Kioxia首席技术官Masaki Momodomi表示：

“通过我们长达20年可靠的合作关系，Kioxia和西部数据成功地在制造和研发方面创造了无与伦比的能力。总的来说，我们生产世界上30％以上的闪存，并提供了令人信服的价格以及出色的容量，性能和可靠性。我们每个人都在个人电子产品到数据中心的一些列以数据为中心应用中，以及由5G网络、人工智能和自主系统促成的新兴应用中提供这一价值主张。”

这款第六代3D闪存采用了超越传统的先进架构，与第五代技术相比，横向单元阵列密度提高了10%。这种横向扩展的进步，结合162层堆叠式垂直存储器，与112层堆叠技术相比，可将芯片尺寸缩小40%，从而优化了成本。Kioxia和西部数据的团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，这两种技术的应用使性能提高了近2.4倍，读取延迟上提高了10％。I/O性能也提高了66％，从而使下一代接口能够支持更快的传输速率，满足不断增长的性能需求。

总体而言，与上一代产品相比，新的3D NAND降低了每单位的成本，并使每个晶圆的存储容量增加了70％。Kioxia和西部数据继续推动创新，以确保不断扩大规模，满足客户及其多样化应用的需求。

铠侠与合作伙伴西部数据正在日本岩手县北上市附近的K1晶圆厂加紧生产96层BiCS 3D NAND闪存。按照规模来算，K1晶圆厂是世界上最大的合资工厂（根据两家公司的说法），其无尘车间将分四个阶段建成。K1晶圆厂于今年早些时候在一期工厂开始了3D NAND闪存的商业化生产，预计在此期间产量将有所增长，同时随着时间的推移再增加三期的无尘车间。

铠侠将在目前厂区附近开始筹备13.6万平方米的面积，用于K2晶圆厂的建设。前期准备工作将于2021年春季开始，预计将于2022年春季完成。如果铠侠决定在2022年初开始建造，那么将在2023年初完成，并为设备入驻做好准备。通常情况下，装备无尘车间设备并开始商业化生产需要1到1年半的时间。所以，如果铠侠按照正常的晶圆厂建设计划，K2晶圆厂可能会在2024年开始运营。 

目前铠侠尚未公布K2晶圆厂的具体时间表，很可能涉及与合作伙伴西部数码就关于新工厂的联合投资条款进行协商。铠侠和西部数据的K1晶圆厂占地约15万平方米，包括配套设施、行政大楼以及生产设施本身。K2晶圆厂的占地面积相比之下会小一些，因为不需要独立的行政楼，因此生产规模可能会与K1晶圆厂类似。

根据TrendForce的数据，在2020年第三季度，铠侠和西部数据占据了35.2%的3D NAND闪存份额，略微领先于三星的33.1%份额。   

XG系列是铠侠主打高性能的系列，这次的XG7和XG7-P的顺序读取速度是上代的XG6系列的2倍，而顺序读写速度则达到了XG6系列的1.6倍，这意味着XG7和XG7-P系列的读取速度至少为6.3GB/s，写入速度至少为4.6GB/s。

但是铠侠并未公布具体的性能数据，而且也没有公布更多的细节信息，包括采用什么主控等等，只是表明了XG7和XG7-P系列采用了BiCS FLASH 3D立体堆叠式结构闪存。而我们猜测主控可能是魔改群联或者Marvell的，闪存可能是96层堆栈的BiCS 4闪存或者112层堆叠的BiCS5，反正应该还是TLC，现阶段追求高性能的XG系列还不会上QLC。

重要的是，这是铠侠的首个面向消费级的PCI-E 4.0 SSD（尽管是它是面向OEM商的），并且铠侠告知了容量规格——XG7系列有256GB，512GB和1024GB的可选，而XG7-P则提供2048GB和4096GB的容量。具有4096GB容量的XG7-P也很有可能成为第一个具有4TB容量的消费机OEM SSD，而消费者最早应该会在明年年初的时候在品牌主机中看到它。

当然目前我们无法得知铠侠XG7的具体细节，可以知道的是它支持PCI-E 4.0和NVMe 1.4，没啥意外的话依然会是M.2 2280的规格，闪存可能是96层堆栈的BiCS 4闪存或者112层堆叠的BiCS5，反正应该还是TLC，比较XG系列是追求高性能的，现阶段不会上QLC的。主控嘛，对外宣称肯定是自研，实际上可能是魔改群联或者Marvell的。

铠侠XG7的上市时间未知，毕竟是OEM产品，入库时间是7月26日，可能在新上市的Intel EVO认证笔记本上能看到它们。

在今年的Hot Chips大会上，Cerebras表示现在可以实现整个芯片拥有2.6万亿晶体管，85万个核心，相比之前的规格增加了一倍有余。然而实现方式其实很“简单”，因为去年的那款芯片还是采用的台积电16nm工艺进行制造，现在只需换成台积电最新的7nm制程工艺，就可以实现如此壮举。该公司表示，它已经在实验室中运行了新款芯片。

当然，这第二代的新款晶圆级芯片仍将具有与第一代相同的芯片面积，毕竟，它受到晶圆尺寸的限制。此外，预计该公司还将增加芯片内置的内存容量并加强芯片互连速率，以提高芯片内数据传输的带宽。去年的第一代芯片具有9PB/s的内存带宽，并且这样一个芯片的TDP为15KW。

晶圆级晶片除了像Cerebras这样制作计算芯片的应用外，也有应用于存储方面的研究。铠侠（前东芝存储）正在进行的新研究就是——通过跳过传统闪存和SSD制造方法过程中所有切割，组装，封装等操作，直接生产晶圆级的SSD ，这样可以极大地降低制造成本和交货时间，并且得到高性能的大量数据存储解决方案。

不过虽然铠侠提出了“晶圆级固态硬盘”的概念，但是还处在早期开发阶段，距离实际上市和应用还很早。目前受瞩目的晶圆级晶片还是Cerebras WSE，而关于第二代Cerebras WSE的更多信息，还是得到该公司宣布最终产品时才能知道。

据mynavi报道，铠侠在其内部引入了称为“晶圆级固态硬盘”的技术概念。通过跳过传统闪存和SSD制造方法过程中所有切割，组装，封装等操作，直接生产晶圆级的SSD ，这样可以极大地降低制造成本和交货时间，并且得到高性能的大量数据存储解决方案。该技术概念旨在利用“超级多探测技术”，探测和并行操作单个晶片中的数百个芯片。在超级计算机中堆叠和安装这种具有超级多探测技术的晶圆级固态硬盘将实现数百万IOPS的巨大性能。

这种晶圆级的芯片在去年其实已经有出现，就是Cerebras Systems推出的晶圆级深度学习芯片，其芯片面积达到46225平方毫米，如果你对这个数据没有概念的话，作为对比，CPU中的核心裸片大小一般在200平方毫米以下，而GPU核心的大小也没有超过1000平方毫米的。官方称这片芯片的尺寸比当时最大的GPU核心要大56倍，整个芯片拥有1.2万亿晶体管。

目前虽然铠侠提出了“晶圆级固态硬盘”的概念，但是还处在早期开发阶段，距离实际上市和应用还很早。并且，即使实际应用，最初也是用在商业领域，比如需要大量数据存储的服务器等。

铠侠的UFS 3.1将会有四种容量版本，起步为128GB，最大为1TB，它们都将会使用铠侠的BiCS闪存，不过没有透露具体是哪一代。

UFS 3.1主要在UFS 3.0的基础上加入了三个特性：写入加速、深度睡眠和性能限制通知。铠侠这一新推出的系列自然是支持上述的三大新特征，并且还支持了UFS 3.1规范中为可选项的Host Performance Booster功能，它可以提升随机读取性能。

根据官方给出的脚注，本月出样的UFS 3.1存储芯片为256GB容量的，其他几种容量的产品将会在3月份之后逐步推出。铠侠对UFS标准的支持一直是走在前面的，在2013年他们是第一家宣布推出UFS产品的公司，而在去年又是第一家宣布推出UFS 3.0产品的，虽然比西部数据慢了一步，但还是走在前沿。

铠侠的嵌入式内存产品总监Scott Beekman表示他们的最新产品将会让移动设备完整享受到5G带来的益处，帮助实现更快的下载速度，并且可以减少延迟，最终提升用户体验。

根据铠侠官方发出的客户通知显示，火灾是在日本时间2020年1月7日上午6时许发生的，发生地是四日市工厂的Fab 6，火灾没有造成生产人员伤亡，不过一台生产设备部分损坏，恐需要更换，火灾发生的原因和其对生产造成的影响仍在调查中。

从这则官方通知来看，火灾是发生在了工厂内部，我们知道，半导体生产车间是要求无尘的，而发生在内部的火灾必然带来了相当大的烟尘，这就有可能造成工厂短期内无法复工。无独有偶，三星的DRAM、NAND工厂在新年前夕经历了一次1分钟左右的短时停电，损失也不小。另外，铠侠的这座工厂在去年也经历了同样的停电事故，不过它停电的时间要长得多，官方统计是至少造成了6EB容量的闪存损失。

看来NAND价格在年内出现上涨已经成为定局，就看要涨多少了，此前有预测是40％，不过在各种意外事件的推动下，这个数字具体能到多少还是个问号，实际上供应量波动并不会太大，反而是更高的需求量可能会导致更大的涨价幅度。

其实这项技术的部分内容已经在8月底的时候于国际存储峰会上面公开了

如果这项技术应用顺利，那么有望将持续拉低闪存的制造成本，其他NAND厂商也可能会开发出类似的技术来竞争，对消费者而言就是直观的每GB价格下降了。

东芝新推出的XFMEXPRESS规格的存储设备尺寸非常小，仅为15mm*18mm*1.4mm，与标准SD卡的32mm*24mm*2.1mm要小不少，即使与microSD卡的15mm*11mm*1mm也大不了多少，所以规格是非常小的。除了小规格外，东芝采用了特殊的接口形式和连接方式，以实现高速数据传输。东芝采用了PCIe 3.0及NVMe 1.3协议，以实现高达4GB/s的单向传输数据，而下一代甚至可以提供8GB/s的单向传输速率。

作为一种可移除式的PCIe NVMe存储设备，这种全新的存储品类和SSD易用而且可升级。同时XFMEXPRESS技术将坚固、紧凑的封装与可移动存储设备功能和灵活性相结合，有助于减少技术障碍和设计限制。所以东芝与日本航空电子工业有限公司合作开发了这种存储设备的连接器。这种连接器让XFMEXPRESS存储器的连接更加方便。

图片来自Anandtech

XFMEXPRESS存储器从规格看非常先进，而且也得到了联想商用解决方案副总裁的称赞。不过这种规格还需要继续推广开发，吸引更多的厂商合作，才有机会得到更多的关注和使用。

东芝在2017年为了避免破产，而将亏损多年的子公司——东芝存储于当年4月份分拆出去成立了独立的公司，虽然他们的业务一直在正常进行，比如生产闪存芯片、售卖SSD等，但是内部的调整一直没有停止，去年6月份，分拆终于完成，东芝存储自此成为了一家完全独立运营的公司，与东芝仅剩的联系就是他们的名字了。今年4月份，有报道就指出，分拆之后的东芝存储可能将进行更名，而今天东芝存储终于正式宣布了这一消息。

本次更名还将涉及到东芝存储在全球的子公司，包括在中国的东芝电子以及收购的OCZ（饥饿鲨）品牌，都将以新的名字挂牌。

东芝存储目前是世界上最大的闪存制造商之一，NAND Flash就是它率先发明的。其与西部数据联合供应着约占世界总供应量35%的闪存颗粒。而前不久发生的停电事故发生在他们位于四日市的工厂，损失高达6EB容量之多的闪存芯片，并且至今仍不确定是否恢复了生产。并且东芝存储的业务并不仅限于闪存业务上，作为一家老牌的存储厂商，它拥有着全球最悠久的HDD生产历史，还在各种小型存储卡领域多有建树，希望本次更名能给东芝注入新的品牌力量，能够完成中途推迟的IPO等等未竟的事业。