据外媒TrendForce报道，在本月1号的时候，美光公司位于台湾地区的桃园晶体厂由于氮气分配系统故障，导致厂内晶片和设备受到了污染。按照预测，此次污染意外导致大约6万片的晶圆报废。不过美光公司昨天发表官方声明否认了这件事，表示没有发生氮气泄露事件，只是一些小事故，相关业务并没有受到实质影响。

美光公司在此次事件中受影响的工厂为桃园Fab 2，该厂原本是属于华亚科，不过去年被美光收购之后已经成为美光的DRAM重要生产基地，也是美光最先推进到20纳米制程的厂房。如果按照外媒预测属实的话，此次将会影响到全球DRAM供应量的5.5%，而且DRAM产品至今都是维持供货吃紧的状况，这也将会对DRAM市场产生一定程度的冲击。另外值得注意的是美光给iPhone的LPDDR4的产品大多数由该厂房供货，可能会对即将上市的新iPhone出货产生影响。

目前美光已经发表了澄清的声明，表示晶圆厂的故障并非氮气泄露引起的，只是一些小事故，并且很快就会恢复。不过今年的内存还是不要指望降价了，不涨价都算好的了。对于此次事件你有什么看法，可以来和小超哥（ID：9501417）谈一谈。

Tidal Systems公司成立于一年前，它可不是什么泛泛之辈，创办人和团队成员主要来自与Link A Media和SandForce，在极其短的时间内就开发出PCI-E/NVMe与SATA 6Gbps两种主控，支持LDPC低密度奇偶检查码校验技术，这可是TLC闪存必须的纠错技术。

现在生产闪存制造厂都拥有自己的SSD产品，当中Intel与三星都是一直在开发自家的主控的，海力士收购了Link A Media，东芝在收购OCZ后也取得了主控技术。美光现在收购Tidal Systems后也拥有了主控技术，此举无疑是为了强化未来市场竞争力。

据路透社引援匿名人士消息，美光方面认为，紫光提出的收购案很可能不会获得美国外国投资委员会（CFIUS）的许可，因为他们有权终止可能危及国家安危的交易。

该报道还有讲到，紫光此前仅仅是向美光表达了收购意向，还没有提出正式的要约和报价。而美光方面也还没认真考虑这一交易提议，仅向投资银行寻求意见，并没有正式聘请任何一家为之后的交易作准备。

这个潜在的交易，230亿美元是个巨大的数字，显示出紫光方面的诚意和提升集成电路生产水平的决心，但另一方面，即使美光的股东动心，美国当局估计也不会让这则交易完全实施，最多可能部分放行，某些核心的技术可能还是会紧握在手中。

索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb（2GB）的ReRAM芯片，据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造，可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片，可用于移动设备或者是PC上。按照公布的信息称，这颗芯片的实际性能是读取900MB/s，写入180MB/s，和它读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能已经非常接近，进入量产、商品化的可能性很高。

另外根据两者公布的成品来看，这款ReRAM芯片应该是索尼早前研究成果的延续，毕竟索尼早在2011年就公布了小容量型的样品，而Micron早前的研发精力则放在相变存储芯片PRAM，现在的ReRAM产品应该是“索尼研制”和“Micron制造”的共同成果。

　　与P320h相同，P420m将有2.5寸和HHHL（半高半长）两个版本。2.5寸版本只支持PCIe x4和16个闪存通道，容量有350GB和700GB两种，4K性能达到430K IOPs，持续读取性能达1.8GB/s。

　　而HHHL版本则可以支持PCIe x8和32个闪存通道，容量有700GB和1.4TB两种，4K性能达750K IOPs，而持续读取性能则达到3GB/s。官方宣称的性能与上一代的P320h接近。

　　由于采用了MLC闪存，相对于采用SLC的P320h，P420m实现了容量的翻倍，但同时可写入数据量也由P320h高达50PB下降到了10PB，不过也相当于每天写满4个硬盘的容量持续使用5年了。

　　可能是由于产品还没正式完成，美光方面还没公布价格和写入性能的数据，如果价格合理，相信性能接近而容量更大的P420m将比P320h受欢迎得多。

　　DDR3L-RS标准此前被称之为DDR3Lm，通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗，电压为标准的1.35V，同时能提供与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性，运行频率有667/800MHz两种。

　　美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造，FBGA封装，容量暂时有2Gb(128Mb×16/256Mb×8)和4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)两种规格，已经通过Intel Ivy Bridge新平台的认证。

　　除了上面两种规格，美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS，运行频率800MHz，预计今年12月份量产。而下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS则可能在2013年年初推出。

　　美光官方对于DDR3L-RS的介绍链接：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram#ddr3l-rs

　　MaximumPC报道称，美光使用45nm工艺成功量产1Gb PCM闪存，工作电压为标准的1.8V，实际上这个内存是由1Gb容量的PCM闪存和512Mb的低功耗DDR2闪存组成，二者使用相同的传输界面。

　　美光公司希望初期的产品用于功能手机中，因为目前制造出的PCM容量还比较低，未来的PCM产品有望用于智能手机和平板中。

　　PCM闪存是以bit为单位进行单元擦除，这与NAND闪存以block区块为单位擦除有明显不同，因此擦除速度更快，这意味着其写入性能更高，美光的F&Q页面上表示PCM随机读取速度有400MB/s，这还只是第一代产品的性能。此外，美光表示PCM闪存的启动速度更快。

　　与NAND闪存一样，PCM也存在写入次数限制，不过PCM的特性就是每个cell单元都可以存储多位bit，因此PCM的可靠性理论上高于NAND，美光生产的PCM闪存写入次数高达10万次，堪比SLC闪存。

　　Mark Durcan于1984年加入美光科技，曾任公司首席技术官，并于2007年被任命为首席运营官。早前美光科技曾经宣布，Mark Durcan将于今年8月正式退休。在Steve Appleton因飞机事故逝世后，Mark Durcan“老将出马”，迅速被美光科技董事会任命为临时CEO，随后转为新一任的正式CEO。

　　业界早有传闻，美光科技将与尔必达结盟，在存储设备技术上进行共同合作。前首席执行官Steve Appleton的逝世让这个传闻的“前途”变得一片模糊。现在Mark Durcan这名老将已经接过了重担，在他的带领下美光科技会有新的发展，我们拭目以待。

　　据博伊西机场发言人表示，Steve Appleton驾驶的是一架单引擎固定翼私人飞机，当时飞机坠毁在机场的两条跑到中间，其亦成为了事故中的唯一罹难者。至于具体的事故原因，目前仍在调查当中。

　　而总部就在博伊西的美光科技则表示沉痛的哀悼，Steve Appleton在领导美光科技期间，一直大力拓展公司业务范围，并尝试带领公司进军新的领域，例如移动通讯设备领域等，本人亦在去年获得了美国半导体协会颁发的罗伯特·诺伊斯奖。

　　现在美光科技已经宣布，原本计划在今年8月退休的总裁兼营运长Mark Durcan将暂时接任临时CEO之位，至于正式的接替人选还有待董事会进行安排。另外Steve Appleton的逝世对现处于关键时刻的美光科技来说是一个大打击，目前美光科技是亚洲地区外唯一的内存芯片制造商，业界传闻其将与尔必达结盟，美光CEO去世一事会给业界带来什么影响，我们正在密切关注。

　　因此根据相法律，Rambus提出了高达129亿美元的赔偿要求。不过海力士和美光两家公司都迅速否定相关的指控，虽然海力士未作进一步说明，不过美光的法律顾问就表示，Rambus的失败是因为RDRAM本来就不适合大众市场，他的做法纯属是将自己的责任推到别人身上，并要求别人承担他的失败。

　　消息来源：[Businessweek]

　　另外，目前美光提供是0006版升级至0007版的固件包，如果用户手中的产品仍然使用0001版的固件，则需要先升级至0002版，在跟随步骤升级至0006版，方可正常升级至0007版，而且在刷新前务必做好数据备份。

　　下载地址：

　　Crucial RealSSD C300系列固态硬盘0007版固件

　　2010年第四季度收入为24.9亿美元，比去年同期的13亿美元增长了91.5%。今年总收入达84.8亿美元，同比增长了76.6%。第四季度净利润为3.42亿美元，低于上一季度的9.39亿美元。总利润从去年第四季度亏损的1亿美元转亏为盈。

　　美光公司透露，2010年第四季度内存产品的销量下降，导致收入比上一季度下滑了14%。同时NAND闪存产品的销量也比上一季度下降了9%，单品售价也平均下降了7%，这也使第四季度的存储产品业务的毛利率从上第三季度的40%下降至37%。

消息来源：[digitimes]