我们之前断断续续报道过很多半导体工艺进展的新闻，有些读者可能还记得今年Intel、三星及TSMC都会量产10nm工艺，但是大家也要知道的是先进工艺并不是晶圆代工的全部，虽然高端市场会被20nm以下的高先进工艺占据，可是40nm、28nm工艺并不会彻底退出市场，相反28nm工艺直到现在依然是TSMC公司的主力，Q1季度占据了25%的营收比例，而16/20nm先进工艺占比才31%。

大陆在晶圆代工工艺上要落后国际先进水平两三代，目前国内能量产的最先进工艺还是28nm。来自Digitimes报道称中芯国际预计2017年营收增长20%，主要原因就是其28nm占比进一步提高，2015年28nm工艺只带来0.3%的营收，去年底这一比例提升到3.5%，而2017年预计会提升到10%左右。

中芯国际目前量产的28nm工艺还是简单的PolySiON技术，高性能版的28nm HKMG工艺在将2017年中扮演重要角色。根据中芯国际之前的说法，该公司正在努力提升28nm HKMG工艺的量产能力，主要客户包括博通、华为海思等。

2016年中芯国际在全球28nm代工市场中所占份额不足1%，TSMC台积电占据66.7%的份额，GlobalFoundries占据了16.1%份额，UMC台联电占据8.4%份额。

值得一提的是，原文提到TSMC在上海新建了12英寸晶圆厂，预计2018年量产14nm工艺处理器。

中芯国际的14nm工艺来源于比利时微电子中心、华为、高通等公司2015年达成的合作协议，四方合作的公司将由中芯国际控股。去年10月份中芯国际也宣布了在上海投资675亿人民币新建晶圆厂，重点就是14nm工艺，未来还会升级到10nm、7nm等工艺。

中芯国际是国内最先进的半导体代工厂，2016年营收29亿美元，同比增长30%，不过与全球晶圆代工一哥TSMC台积电差距还是相当大的，后者去年营收约为300亿美元，半导体工艺更是领先——TSMC早就量产16nm FinFET工艺了，今年还会量产10nm工艺，SIMC目前最先进的工艺还是28nm，主力工艺还是40nm、55nm等。

2015年比利时国王访华时，中比双方签署了一系列合作协议，其中一条就是中芯国际、华为、高通与比利时微电子中心IMEC合作研发14nm FinFET工艺，预计会在2020年之前达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的16/14纳米工艺实现规模量产的目标。

中芯国际从28nm直接进入14nm，跳过了20nm节点，未来也很有可能跳过10nm节点，直接进入7nm节点。该公司CEO邱慈云博士日前对外表态称今年晚些时候会投入R&D研发资金开发7nm工艺，他还提到近年来中芯国际加大了研发投入力度，R&D投资占据公司12-13%的营收，2016年资本支出也创纪录地达到了27亿美元。

邱博士并没有提到国内7nm工艺的具体情况，目前看来只是开始投入研发资金，这一点上要比Intel、三星GF、TSMC早几年就研发7nm工艺要晚得多，不过他们依然是全球第五家表态研发7nm工艺的半导体公司，随着制程工艺越来越先进，全球有能力研发新工艺的晶圆厂越来越少。

在存储芯片领域，NAND闪存是目前的绝对主流，保守点说三五年内它都会是电子设备存储芯片的主流选择，但研究人员早就开始探索新一代非易失性存储芯片了，，Intel、美光研发的3D XPoint之前有说是基于PCM相变存储，也是新一代存储芯片范畴了，而今天说的ReRAM（非易失性阻变式存储器）更是代表性的非易失性存储器。

虽然它的名字中带RAM，不过ReRAM其实更像NAND闪存那样用作数据存储，只不过它的性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

说到ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根据该公司资料，Crossbar技术首先由中国出生的卢伟（Dr. Wei D. Lu）博士研发，他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位，以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在ReRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

2016年这家公司获得了8000万美元的风投，其中中国公司也参与了，而Crossbar去年3月份也宣布进军中国市场，他们的合作伙伴就是SMIC中芯国际，将基于后者的40nm CMOS试产ReRAM芯片。根据该公司副总裁Sylvain Dubois所说，2016年内中芯国际已经开始给客户出样40nm工艺的ReRAM芯片，实现了该公司之前2016年内推出ReRAM的承诺。

不仅如此，更先进的28nm工艺版ReRAM芯片也将在2017年上半年问世，只是Sylvain Dubois拒绝表态是否还是由SMIC生产，还是交给其他代工厂。

蒋尚义现年70岁，在台湾半导体领域驰骋40年，1997年加盟TSMC台积电，担任过TSMC副总、运营长等重要职位，一直负责RD研发业务，参与了TSMC公司从130um到16nm等重大工艺，特别是在28nm HKMG工艺上奠定了TSMC公司在代工市场成功的基础，2013年蒋尚义退休，担任公司董事长顾问，算是退居二线了。

根据中芯国际的公告，蒋尚义担任的是第三类独立非执行董事，每年可获得4万美元现金报酬，外加18.75万普通股以及18.75万限制股——中芯国际是香港上市公司，目前的股价大约是10.5港币。

蒋尚义虽然不是台湾半导体业界的现任高管了，担任的也是独董这样不具备实权的职位，但加盟中芯国际一事依然给台湾业界带来强烈震撼，因为中芯国际目前是大陆最大、最先进的晶圆代工公司，尽管在营收、工艺上大幅落后TSMC，但依靠大陆的市场以及政府对半导体产业的投资，中芯国际在北京、上海、深圳、宁波等地新建晶圆厂，其中联合高通、华为在上海建设大陆第一条14nm FinFET产线，2020年前投产，免不了要跟TSMC在南京的16nm FinFET竞争一番了。

TSMC对外表示蒋尚义去年底就不再担任顾问一职，任职中芯国际之前也告诉了董事长张忠谋，相信蒋尚义不会作出任何损害TSMC利益的事。

半导体制造是芯片产业的核心，也是门槛最高的，建造一座12英寸晶圆厂动辄投资数十亿甚至上百亿美元、即便投资不是问题，先进工艺研发也需要大量技术、人才，大陆公司在这两点上显然不占优势。TSMC说他们六年前就推出了28nm工艺，中芯国际目前的28nm工艺实际上只量产了28nm Bulk，高性能的28nm HKMG才刚开始。

除了时间上的优势，TSMC还能给客户提供更多选择，他们的28nm工艺已经衍生出了6种版本，包括高性能的28nm HPM、HP，低功耗的也有28nm LP，功耗成本兼顾的28nm HPC等等。

此外，TSMC每年R&D研发投资的十分之一都用来增强工艺的差异化，还增加了eFlash嵌入式闪存或者其他功能单元以提升制程工艺的功能性。

PS：TSMC的制程工艺确实领先大陆公司很多，不过他们说的六年前推出28nm只是口头宣布而已，TSMC的28nm工艺也难产了相当长一段时间，HD 7970首先使用了28nm工艺，发布于2011年底，但直到2012年TSMC的28nm工艺产能都不怎么样，Q1季度产能占比不过5%而已。

中芯国际目前是国内最大的晶圆代工企业，2016年上半年营收13.245亿美元，同比增长25.4%，连续17个季度盈利，产能利用率接近满载。与TSMC年营收近2000亿人民币相比，中芯国际还相差很远，但是预计未来三到四年内都能保持每年20%的高速增长。

要想做大，中芯国际还需要扩大产能，提高制程工艺技术。这次在上海建设的12英寸晶圆厂就是针对未来需求建设的，预计2017年底建成，2018年正式量产，初期月产能就高达7万片晶圆。官方公告中并没有提到该工厂的制程工艺，它实际上是中芯国际首个14nm产线。

目前一代的FinFET工艺中，TSMC是16nm节点，三星、Intel各自开发了14nm FinFET工艺，GlobalFoundries则使用了三星的14nm工艺授权。由于受到出口限制，中国只能选择自己开发，去年中比利时国王访华时，华为、高通、中芯国际及比利时微电子中心宣布合作开发14nm工艺，中芯国际现在建设的12英寸晶圆厂就是为此准备的，2018年量产也符合之前的预告。

上海的12英寸晶圆厂不止会上14nm工艺，未来还会升级10nm以及7nm工艺。

值得一提的是，TSMC去年也登陆大陆市场，将在南京建设12英寸晶圆厂，制程工艺为16nm，投产时间也是2018年。

国内最大的代工厂就是中芯国际了，在高通高端处理器出逃三星之外，其低端处理器也从TSMC转移到大陆的中芯国际代工，此前他们已经用28nm LP工艺为高通代工了骁龙410处理器，那是上海的晶圆厂，这一次中芯国际宣布北京的晶圆厂也成功为高通代工骁龙425处理器以及MDM9x07基带。

高通骁龙425处理器使用的是28nm LP工艺

在全球晶圆代工产业中，中国大陆的公司技术及规模都远远落后于三星、TSMC，不过他们也在奋力追赶。中芯国际目前量产的工艺是28nm，高性能的28nm HKMG工艺年初也已经问世，将为联芯代工4G芯片。

在更先进的工艺方面，中芯国际联合华为、高通以及比利时微电子中心合作开发14nm FinFET工艺，目前是在2020年前量产该工艺。

PRAM阻变式存储器也被称为相变内存，PRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成，其特点就是受热之后可以改变形状，成为晶体或者非晶体，而不同状态具有不同电阻值，因此可以用来储存数据。

与普通的DRAM相比，PRAM内存不仅写入速度快30倍，寿命延长10倍，而且PRAM内存在断电时不会丢失数据，所以它不仅可以替代内存，也可以替代闪存。目前Intel、三星等公司都在积极投身PRAM内存研发。

中芯国际合作的伙伴Crossbar是全球PRAM内存产业中的领导者之一，中芯国际将使用40nm CMOS工艺为其代工PRAM产品，将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。

徐建华此前是台联电UMC公司的资深副总，也是UMC公司创始人、荣誉董事长曹兴诚的爱将，早在2001年就代表联电登陆国内市场，在上海创办了和舰科技，这是台湾公司首次在大陆设立的8英寸晶圆厂。由于是“偷跑”，徐、曹二人甚至被起诉，不过最终被判无罪。

台湾经济日报披露的徐建华档案

徐建华一度被视为曹兴诚的接班人，不过联电最终选择了颜博文接班，徐建华一直是资深副总。

今年2月底，台联电宣布徐建华退休，昨天也公告称徐建华辞去了台联电科技文教基金会董事一职。

尽管联电对外强调徐建华退休是个人志愿，不清楚他的未来规划，也无法就此作出评论。但是早前大陆半导体公司就放言到台湾挖角，所以外界猜测徐建华这时候退休、辞去职务有可能是要转赴大陆中芯国际公司担任要职。

尽管消息还未获得徐建华及中芯国际证实，不过中芯国际是大陆重点扶植的半导体代工厂，而徐建华又是业内资深专家，其经验和资历都可以在中芯国际建厂发挥重要作用。

中芯国际是另一位台湾晶圆代工业教父级人物张汝京在大陆创立的本土代工企业，此前已经使用28nm多晶硅（PolySiON）工艺为高通代工骁龙410处理器，现在推出的28nm HKMG（高介电常数金属闸极）工艺属于高性能工艺，通过使用高介电常数材料，HKMG工艺能有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。

中芯国际的28nm HKMG工艺已经通过了验证，正准备量产。目前已经用于联芯的4G芯片流片，虽然具体型号没提，不过通告中提到这款芯片速度达到了1.6GHz。

中芯国际CEO及执行董事邱慈云博士表示，中芯国际还将持续对28nm工艺进行改良，预计今年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强版，为客户提供更多选择。

话说回来，尽管28nm还会长期存在，不过这种工艺相比TMSC、三星的16/14nm FinFET工艺已经落后了两代，中芯国际也在开发自己的14nm FinFET工艺，去年比利时国王访华时，中芯国际、高通、华为及比利时微电子中心联合签署了合作协议，联合开发14nm FinFET工艺，但量产时间有可能到2020年，依然会比国际主流工艺落后一点。

国内在半导体芯片设计领域已经拥有一席之地，但在半导体制造上跟一流水平还差很远，芯片公司还要依赖TSMC台积电、UMC台联电及GlobalFoundries代工，中芯国际SMIC这几年成长起来了，但实力还差很远，不说制程工艺落后世界先进水平两三代，产能方面也面临不足，去年才规模量产了28nm工艺。

上海集成电路投资基金将投入200亿元人民币支持当地的三家晶圆厂，其中中芯国际预计能获得1/4份额也就是7.5亿美元左右的资金，这些投资有助于中芯国际提升28nm产能，目前中芯国际的300mm晶圆厂产能已经满负荷运转了，高通的骁龙410处理器已经从TSMC转交给中芯国际代工了。

2015年中芯国际资本支出约为100亿人民币，并且从中国集成电路投资基金获得了4亿美元的支持，不过与TSMC、三星公司每年动辄100亿美元的资本支出相比还是太少了，不论是扩大产能还是研发新技术，中芯国际这点钱都不够看，Intel公司一年研发费用就高达115亿美元。

这项协议是比利时国王菲利普·利奥波德·路易斯·玛丽访华期间与中国签署的一系列协议之一，受到了双方政府高层的关注。涉及的公司中，中芯国际是国内最先进、最大的晶圆代工厂，华为就更不用说了（应该是海思部分具体负责吧），高通涉及的是国际贸易子公司。

大家不太熟悉的则是比利时微电子中心（IMEC），实际上他们也是大有来头，原本是比利时鲁汶大学的校际微电子研究中心，成立三十多年来已经成为世界领先的电子技术研发中心，在半导体制造工艺领域创造了多个世界第一，包括推动193nm光刻工艺、HKMG工艺等等。

根据中芯国际的公告，这次四方投资的公司由中芯国际控股，其他三家参股，中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士担任法人代表，中芯国际副总裁俞少峰博士担任总经理。目前该公司以研发14nm工艺为主，研发将在中芯国际的生产线上进行，未来中芯国际也有权使用该公司研发的技术进行量产。

目前有关14nm工艺的技术细节还不得而知，不知道是否会跟国际主流一样使用FinFET晶体管，也不知何时问世，不过通告中提到了“达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的2020年16/14纳米工艺实现规模量产的目标。”，也就是会在2020年前规模量产，尚有几年时间。

盖特纳日前公布了2014年全球晶圆代工厂营收排行榜，去年的总市场份额达到了468.52亿美元，比2013年的403.5亿美元增长16.1%，其中前10名营收424.3亿美元，相比2013年的362.9亿美元增长了16.9%。

全球10大晶圆代工厂营收排名

在这其中，TSMC一枝独秀，2014年营收251.75亿美元，相比2013年增长了25.2%，一家就霸占了53.7%的份额。台湾双雄之一的UMC台联电去年也有不少突破，28nm工艺产能不断提升，终于夺回来了被Globalfoundries窃居了几年的第二位置，以46.2亿美元的营收占据9.9%的份额。

Globalfoundries去年的营收下降了3.3%，营收为44亿美元，位居第三。第四位则是三星，去年营收24.1亿美元，这里算的应当只是三星电子为其他厂商代工的业务，三星全部的晶圆业务显然不可能只有这么点。

前五位的厂商并没有变化，除了UMC超越GF成为第二，而去年及今年排名第五的都是国内的SMIC中芯国际，虽然2014年营收同比下降了4.8%，不过仍以19.7亿美元的营收获得了4.2%的份额。

第六到第十分别是PowerChip力晶、特种晶圆代工厂TowerJazz、Vanguard international（台湾世界先进）、上海华虹及日本富士通半导体。

现在的移动设备市场如火如荼，而IoT（Internet of Things）物联网设备被视为下一代爆发点，现在的可穿戴设备就是其中的一例。大部分IoT设备并不追求高性能，低功耗低成本才是关键，这倒是8寸（200mm）晶圆厂的机会。

来自Digitimes的报道，SIMC中芯国际日前在深圳投产的就是8寸晶圆厂，并准备不断扩大产能，从今年底的每月1万片晶圆提升到明年底的2万片每月。算上中芯国际其他8寸晶圆厂，他们的产能已经达到了m清明15万片8寸晶圆。

TSMC及UMC也在扩大大陆8寸晶圆厂的产能，其中TSMC在上海松江的8寸晶圆厂正在提升产能，目前TSMC的月度产能从9万片提升到了将近11万片。

UMC台联电同样在提升8寸晶圆厂的产能，其上海子公司和舰科技正在建设一座产能达到每月1.1万片的8寸晶圆厂，总产能将提升到每月6万片。

不过话说回来，不论是SMIC还是外来和尚TSMC、UMC，他们不断增产8寸晶圆厂也是迫不得已，更先进的12寸（300mm）晶圆厂显然产能更大，不过12寸晶圆厂投资巨大，而且受到了政策限制，不容易进入大陆。

NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合资的IMFT这四大豪门中，剩下的则由台系半导体厂商等瓜分，挤进NAND市场可不容易。

中芯国际以往发展过130nm到65nm制程的NOR闪存，不过NOR闪存现在属于过时的产品了，转向NAND闪存也是自然而然的事了。中芯国际推出的NAND闪存制程为38nm，与目前主流的20/19nm差了一代，而且东芝、美光新一代的16/15nm制程年底就会量产，所以中芯国际与国际大厂还有一定的差距。

据官网所说，这种NAND制程完全是中芯国际自主研发的，38nm工艺对于降低NAND成本、提高产量来显然不如更先进的25、20nm，不过制程低了也有好处，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦写次数更高，只不过现在还不清楚中芯国际的38nm NAND的细节。

对中芯国际来说，38nm NAND其实也是个过渡，官方新闻中也提到了这是他们升级到更先进的2x/1xnm及3D闪存的基础，由此看来新工艺其实也是在研发中了。