铠侠目标1000层3D NAND闪存：计划2031年量产“千层面”

目前全球每天产生的数据量是非常庞大的，通过HDD和SSD存储在大容量的服务器和数据中心里，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展，其中一个原因归功于在存储单元上堆叠更多的层数。

吕嘉俭 | 发布于2024-04-07 11:26

美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案：基于232层3D NAND闪存，最高1TB

美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，称可以为智能手机提供业界最强性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载，并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案，也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。

吕嘉俭 | 发布于2024-02-28 10:50

传小米采购长存232层3D NAND闪存，用于最新款智能手机

长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度，也是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案。目前X3-9070主要用于国内销售的存储产品上，不过很快可能会出现在全球销售的终端设备里。

吕嘉俭 | 发布于2023-11-11 11:18

美光推出7500系列SSD：面向数据中心，采用232层3D TLC NAND闪存

美光宣布，推出7500系列SSD，相比之前的7450系列SSD，性能有所提升。新产品沿用了PCIe 4.0 x4接口，主要面向数据中心存储应用，包括了云服务器和企业服务器，是全球目前唯一一款搭载200+层NAND闪存的主流数据中心SSD。

吕嘉俭 | 发布于2023-10-17 11:31

美光推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案：采用232层3D TLC NAND闪存

美光宣布，推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案，目前正在向部分智能手机制造商和产品供应商发送样品。美光表示，最新的移动闪存在几个关键的NAND基准测试中领先于竞争对手，可以为智能手机提供业界最强性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载。

吕嘉俭 | 发布于2023-06-25 10:58

东京电子开发出全新蚀刻技术，用于堆叠超过400层的3D NAND闪存芯片

东京电子（TEL）宣布，其等离子体蚀刻系统的开发和制造基地已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术，用于堆叠超过400层的先进3D NAND闪存芯片。开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围，从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。

吕嘉俭 | 发布于2023-06-12 15:23

铠侠和西部数据将展示300+层3D NAND闪存，进一步提高性能和密度

2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行，铠侠（Kioxia）和西部数据将展示最新的创新成果，以支持未来更高容量、更高性能的3D NAND存储设备。

吕嘉俭 | 发布于2023-05-05 17:23

铠侠演示七级单元3D NAND闪存，将低温环境与新的硅工艺技术相结合

目前全球每天产生的数据量是非常庞大的，预计到2025年将达到175ZB。大量的数据存储在大容量的服务器和数据中心里，使用的是HDD和SSD，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展归功于三维方向上将存储单元堆叠更多的层数，同时一个存储单元里存储更多的比特数。