• 东芝发布首款16核堆栈的NAND闪存：容量256GB，功耗降低50%

    bolvar 发布于2015-08-07 10:36 / 关键字： 东芝, NAND, TSV, 堆栈, 闪存

    东芝、闪迪今年底就要正式推出48层堆栈的BiCS 3D闪存，MLC核心容量可达128Gb，现在东芝又宣布了世界首款16核堆栈的NAND闪存，这两者别搞混了，前者的3D堆栈指的是闪存核心（die）内部的堆栈，现在的堆栈使用的是跟AMD的HBM显存一样的TSV工艺，是16个闪存核心的堆栈，目前的原型产品中封装容量最高256GB，I/O接口速度1Gbps，要比其他闪存更快，而耗电则低了50%。

    东芝的16核堆栈NAND闪存

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  • Fury X产能有望提升：联华电子开始为AMD量产硅穿孔中介层

    灯罩 发布于2015-07-21 10:53 / 关键字： AMD, Fury X, 中介层, TSV, 硅穿孔, 穿透硅通孔

    AMD新一代旗舰显卡Radeon R9 Fury X上市也有一段时间了，不过新工艺的产能往往会低一些，这款显卡供货不多，往后的R9 Fury以及R9 nano也将受到影响。不过现在他们迎来了好消息，联华电子宣布，他们的TSV穿透硅通孔技术已经进入量产阶段，将可帮助AMD度过产能的难关。

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