武汉存储器产业基地背后的出资人有国家队的大基金，也有地方队的湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金及湖北科技投资集团，预计5年内投入240亿美元，2018年建成投产。至于产能，当初提到的是每月20万片晶圆，这个产能已经很强大了，不过后期还会继续增加，2020年预计产能可达30万片晶圆每月，到了2030年则会提升到100万片每月。

国际通行的半导体产能衡量指标是统一到8英寸晶圆产能上，根据2015年统计的数据，全球产能最大的半导体公司是三星，总产能是每月253.4万片，第二名是TSMC，每月产能为189.1万片，第三名是美光，每月产能160万片晶圆，第四、第五分别是东芝/闪迪、SK Hynix，产能134.4万片、131.6万片，第七名则是GlobalFoundries，产能为76.2万片。

产能TOP5的公司都是经过多年投资的大厂，而武汉存储器基地建成之时的20万片晶圆产能算不上，但2030的100万片晶圆产能就不可小觑了，差不多能达到SK Hynix与GlobalFoundries之间的量级了。——用15年后的产能比现在的水平虽然不公平，但别忘了武汉的晶圆厂只是中国发展半导体产业的一部分，其他城市还有更多类似项目，总体发展速度远远超过国际公司，后者新建晶圆厂的动机并不高。

此外，武汉基地的晶圆厂瞄准的是整个存储器产业，第一阶段的晶圆厂会主攻NAND闪存，而且是3D NAND闪存，第二家工厂则是针对DRAM内存芯片，第三个阶段的工厂要为供应商服务。

国内投资建设的项目从来不缺资金，发展目标同样也非常远大，100万片晶圆产能依然是个开始，这个项目的目标是做全球行业龙头。中国大基金总经理丁文武在采访中也表示大基金的投资方面就是做行业龙头，不做一般的风险投资、天使投资。

不过在巨额资金及雄心壮志背后，武汉基地的存储芯片技术水平依然是个迷，虽然直接切入新一代的3D NAND闪存，但今年国际主流的3D堆栈层数已经达到了32-48层，新芯科技与飞索半导体研发的3D NAND据说只有8层堆栈，建成工厂还需三年左右时间，届时技术差距又该如何缩小呢？

国内自主建设的半导体基地位于武汉，由新芯科技主导，总投资高达240亿美元，至少会建设2座12英寸晶圆厂，最终产能高达20万片晶圆/每月，日后将成为中国最大、最先进的存储器研发与生产制造基地。

值得一提的是，新芯科技目前主产的是NOR闪存，不过武汉的新晶圆厂主要生产3D NAND闪存，技术是与飞索(Spansion)半导体共同研发的，但不确定技术水平，国际上对此并不看好，认为相比国际主流的32-48层堆栈，新芯科技的3D NAND堆栈可能只有8层，差距甚远。

另外，飞索公司前身是AMD和富士通合资公司，这么算起来AMD跟中国的半导体产业还是有一点点关系的。

本土派之外今天还有海外派晶圆厂开工——TSMC台积电在南京投资的12寸晶圆厂恰好也是在28日动工。这个工程是TSMC首次进军大陆，投资额高达30亿美元，而且直接会使用先进的16nm工艺，即便2年后正式量产时已经不是世界最先进水平，但在大陆市场上依然是最顶级的工艺，雄心可见一斑。

台媒现在关注的是台积电董事长张忠谋是否会亲自出席开工仪式，不过TSMC官方以不便透露行程信息为由拒绝表态。

集邦科技公布的全球主要的闪存芯片供应商报告中，三星2015年的NAND产能约为484.5万片晶圆，主流工艺是16nm。在3D NAND闪存上，三星是全球量产最早的供应商，2013年就量产V-NAND闪存了，当时还是32层堆栈的（第一代24层堆栈的没有规模量产），之后三星又推出了48层堆栈的第三代V-NAND闪存，并与去年底开始量产。

集邦科技公布的全球主要NAND厂商的产能及份额

三星在中国西安投资70亿美元建设新一代晶圆厂，主产的就是3D NAND闪存，在如此庞大的投资下，三星西安工厂去年1-8个产值就达到了115亿元。根据集邦科技的分析，三星在2016年有可能占到全球3D NAND闪存市场的40.8%份额，绝对是一家独大。

SK Hynix去年的产能约为249万片晶圆，主流工艺也是16nm，他们的3D NAND闪存芯片要在今年Q1季度才能量产，主要36层堆栈的MLC及48层堆栈的TLC闪存，3D NAND闪存市场份额预计为3.3%。

东芝/闪迪去年的产能约为588万片晶圆，主流工艺是15nm，不过3D NAND闪存也是要到今年Q1季度量产，主要是48层堆栈的MLC/TLC闪存，今年预计份额为5.4%。

美光/Intel合资的IMFT公司去年产能219.5万片晶圆，主流工艺为16nm，去年Q4季度开始量产32层堆栈的MLC/TLC闪存，预计今年的份额为17.6%。

此外，Intel虽然与美光合资生产闪存，但去年已经决定把中国大连的Fab 65工厂从芯片组生产转向闪存制造，总计投资55亿美元，分析认为投产的产品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint闪存。

随着三星、Intel等国际公司扩大中国晶圆厂的3D NAND闪存产能，中国大陆所占的3D NAND产能有可能从目前的8%提高到2017年的超过10%。

另一方面，中国本土自建的国产NAND工厂本月底正式动工，预计2017年到2018年正式建成投产，由武汉新芯科技公司负责运营，而且所生产的芯片直接进入3D NAND闪存时代，技术来源是飞索半导体，但不确定他们的3D NAND闪存具体是什么工艺，技术水平与三星、Intel相比如何。

国产存储芯片晶圆厂的产能目标是每月20万片晶圆，算起来一年就是240万片了，差不多达到了SK Hynix现在的水平，不过月产20万片晶圆的目标不是一蹴而就的，一座晶圆厂通常的月产能不过是数万片，所以20万片的月产能需要多年的产能建设才有可能。

剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。