2450系列SSD针对的是主流PC市场，提供了M.2 2280/2242/2230三种不同外形的规格，并提供了256GB、512GB和1TB三种容量。其中256GB版本的顺序读写速度分别为3600MB/s和1600MB/s，4K随机读写分别为190000和400000 IOPS。512GB和1TB版本的顺序读写速度分别为3600MB/s和3000MB/s，前者4K随机读写分别为380000和500000 IOPS，后者4K随机读写分别为450000和500000 IOPS。

3400系列SSD则是针对高性能应用的市场，采用M.2 2280规格，提供了512GB、1TB和2TB三种容量。其中512GB版本的顺序读写速度分别为6600MB/s和3600MB/s，4K随机读写分别为360000和700000 IOPS。1TB和2TB版本的顺序读写速度分别为6600MB/s和5000MB/s，前者4K随机读写分别为630000和700000 IOPS，后者4K随机读写分别为720000和700000 IOPS。

美光表示2450系列和3400系列SSD使用了自研主控芯片，支持NVMe 1.4，但配置上可以更加灵活，如果有必要，可以使用第三方的主控芯片。鉴于存储设备的芯片短缺情况也颇为严重，美光这种做法并不奇怪。

除了推出2450系列和3400系列SSD以外，美光还将其96层3D NAND闪存用于旗下首款UFS 3.1汽车级存储设备上。与美光原有的UFS 2.1存储设备相比，其持续写入性能提高了50%，并计划在今年第三季度投入生产。

3D XPoint技术是英特尔与美光长达10年共同研发的革命性存储技术，于2015年首次对外宣布其合作成果，2018年双方结束了联合开发工作，美光以15亿美元买断了英特尔对应的业务。虽然英特尔继续在傲腾产品线上使用3D XPoint闪存芯片，但依赖美光的供货，双方的供应协议将在今年年底结束。美光打算保留其手上与3D XPoint相关的所有知识产权，这点不会因为出售3D XPoint闪存芯片厂而改变。

英特尔在新墨西哥州的晶圆厂中为自己的傲腾产品线生产3D XPoint闪存芯片，但不清楚其具体产量。虽然英特尔已经将NAND闪存业务出售给了SK海力士，但仍可能接盘美光这间晶圆厂以保证自己产品线的供应，毕竟英特尔在数据中心等企业产品线中仍然提供使用3D XPoint技术的相关产品。

美光曾公布了几款基于3D XPoint闪存芯片的存储设备，例如X100，但一直没有正式上市，这使得英特尔成为唯一出售采用3D XPoint闪存芯片产品的供应商。

美光表示，未来会将重点转移到开发支持Compute Express Link（CXL）标准的内存产品上。CXL作为一个开放的内存标准，美光计划将3D XPoint技术上的研发成果和资源投入其中。

坏消息2020年12月初，美光在中国台湾的晶圆厂遭遇了两次生产中断。12月3日，美光位于桃园市附近的11号晶圆厂突然停电，持续了一个多小时，导致工厂瘫痪。随后，中国台湾东北沿海发生6.7级地震，迫使美光在12月10日将其桃园附近的11号晶圆厂和台中附近的16号晶圆厂生产下线。美光在12月4日的时候表示，停电的影响微乎其微，11号晶圆厂将在随后几天内恢复正常运行，12月11日又发表报告称，16号晶圆厂没有发现问题，显然这两次生产中断足以影响美光本季度DRAM的供应。

由于美光没有提供足够清晰的数据，因此目前不能确定美光出货量的减少对整个DRAM价格的影响有多大，也不清楚是否已经将其计入当前的价格中。同时美光表示，DRAM的需求在逐渐增加，定价也在逐渐增加。事实上，虽然晶圆厂的生产中断让美光损失了不少钱(设备闲置时会带来损失)，但价格的上涨和需求的增长让美光卖掉现有库存就能获利。

好消息在美光2021财年第1季(截至2020年12月3日)约57.73亿美元的营收中，DRAM业务占了70%，也就是40.56亿美元。图形内存又在其中占了一部分，这是一个可以带来可观的利润的高利润业务。在本季度，美光开始出货GDDR6X显存以及HBM2E显存，由于AMD、微软、英伟达和索尼的产品都使用了8GB到16GB的GDDR6新产品，使得美光在夏季和秋季大幅增加了GDDR6的出货量。

面临的问题个人电脑、游戏机、显卡、服务器和智能手机的强劲需求明显增加了对内存的需求，从而推动了DRAM的价格。 问题是，供应链中断导致特定组件的短缺，这种需求无法得到满足，反过来这些短缺限制了对内存等产品的需求，要不是内存的总体产量还能更高一些。 

事实上，封装组件的短缺影响了AMD、苹果和英伟达等公司的供应，显然限制了DDR4、GDDR6/GDDR6X和LPDDR4X的需求。美光负责人在电话中强调，其公司在2021财年第1季度还没有面临化学品或耗材的短缺，然而他承认，现在的半导体行业在生产供应链上存在问题。

DRAM制造行业的制程更新要比做计算芯片的慢一些，镁光的1z纳米工艺是他们在10纳米节点的第三代工艺，在六月份美光第三季度的财报会议准备文件中，他们就已经将迈入1z纳米工艺作为下一个财年的重要事项写进去了。而同时他们实际进入1z纳米工艺的时间也比内部时间表要早那么一些。

对于DRAM来说，更新的工艺能够做出单片容量更加大的内存颗粒来，也更加的省电。而首批采用1z纳米工艺的产品将是美光新的16Gb容量的DDR4以及LPDDR4X内存颗粒，尤其是后者，对于目前移动端越来越大的内存大小和带宽的需求，容量越大、速度越高并且更加省电的内存颗粒是移动厂商们的最爱，美光的大容量LPDDR4X颗粒还正好赶上了Intel的IceLake处理器开始正式出货，而新的处理器加上了对于频率为3733MHz的LPDDR4X内存支持，在中高端轻薄笔记本市场上面，美光的新颗粒也有很大的市场了。

而对于大容量的DDR4颗粒来说，它们的用途多在制造大容量内存条上面，目前单条32GB的产品还没成为桌面端的主流，但是对于工作站和服务器来说，这种单条大容量的内存条是刚需。

在提供8x16Gb也就是16GB大小、最高频率可以达到4266MT/s的内存的同时，美光还提供了一种基于UFS的多芯片封装方式——uMCP4，它可以将NAND和DRAM整合在一个封装中，目前有64GB+3GB和256GB+8GB两种配置，这种封装可以减少存储芯片们所占据的位置。

据外媒TrendForce报道，在本月1号的时候，美光公司位于台湾地区的桃园晶体厂由于氮气分配系统故障，导致厂内晶片和设备受到了污染。按照预测，此次污染意外导致大约6万片的晶圆报废。不过美光公司昨天发表官方声明否认了这件事，表示没有发生氮气泄露事件，只是一些小事故，相关业务并没有受到实质影响。

美光公司在此次事件中受影响的工厂为桃园Fab 2，该厂原本是属于华亚科，不过去年被美光收购之后已经成为美光的DRAM重要生产基地，也是美光最先推进到20纳米制程的厂房。如果按照外媒预测属实的话，此次将会影响到全球DRAM供应量的5.5%，而且DRAM产品至今都是维持供货吃紧的状况，这也将会对DRAM市场产生一定程度的冲击。另外值得注意的是美光给iPhone的LPDDR4的产品大多数由该厂房供货，可能会对即将上市的新iPhone出货产生影响。

目前美光已经发表了澄清的声明，表示晶圆厂的故障并非氮气泄露引起的，只是一些小事故，并且很快就会恢复。不过今年的内存还是不要指望降价了，不涨价都算好的了。对于此次事件你有什么看法，可以来和小超哥（ID：9501417）谈一谈。

Tidal Systems公司成立于一年前，它可不是什么泛泛之辈，创办人和团队成员主要来自与Link A Media和SandForce，在极其短的时间内就开发出PCI-E/NVMe与SATA 6Gbps两种主控，支持LDPC低密度奇偶检查码校验技术，这可是TLC闪存必须的纠错技术。

现在生产闪存制造厂都拥有自己的SSD产品，当中Intel与三星都是一直在开发自家的主控的，海力士收购了Link A Media，东芝在收购OCZ后也取得了主控技术。美光现在收购Tidal Systems后也拥有了主控技术，此举无疑是为了强化未来市场竞争力。

据路透社引援匿名人士消息，美光方面认为，紫光提出的收购案很可能不会获得美国外国投资委员会（CFIUS）的许可，因为他们有权终止可能危及国家安危的交易。

该报道还有讲到，紫光此前仅仅是向美光表达了收购意向，还没有提出正式的要约和报价。而美光方面也还没认真考虑这一交易提议，仅向投资银行寻求意见，并没有正式聘请任何一家为之后的交易作准备。

这个潜在的交易，230亿美元是个巨大的数字，显示出紫光方面的诚意和提升集成电路生产水平的决心，但另一方面，即使美光的股东动心，美国当局估计也不会让这则交易完全实施，最多可能部分放行，某些核心的技术可能还是会紧握在手中。

索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb（2GB）的ReRAM芯片，据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造，可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片，可用于移动设备或者是PC上。按照公布的信息称，这颗芯片的实际性能是读取900MB/s，写入180MB/s，和它读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能已经非常接近，进入量产、商品化的可能性很高。

另外根据两者公布的成品来看，这款ReRAM芯片应该是索尼早前研究成果的延续，毕竟索尼早在2011年就公布了小容量型的样品，而Micron早前的研发精力则放在相变存储芯片PRAM，现在的ReRAM产品应该是“索尼研制”和“Micron制造”的共同成果。

　　与P320h相同，P420m将有2.5寸和HHHL（半高半长）两个版本。2.5寸版本只支持PCIe x4和16个闪存通道，容量有350GB和700GB两种，4K性能达到430K IOPs，持续读取性能达1.8GB/s。

　　而HHHL版本则可以支持PCIe x8和32个闪存通道，容量有700GB和1.4TB两种，4K性能达750K IOPs，而持续读取性能则达到3GB/s。官方宣称的性能与上一代的P320h接近。

　　由于采用了MLC闪存，相对于采用SLC的P320h，P420m实现了容量的翻倍，但同时可写入数据量也由P320h高达50PB下降到了10PB，不过也相当于每天写满4个硬盘的容量持续使用5年了。

　　可能是由于产品还没正式完成，美光方面还没公布价格和写入性能的数据，如果价格合理，相信性能接近而容量更大的P420m将比P320h受欢迎得多。

　　DDR3L-RS标准此前被称之为DDR3Lm，通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗，电压为标准的1.35V，同时能提供与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性，运行频率有667/800MHz两种。

　　美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造，FBGA封装，容量暂时有2Gb(128Mb×16/256Mb×8)和4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)两种规格，已经通过Intel Ivy Bridge新平台的认证。

　　除了上面两种规格，美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS，运行频率800MHz，预计今年12月份量产。而下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS则可能在2013年年初推出。

　　美光官方对于DDR3L-RS的介绍链接：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram#ddr3l-rs

　　MaximumPC报道称，美光使用45nm工艺成功量产1Gb PCM闪存，工作电压为标准的1.8V，实际上这个内存是由1Gb容量的PCM闪存和512Mb的低功耗DDR2闪存组成，二者使用相同的传输界面。

　　美光公司希望初期的产品用于功能手机中，因为目前制造出的PCM容量还比较低，未来的PCM产品有望用于智能手机和平板中。

　　PCM闪存是以bit为单位进行单元擦除，这与NAND闪存以block区块为单位擦除有明显不同，因此擦除速度更快，这意味着其写入性能更高，美光的F&Q页面上表示PCM随机读取速度有400MB/s，这还只是第一代产品的性能。此外，美光表示PCM闪存的启动速度更快。

　　与NAND闪存一样，PCM也存在写入次数限制，不过PCM的特性就是每个cell单元都可以存储多位bit，因此PCM的可靠性理论上高于NAND，美光生产的PCM闪存写入次数高达10万次，堪比SLC闪存。

　　Mark Durcan于1984年加入美光科技，曾任公司首席技术官，并于2007年被任命为首席运营官。早前美光科技曾经宣布，Mark Durcan将于今年8月正式退休。在Steve Appleton因飞机事故逝世后，Mark Durcan“老将出马”，迅速被美光科技董事会任命为临时CEO，随后转为新一任的正式CEO。

　　业界早有传闻，美光科技将与尔必达结盟，在存储设备技术上进行共同合作。前首席执行官Steve Appleton的逝世让这个传闻的“前途”变得一片模糊。现在Mark Durcan这名老将已经接过了重担，在他的带领下美光科技会有新的发展，我们拭目以待。