虽然都是3D堆栈闪存，不过几家厂商所用的技术并不完全相同，东芝、闪迪联合研发的3D闪存叫做BiCS 3D NAND（Bit Cost Scaling），堆栈层数达到了48层，核心容量为128Gb，而三星第一代V-NAND堆栈层数才24层，目前的第二代是32层堆栈，Intel、美光的3D NAND也是32层堆栈，不过他们的核心容量是256Gb，TLC类型则可以做到384Gb核心。

除了堆栈层数最多之外，东芝、闪迪的BiCS 3D闪存号称在所有3D闪存芯片中核心面积最小，这一点倒一直是东芝/闪迪闪存的优点，15nm的平面NAND中东芝闪存也是核心面积最小的。

东芝、闪迪的BiCS 3D闪存

东芝、闪迪去年就宣布了新一代NAND晶圆厂的建设，日本四日市的Fab 5一期、二期工厂主要生产15nm工艺，都已经投产，新建的Fab 2工厂则面向3D闪存，经过一年的建设现在已经开始安装3D闪存生产设备，预计今年下半年开始初步生产并出样，2016年初3D闪存正式出货。

eMMC 5.1支持命令行序列，能够大幅度提升闪存的性能表现，另外还支持安全写保护功能，可提升安全性。东芝这次推出了四款eMMC 5.1的产品，容量从16GB到128GB，封装尺寸为11.5*13mm，厚度则根据容量从0.8mm到1.2mm不等。

东芝预计在今年第二季度开始量产这些eMMC 5.1闪存，在不久的将来我们可以看到高端移动设备中大量使用eMMC 5.1的产品。

东芝Encrypted USB Flash Drive采用军工级AES 256-bit硬件加密技术，适合企业机构、政府部门等对数据安全敏感的用户，U盘上还有密码按键，用户可以直接输入密码对U盘进行加密，当然这是需要插入带电的电脑上进行啦。

东芝Encrypted USB Flash Drive加密U盘容量较小，只有4GB、8GB、16GB、以及32GB，对一般用户来说真小了点，再说价格也很高，对于售价分别为95美元、112美元、140美元、200美元，提供三年质保。

这个“虚拟试衣间”的外部硬件包括一块大屏幕和一个微软Kinect体感摄像头，其中Kinect发挥了最重要的作用，一方面可以让屏幕“假装自己是镜子”，另一方面可识别买家的手势，其中举起右手可以更换衣服，举起左手可以自拍，照片可以通过二维码获取。

目前东芝这款新型的虚拟试衣间只有女装，所以参展的众多壮汉们纷纷表示不合身（这不是理所当然的吗喂），不过它的作用主要就是给你看大概的样子，当然是和穿在身上有一些区别了。

稍后补充一个Eli the Computer Guy拍摄的现场视频。

东芝的这款NFC闪存卡支持NFC Forum Type 3 Tag标准，支持Android 4.0-4.4系统，通过使用东芝的Memory Card Preview应用程序，用户可以很方便地在安卓设备与存储卡之前共享照片、视频等内容。

除了支持NFC这个特性之外，这款SDHC卡就没什么特殊的了，容量有8、16及32GB三种，支持UHS-1、Class 10标准。

这款NFC SDHC卡预计在今年2月份起开售，但售价未知，估计比一般的SD卡要贵上许多，东芝的FlashAir SD卡就是如此，NFC闪存卡也没理由便宜。

东芝在CES展会上公布的BG系列SSD还处在研发阶段，它不是用来秀速度的，而是通过使用类似eMMC闪存上的技术来缩小体积，它支持PCI-E接口、NVMe 1.1规范。借助东芝先进的BGA封装技术，它能在单PCB单封装上实现128GB、最高256GB的容量。

这两种容量的PCI-E SSD长宽都是20、16mm，128GB版容量的厚度为1.4mm，256GB容量的厚度为1.65mm，重量只有1克，相比常规产品减轻了95%的重量，可以用于超轻薄PC及数码产品中，此外SSD空间重量的减少也有助于提高电池空间，增强续航时间。

此外，东芝CES期间还发布了全球首款2.5寸规格的3TB硬盘MQ03ABB300，转速5400RPM，使用的是PMR垂直记录技术，单碟容量750GB，四碟装，预计今年5月份出货。

目前笔记本中有不少型号开始使用3K甚至4K分辨率的面板，东芝新开发的这个面板并不是首个4K分辨率的笔记本面板，但它是裸眼3D显示的。了解3D显示的玩家应该知道，同样的面板，显示3D图像时亮度会降低一半，导致画面效果降低，而东芝这个面板支持3D与2D显示切换。

东芝的这款4K 3D面板使用了低串扰、高清晰度液晶DRIN镜片技术，从2D转换到3D模式也不会有明显的亮度损失，此外它还能降低液晶镜片的串扰，从常规的5%降低到2%。总之，与东芝之前发布的面板相比，这款15寸4K 3D面板的3D分辨率已经提高了5倍，现在3D模式下欣赏之前的高清晰度2D图片已经成为可能。

最后，东芝还准备把这项3D/2D切换技术应用到所有大小的屏幕之中，也许过不了多久，手机所用的小尺寸屏幕也能实现3D与2D显示切换了。

跟其他HDD公司一样，东芝的新硬盘同样是首先供应企业级市场，所以才有SATA 6Gbps和SAS 12Gbps两种接口，其中MG04系列的2TB、3TB、4TB、5TB只有SAS 12Gbps接口，6TB版有SATA 6Gbps和SAS 12Gbps两种接口。

东芝MG04新系列硬盘转速7200RPM，缓存128MB，2-5TB版平均寻道时间8.5毫秒，6TB版为9.5毫秒，2TB、3-4TB、5-6TB的最大速度分别是175MB/s、185MB/s、205MB/s，SATA接口下待机功耗6.0W，读写功耗11.3W，支持7x24小时工作，可靠性时间为140W MTBF。

虽然发布了，不过东芝这批硬盘还要等到2015年Q1季度才能出货，那个时候HGST的10TB硬盘都要上市了。

三星Q3季度NAND营收24.58亿美元，环比增长8.2%，占据了29.7%的份额，相比Q2季度的30.8%份额有所下降，不过排名不变，依然是全球最大的NAND厂商。

东芝当季营收19.4亿美元，环比大涨了23.7%，是几大NAND厂商中涨幅最高的，市场份额也从Q2季度的20.5%提升到了22.6%，虽然还是落后三星，不过差距越来越小了。

与东芝同门的闪迪公司营收16.1亿美元，环比增长6.5%，市场份额18.8%，比Q2季度的19.7%有所下滑。

第四位的是美光，NAND营收10.5亿美元，营收环比增长5.9%，份额12.2%，相比Q2的12.9%也有所下降。

第五名的是SK Hynix，NAND营收8.81亿美元，环比增长了21.7%，市场份额10.3%。

第六位的就是Intel了，营收5.54亿美元，增长了10.1%，市场份额6.5%。

全球6大NAND豪门分数四系，这几年领跑的一直是三星，此前三星投资70亿美元在西安建厂，主要生产3bit MLC（也就是TLC闪存），而且是基于V-NAND技术的。东芝、闪迪共同开发生产，15nm TLC闪存也箭在弦上，明年Q1季度量产。这三家实力最为雄厚，在下一代TLC闪存上还会继续领先。