PRAM阻变式存储器也被称为相变内存，PRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成，其特点就是受热之后可以改变形状，成为晶体或者非晶体，而不同状态具有不同电阻值，因此可以用来储存数据。

与普通的DRAM相比，PRAM内存不仅写入速度快30倍，寿命延长10倍，而且PRAM内存在断电时不会丢失数据，所以它不仅可以替代内存，也可以替代闪存。目前Intel、三星等公司都在积极投身PRAM内存研发。

中芯国际合作的伙伴Crossbar是全球PRAM内存产业中的领导者之一，中芯国际将使用40nm CMOS工艺为其代工PRAM产品，将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。

徐建华此前是台联电UMC公司的资深副总，也是UMC公司创始人、荣誉董事长曹兴诚的爱将，早在2001年就代表联电登陆国内市场，在上海创办了和舰科技，这是台湾公司首次在大陆设立的8英寸晶圆厂。由于是“偷跑”，徐、曹二人甚至被起诉，不过最终被判无罪。

台湾经济日报披露的徐建华档案

徐建华一度被视为曹兴诚的接班人，不过联电最终选择了颜博文接班，徐建华一直是资深副总。

今年2月底，台联电宣布徐建华退休，昨天也公告称徐建华辞去了台联电科技文教基金会董事一职。

尽管联电对外强调徐建华退休是个人志愿，不清楚他的未来规划，也无法就此作出评论。但是早前大陆半导体公司就放言到台湾挖角，所以外界猜测徐建华这时候退休、辞去职务有可能是要转赴大陆中芯国际公司担任要职。

尽管消息还未获得徐建华及中芯国际证实，不过中芯国际是大陆重点扶植的半导体代工厂，而徐建华又是业内资深专家，其经验和资历都可以在中芯国际建厂发挥重要作用。

中芯国际是另一位台湾晶圆代工业教父级人物张汝京在大陆创立的本土代工企业，此前已经使用28nm多晶硅（PolySiON）工艺为高通代工骁龙410处理器，现在推出的28nm HKMG（高介电常数金属闸极）工艺属于高性能工艺，通过使用高介电常数材料，HKMG工艺能有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。

中芯国际的28nm HKMG工艺已经通过了验证，正准备量产。目前已经用于联芯的4G芯片流片，虽然具体型号没提，不过通告中提到这款芯片速度达到了1.6GHz。

中芯国际CEO及执行董事邱慈云博士表示，中芯国际还将持续对28nm工艺进行改良，预计今年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强版，为客户提供更多选择。

话说回来，尽管28nm还会长期存在，不过这种工艺相比TMSC、三星的16/14nm FinFET工艺已经落后了两代，中芯国际也在开发自己的14nm FinFET工艺，去年比利时国王访华时，中芯国际、高通、华为及比利时微电子中心联合签署了合作协议，联合开发14nm FinFET工艺，但量产时间有可能到2020年，依然会比国际主流工艺落后一点。

国内在半导体芯片设计领域已经拥有一席之地，但在半导体制造上跟一流水平还差很远，芯片公司还要依赖TSMC台积电、UMC台联电及GlobalFoundries代工，中芯国际SMIC这几年成长起来了，但实力还差很远，不说制程工艺落后世界先进水平两三代，产能方面也面临不足，去年才规模量产了28nm工艺。

上海集成电路投资基金将投入200亿元人民币支持当地的三家晶圆厂，其中中芯国际预计能获得1/4份额也就是7.5亿美元左右的资金，这些投资有助于中芯国际提升28nm产能，目前中芯国际的300mm晶圆厂产能已经满负荷运转了，高通的骁龙410处理器已经从TSMC转交给中芯国际代工了。

2015年中芯国际资本支出约为100亿人民币，并且从中国集成电路投资基金获得了4亿美元的支持，不过与TSMC、三星公司每年动辄100亿美元的资本支出相比还是太少了，不论是扩大产能还是研发新技术，中芯国际这点钱都不够看，Intel公司一年研发费用就高达115亿美元。

这项协议是比利时国王菲利普·利奥波德·路易斯·玛丽访华期间与中国签署的一系列协议之一，受到了双方政府高层的关注。涉及的公司中，中芯国际是国内最先进、最大的晶圆代工厂，华为就更不用说了（应该是海思部分具体负责吧），高通涉及的是国际贸易子公司。

大家不太熟悉的则是比利时微电子中心（IMEC），实际上他们也是大有来头，原本是比利时鲁汶大学的校际微电子研究中心，成立三十多年来已经成为世界领先的电子技术研发中心，在半导体制造工艺领域创造了多个世界第一，包括推动193nm光刻工艺、HKMG工艺等等。

根据中芯国际的公告，这次四方投资的公司由中芯国际控股，其他三家参股，中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士担任法人代表，中芯国际副总裁俞少峰博士担任总经理。目前该公司以研发14nm工艺为主，研发将在中芯国际的生产线上进行，未来中芯国际也有权使用该公司研发的技术进行量产。

目前有关14nm工艺的技术细节还不得而知，不知道是否会跟国际主流一样使用FinFET晶体管，也不知何时问世，不过通告中提到了“达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的2020年16/14纳米工艺实现规模量产的目标。”，也就是会在2020年前规模量产，尚有几年时间。

盖特纳日前公布了2014年全球晶圆代工厂营收排行榜，去年的总市场份额达到了468.52亿美元，比2013年的403.5亿美元增长16.1%，其中前10名营收424.3亿美元，相比2013年的362.9亿美元增长了16.9%。

全球10大晶圆代工厂营收排名

在这其中，TSMC一枝独秀，2014年营收251.75亿美元，相比2013年增长了25.2%，一家就霸占了53.7%的份额。台湾双雄之一的UMC台联电去年也有不少突破，28nm工艺产能不断提升，终于夺回来了被Globalfoundries窃居了几年的第二位置，以46.2亿美元的营收占据9.9%的份额。

Globalfoundries去年的营收下降了3.3%，营收为44亿美元，位居第三。第四位则是三星，去年营收24.1亿美元，这里算的应当只是三星电子为其他厂商代工的业务，三星全部的晶圆业务显然不可能只有这么点。

前五位的厂商并没有变化，除了UMC超越GF成为第二，而去年及今年排名第五的都是国内的SMIC中芯国际，虽然2014年营收同比下降了4.8%，不过仍以19.7亿美元的营收获得了4.2%的份额。

第六到第十分别是PowerChip力晶、特种晶圆代工厂TowerJazz、Vanguard international（台湾世界先进）、上海华虹及日本富士通半导体。

现在的移动设备市场如火如荼，而IoT（Internet of Things）物联网设备被视为下一代爆发点，现在的可穿戴设备就是其中的一例。大部分IoT设备并不追求高性能，低功耗低成本才是关键，这倒是8寸（200mm）晶圆厂的机会。

来自Digitimes的报道，SIMC中芯国际日前在深圳投产的就是8寸晶圆厂，并准备不断扩大产能，从今年底的每月1万片晶圆提升到明年底的2万片每月。算上中芯国际其他8寸晶圆厂，他们的产能已经达到了m清明15万片8寸晶圆。

TSMC及UMC也在扩大大陆8寸晶圆厂的产能，其中TSMC在上海松江的8寸晶圆厂正在提升产能，目前TSMC的月度产能从9万片提升到了将近11万片。

UMC台联电同样在提升8寸晶圆厂的产能，其上海子公司和舰科技正在建设一座产能达到每月1.1万片的8寸晶圆厂，总产能将提升到每月6万片。

不过话说回来，不论是SMIC还是外来和尚TSMC、UMC，他们不断增产8寸晶圆厂也是迫不得已，更先进的12寸（300mm）晶圆厂显然产能更大，不过12寸晶圆厂投资巨大，而且受到了政策限制，不容易进入大陆。

NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合资的IMFT这四大豪门中，剩下的则由台系半导体厂商等瓜分，挤进NAND市场可不容易。

中芯国际以往发展过130nm到65nm制程的NOR闪存，不过NOR闪存现在属于过时的产品了，转向NAND闪存也是自然而然的事了。中芯国际推出的NAND闪存制程为38nm，与目前主流的20/19nm差了一代，而且东芝、美光新一代的16/15nm制程年底就会量产，所以中芯国际与国际大厂还有一定的差距。

据官网所说，这种NAND制程完全是中芯国际自主研发的，38nm工艺对于降低NAND成本、提高产量来显然不如更先进的25、20nm，不过制程低了也有好处，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦写次数更高，只不过现在还不清楚中芯国际的38nm NAND的细节。

对中芯国际来说，38nm NAND其实也是个过渡，官方新闻中也提到了这是他们升级到更先进的2x/1xnm及3D闪存的基础，由此看来新工艺其实也是在研发中了。

中芯国际在今年年初已经开始正式量产28nm工艺芯片，拥有28PolysiON多晶矽和28HKMG高介电常数金属栅极两种类型，是国内首家进入28nm时代的芯片代工厂。

高通这次与中芯国际合作并不是没有预兆的，高通此前就被中国反垄断监管部门认定产品售价过高、且滥用市场地位，后来就有打算将部分28nm工艺订单交给台积电以外的代工厂以便降低成本，当时业界就有传出他们的目标就是大陆的中芯国际。

台积电要担心的并不只有28nm订单，虽然他们早已量产20nm芯片，不过由于太专注于苹果A8处理器，一些客户已经外流，其中AMD就已经将未来的20nm、14nm GPU和定制AMD订单交给“自家”的GlobalFoundries，而高通也有可能会将20nm订单交给三星或者GF。

“这是中芯国际发展历程中的重要里程碑，标志着中芯国际生产及研发能力的极大提升。进入28纳米工艺时代，夯实了我们在移动计算相关IC制造领域中的有利地位”。中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，作为中国内地首家提供28纳米工艺制程的晶片代工企业，中芯国际已再次证明其可持续发展的强大实力，能够不断为全球IC设计商提供顶尖的技术支援。

中芯国际的28nm工艺有28PolySiON多晶矽和28HKMG高介电常数金属栅极两种类型，晶圆流片服务已经在去年底展开。

　　据消息称，目前弘毅投资正在与私募基金TPG联手收购尔必达公司。弘毅投资的母公司是联想控股，其乃联想集团的最大股东。有业内人士猜测，目前联想平板电脑和智能手机使用的多是三星和尔必达的DRAM芯片，但是联想早前与三星出现价格纠纷，两者的合作很可能会终止，如果尔必达落入他人手中，联想产品的成本必然会上升，甚至在芯片供应上都会成为问题。因此弘毅投资才会参与到尔必达的收购竞争中。

　　如果收购顺利，弘毅投资很可能会把尔必达在广岛上的DRAM工厂出售或者外包给国内顶级芯片制造厂中芯国际，由后者向自己的母公司联想集团提供DRAM芯片。不过这次收购并不会一帆风水，目前收购竞争对手包括有美光、东芝、海力士以及GlobalFoundries，有消息称这四家厂商打算瓜分尔必达的技术和工厂，至于这次收购的第二轮竞标将在本周内进行。

　　之前曾经报道过NVIDIA指责台积电对40nm产品供应不足，在09年第四季度都低于NVIDIA和AMD的需求量，导致NVIDIA损失了1亿。　　根据我们得到的消息和推断，在今年底台积电将会在国内量产40nm晶圆芯片，NVIDIA和AMD将会进行新一轮的价格战。

　　消息来源：[digitimes]