技术，而是采用了自家的VCA虚拟化控制器架构技术，通过虚拟控制器直接控制多个闪存控制器，突破单控制器的界限并提升固态硬盘的读写性能，还可以对TRIM功能提供支持。

　　几年前，OCZ曾经推出过一款名为PC Power & Cooling's Silencer 750W的静音电源，正如其名字，不但电源很给力，静音效果也相当好，甚至被国外好几家媒体评为当年的“编辑选择奖”。不过OCZ似乎并不吃这一套，随后走到了别的路上去了，再也没有推出过这个静音系列的静音电源。但在CES 2011展会上，OCZ却吃了回头草，推出了全新的PC Power & Cooling's Silencer系列电源。

　　日前，华硕（ASUS）在北京朝阳区798艺术区举办了“WGT2010颁奖礼暨华硕2011年度新品发布会”，虽然气温严寒，但当地游戏粉丝和华硕产品忠实粉丝的热情丝毫不减，活动最后取得完满成功，以下让我带大家回顾一下发布会当天的盛况。

　　自从进入SSD固态存储市场之后，大量的收入让OCZ更加坚定了他们的想法：放弃DRAM，专攻SSD市场。

　　现在已经有越来越多的电脑爱好者开始关注SSD固态硬盘。和旧的机械式硬盘比起来，SSD无论在开机速度，程序运行速度以及系统整体性能都有大大的提高。OCZ在DRAM市场可以说久负盛名的，近年来OCZ的产品线已经大大拓宽，包括散热器和电源产品在内，而SSD更加是该公司近年来的重点。

　　在CES 2011展会的海盗船展位上，我们看到了由两块P3系列SSD固态硬盘组成的RAID 0阵列。P3系列SSD固态硬盘是目前除了OCZ的Vertex 3系列之外最快的SSD了，单块最大读取速度可以达到480MB/s，那么由两块P3组成的RAID 0又可以达到怎样的一个高速呢？

　　在CES 2010上，著名的内存厂商OCZ曝光了三款最新的SSD固态硬盘。这三款产品分别是Vertex 3 Pro, Vertex 3 EX和Z-Drive R3 PCIe。

　　虽然完整的技术参数要稍候才会公布，但是从OCZ透露出来的丁点消息里面，我们已经可以感受到这三款SSD固态硬盘的强大了。首先是Vertex 3 Pro，它采用SATA 6Gbps接口，SandForce最新一代的硬盘控制器，因此IOPS（每秒进行读写I/O操作的次数）接近80000，传输速率也高达550MB/秒。Vertex 3 EX则是相对低端一些的版本，不过也同样是SATA 6Gbps接口，MLC闪存，虽然传输速率只有525MB/秒，但也不至于和Pro版相差太远。Vertex 3 Pro和Vertex 3 EX的容量将有100GB、200GB、400GB三种。

　　本年度最受关注的DX11显卡测试程序3DMark 11在7日隆重登场，在此前的首发评测文章中我们已提到新版本与前作3DMark Vantage有着许多的不同。

　　日前，OCZ（饥饿鲨）发布了全新的Xtreme Thermal Exchange（以下简称XTE）和Blade 2系列内存模组。特点是搭配了铝合金材质散热马甲，工作电压非常低仅为1.65v。

　　其中XTE系列内存模组又细分为白金XTE和黄金XTE两个版本，它们具有双通道和三通道两种类型，总容量分别为4GB和6GB，可支持频率为DDR3-1600/2000/2133MHz。

　　最近OCZ推出了最新的第二代PCI-E固态硬盘——RevoDrive X2，配备了四颗SandForce-1200主控芯片并内部组建RAID 0，因此读写性能相当强悍，已经远远超过了SATA 6Gbps的带宽。

　　RevoDrive X2采用PCI-E 1.1 x4接口，尺寸为181.07x21.59x126.39mm，重171g，待机功耗4.3W，工作功耗8.3W，平均故障间隔时间200万小时，有100、160、240、360、480、720、960GB七种容量可供选择。

　　OCZ即将上市一款硬盘IBIS，这款硬盘将成为首款采用HSDL（High Speed Data Link）接口的固态硬盘，其宽带速度可达20Gb/s，目前正进入测试阶段。

　　这款硬盘盒体积3.5英寸，除了采用HSDL接口，它还配备了NAND闪存，四个SandForce SF-1222控制器，MTBF时长达200万小时，读取速度为740MB/s，写入速度为720MB/s。

　　昨天，OCZ（饥饿鲨）发布了超低电压（简称ULV）和极致低电压（简称ELV）系列DDR3内存模组，它们全面支持Intel平台。ULV系列内存的工作电压为1.5V，该产品是采用收割者HPC和黄金马甲的内存套装；ELV系列内存的工作电压则是为1.35V，它是一款采用白金马甲的内存。 　　白金ELV系列内存具有4GB和6GB两种套装，它们的频率分别为1333MHz和1600MHz；而ULV系列内存套装则具有4GB、8GB和12GB三种内存套装。

　　OCZ产品管理副总裁Eugene Chang称：“在过去，较低的电压只能意味着更低的性能表现，而现在我们的极致低电压内存不但优化了内存的性能，而且也为消费者孤节约了能源。”

　　在IDF 2010展会上，OCZ展示了自家研制的极速PCI-E固态硬盘，读取和写入速度分别达到740MB/s和730MB/s的RevoDriver X2。