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下一代CFET晶体管密度翻倍:英特尔、台积电和三星展示各自方案
吕嘉俭 发布于2023-12-19 15:48 / 关键字: 英特尔, Intel, CFET, 台积电, TSMC, 三星, Samsung
在上周的IEEE IEDM会议上,英特尔、台积电(TSMC)和三星展示了各自的CFET晶体管方案。堆叠式CFET架构晶体管是将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起,未来将取代GAA(Gate-All-Round),成为新一代晶体管设计,以实现密度翻倍。
英特尔是首个展示CFET方案的晶圆代工厂,早在2020年就公开了首个早期版本。这次英特尔介绍了CFET制造的最简单电路之一,即反相器的几项改进。CMOS反相器将相同的输入电压发送到堆栈中两个设备的栅,并产生一个逻辑上与输入相反的输出,而且反相器在一个鳍上完成。英特尔同时还将晶体管使用的纳米片数量从2个增加到3个,垂直间隙也从50nm减小到30nm。
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英特尔和台积电披露下一代CFET晶体管进展,未来将取代GAA技术
吕嘉俭 发布于2023-10-07 16:15 / 关键字: 英特尔, Intel, CFET, 台积电, TSMC
据eeNewEurope报道,英特尔和台积电(TSMC)即将在IEDM 2023上公布下一代CFET晶体管的进展情况。未来堆叠式CFET架构将取代GAA(Gate-All-Round),成为新一代晶体管设计。
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台积电介绍其CFET晶体管技术:已进入实验室,距离量产仍很遥远
吕嘉俭 发布于2023-05-26 19:39 / 关键字: 台积电, TSMC, CFET
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英特尔介绍新的堆叠式CFET晶体管架构:下一代GAA技术
吕嘉俭 发布于2023-05-22 15:47 / 关键字: 英特尔, Intel, CFET
近日在比利时安特卫普举行的ITF World 2023上,英特尔技术开发总经理Ann Kelleher概述了英特尔在几个关键领域的最新发展,其中之一便是英特尔未来将采用的堆叠式CFET晶体管架构。这是英特尔首次向公开介绍这种新型晶体管设计,不过没有提及具体的量产日期或者时间表。
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