性能方面，浦科特TLC NAND闪存固态硬盘128GB版的连续读写最高分别为530MB/s和380MB/s，256GB版为最高540MB/s和最高450MB/s，512GB版的连续读取性能与256GB版一致，但连续写入性能达到465MB/s水平。4K随机读写性能则三者一致，读写分别为80000 IOPS和72000 IOPS。

　　在上周浦科特举办的SSD玩家英雄会上，我们已经就TLC NAND闪存固态硬盘的相关问题向浦科特进行了咨询。据对方表示，由于东芝19nm TLC NAND闪存的产能问题以及产品开发、检测等多方面因素影响，浦科特的TLC NAND闪存固态硬盘至少要到下半年才能正式发布，而来自Guru3D的消息则称是在8月份，距离现在还有接近5个月的时间，大家还是耐心等等吧。

　　TLC NAND闪存用作于固态硬盘有两大瓶颈，一是性能，二是寿命，不过从浦科特公布的M8S规格以及早前三星840系列固态硬件的实际表现来看，性能方面的瓶颈似乎已经有所突破，剩下的就是寿命问题了。现在CeBit 2013马上就要开启了，浦科特的M8S能否在两个瓶颈上都有所突破呢？我们拭目以待。

　　据OCZ提供的资料显示，Vertex 3.20系列固态硬盘仍然采用SATA 6Gbps接口设计，仍然使用目前主流的SandForce SF-2281主控，厚度仍然维持9mm不变，唯一改变的就是更换为20nm MLC NAND闪存。至于闪存颗粒由哪一家厂商提供，按照目前来看很有可能是IMFT，至于是采购成品还是自行封装就不得而知了。

　　换用20nm工艺闪存的Vertex 3.20在性能上相比Vertex 3变化不大，前者的最高连续写入/读取速度分别为550MB/s和520MB/s，120GB版本的Vertex 3.20在连续写入上要比同容量的Vertex 3高一点。而4K随机读写的性能则根据SSD容量的不同有所区别，其中120GB版的4K随机读取和4K随机写入速率平均为20000 IOPS和40000 IOPS，240GB版则为35000 IOPS和65000 IOPS。

　　另外由于20nm工艺闪存颗粒的功耗更低，因此Vertex 3.20的活动功耗与待机功耗都要低于Vertex 3。按照OCZ给出的数据，Vertex 3的活动功耗以及待机功耗分别为3W和1.65W，而Vertex 3.20只有2.15W和0.55W。

　　目前Vertex 3.20固态硬盘已经开始出货，有120GB以及240GB两个版本，未来还会加入480GB版本，统一享受3年质保服务，不过具体的产品售价暂未确定，预计和同容量的Vertex 3维持同一水平。

　　另一方面，SanDisk风投公司的第一笔投资就是投向Whiptail，Whiptail提供企业级的闪存解决方案，Ignition Partners、RRE风投、Spring Mountain Capital也向其提供了3100万美元的投资。

　　虽然SanDisk刚开始了风险投资的第一步，但其实在此之前已经作了一些相应的准备，在过去的18个月里它已收购了Pliant、FlashSoft、Schooner这些公司。

　　目前三星的研究员Jaegeuk Kim已经放出了16个关于F2FS文件系统的补丁，并为Linux内核树贡献了接近13000行新代码。有业内人士认为，这个文件系统对采用闪存芯片存储数据的移动设备来说是一个福音，不过尚未有任何厂商包括三星有表示会在自己的新产品上采用该文件系统。

　　实际上，F2FS并不是首个针对闪存芯片进行优化的文件系统，微软推行的exFAT文件系统也是其中之一，不过目前多数移动设备仍然使用传统的文件系统，而不是针对闪存优化的文件系统，毕竟这些传统文件系统具备兼容性优势，新兴文件系统想要全面推广，也必须在这方面多下功夫才行。

　　SanDisk对闪存芯片25年来在业界中的成就表示祝贺，在25年内闪存芯片的容量增加了30000倍而成本则下降了50000倍。在1991年SanDisk推出了一款容量为20MB的固态硬盘，当时这款产品的售价达到了1000美元，但是到了今天仅需2美分就可以做到了。

　　有统计显示，目前世界上各类数据的总容量达到了2.7ZB（ZettaBytes，1ZB即10亿TB），是2005年统计结果的20倍。而在存储介质方面，闪存占据了很大的比例，也起到了很重要的作用，现在其已经成为了消费者甚至是专业人士最喜爱的存储设备。

　　据IDC统计，未来3年内，各类数据的综合将翻两番达到8ZB，闪存仍然承担很重要的地位，甚至是最重要的地位。因此他们预计，未来企业级闪存产品将有250%的销量提升，消费级产品的增长也会相当可观。

　　有分析师称，50年后人们回望过去，会发现闪存技术的发展是我们这个时代最重要的进步。

　　据台湾媒体DigiTimes的报道称，长期以来SanDisk的存储产品一直占据了市场40%的江山，这次金士顿降低产品售价，必然会对SanDisk的销量带来较大的冲击。为了保持自己的优势，下调价格是SanDisk应对金士顿调价措施的最直接手段。

　　实际上，自NAND闪存工艺从30nm级别进步至20nm级别甚至是19nm的时候，NAND闪存产品的售价就开始有所下降了，按照目前的市场报价，8GB容量的TLC NAND闪存芯片已经下降至5美元，而32GB和16GB的MLC NAND则接近35美元及16美元。相信随着技术的进步和时间的推移，NAND闪存价格全部降至1美元1GB以下并不是什么难事。

　　据LSI公司首席执行官Jeff Richardson表示，他们很高兴能够将LSI及SandForce的技术融为一体并加以充分利用。完成收购后，SandForce将成为LSI的闪存设备研发部门，原SandForce首席执行官Michael Ramm将成为该部门的总经理兼副总裁，另外约有190名的原SandForce员工将加入LSI公司。

　　早前LSI公司以3.22亿美元现金全面收购SandForce，同时还拿出了约5000万美元来承担SandForce员工手中的未承兑股票和限制性股票。有业界人士认为，SandForce在拼入LSI后，市场最有可能出现两种变化，一是SandForce放在消费级市场的力量将大大削弱，甚至逐步推出消费级市场，另一个则是LSI通过SandForce的打开消费级市场道路，强化自己在消费级市场的力量。

　　据美光首席财政官Ronald Foster称，得益于用在CPU与GPU上的HKMG技术，20nm工艺闪存芯片在长期读写的测试中一直正常，使用寿命基本与现有25nm产品维持一致，因此无论是厂商还是用户都完全不需要担心产品寿命问题。

　　早前美光和英特尔联手合资的闪存厂商IMFT推出了第二款采用20nm工艺打造的128Gb（即16GB）容量NAND闪存芯片。该产品采用了最新的ONFi 3.0标准，Page size由常用的4KB提升到16KB，预计在2013年全面进驻固态硬盘产品。

　　消息来源：[Xbit Labs]

　　IM Flash Technologies计划在今年年底开始大批量生产25nm TLC NAND闪存芯片。

　　Type 1/Type 2闪存存储模块现在有8GB、16GB和32GB产品提供，售价分别为63、85、159美元，折合约427、576、1078元人民币。

　　消息来源：[tcmagazine]

　　东芝曾是首个在32GB产品上实现43nm制程技术的厂商，而更为先进的32nm技术能进一步减少芯片面积，提高东芝的产能和企业竞争力。随着越来越多的手机和移动装置加入对视频和电影的支持，高密度和小巧的产品显得尤为重要。

　　东芝将于今年七月开始在其位于日本三重县的工厂量产32Gb闪存，比预期要提前两个月，而16Gb产品将于今年第三季度出货。

　　等制程工艺提升至40nm之后，三星的生产力将是60nm芯片（4Gb）的1.8倍。三星方面表示，除了制程上的改进，8Gb Flex-OneNAND还增加了嵌入式内存的软件支持。消息来源：[TCMagazine]

　　型号为310X的CF卡采用了富士特别设计的控制器和最新的SLC闪存，将写入速度提高到了46.5MB/s，比其最大竞争对手SONY的300X卡的理论写入速度快了1.5MB/s。

　　市场上很快就能看到这个系列的CF卡，有4/8/16G三个版本，售价将从100--420美元不等。

[来源：fujifilm]