从之前泄露的Galaxy S23、Galaxy S23+和Galaxy S23 Ultra的部分配置对比图来看，仅Galaxy S23拥有128GB存储型号，Galaxy S23+与Galaxy S23 Ultra起步容量均为256GB，Galaxy S23 Ultra最高可选配1TB存储。Galaxy S23、Galaxy S23+内存容量仅有8GB版本可选，Galaxy S23 Ultra可选12GB。

此前UniverseIce表示Galaxy S23系列手机均配备LPDDR5X内存与UFS 4.0闪存。UniverseIce称仅铠侠生产了128GB容量的UFS 4.0闪存，三星并未生产，并且128GB容量的UFS 4.0闪存性能并未达到UFS 4.0闪存的正常水平。三星考虑到旗舰手机应该尽可能使用自家芯片，于是在Galaxy S23 128GB版本使用UFS 3.1闪存。

UFS全称为Universal Flash Storage，是一种设计用于数码相机、智能电话等消费电子产品使用的闪存存储规范，由JEDEC固态技术协会研发。UFS相较eMMC最大的不同是并行信号改为了串行信号，可以更好地提高频率，同时半双工改为全双工。

UFS 1.0于2011年2月推出，最大传输速率为300MB/s，之后不断更新；2020年1月发布UFS 3.1标准，最大传输速率为2900MB/s；2022年8月发布UFS 4.0标准，最大传输速率可达5800MB/s。

为了简化设计、降低系统成本并提高设备性能，JEDEC还提供了几个补充标准，分别是：JESD220-3A - UFS高性能加速扩展JESD223E - UFS主机控制器接口4.0版本（UFSHCI 4.0）JESD220-1A - UFS统一内存扩展1.1版本JESD223-1B - UFS主机控制器接口、支持统一内存扩展1.1版本JESD224 - UFS测试JESD231 - UFS基于文件的优化扩展1.0版

UFS 4.0标准是为了需要高性能和低功耗的移动设备而开发的，是一种高性能接口，将带来显著的带宽和数据保护改进。通过UFS 4.0和UFSHCI 4.0标准，相比上一代标准做了以下改进：

利用M-PHY 5.0版规范和UniPro 2.0版规范，将UFS接口带宽加倍，支持高达4.2GB/s的读写流量。

为要求更高的存 I/O模式，引入了多循环队列定义。

高级RMPB接口可增加带宽，同时保护数据的安全。

UFS 4.0标准还提供了多项增强功能，旨在提高整体设备功能、电源效率以及轻松集成未来的解决方案：

使用了更高效的VCC电压，为2.5V，而不是先前版本的3.3 V。

借助高速链路启动、乱序数据传输和 BARRIER 命令来改善系统延迟。

通过引入具有主机可配置时间戳，以及和增强型M-PHY Eye Monitor 设备错误历史记录来简化系统集成。

保留了与UFS 3.0 / 3.1标准的向后兼容性，以允许在混合系统应用程序中使用。

三星在今年5月份推出了业界首款UFS 4.0闪存解决方案，新一代产品采用了三星第七代V-NAND闪存技术和专有主控，使得UFS 4.0闪存的顺序读取速度达到了4200MB/s，顺序写入速度达到了2800MB/s。此前三星已宣布，UFS 4.0闪存芯片在本月进入量产阶段，相信很快会出现在各个品牌的新一代旗舰手机上。

其次，三星推出了“Memory-Semantic SSD”，结合了存储和DRAM优势，利用Compute Express Link（CXL）互连技术和内置的DRAM缓存，Memory-Semantic SSD在AI和ML应用程序中可以将随机读取和延迟的表现提高20倍，通过针对性的优化，非常适合越来越多需要快速处理的较小数据集。

接着三星介绍了其遥测技术，可以从客户SSD内的关键组件收集可读的元数据，以提前检测和预防任何潜在的问题。三星表示，随着SSD在数据中心更广泛地采用，通过高级技术手段进行更可靠、更高效的管理变得愈加重要。

最后，三星宣布今年5月份推出的业界首款UFS 4.0闪存解决方案计划在本月进入量产阶段。作为全球主要的手机零部件供应商，三星相信UFS 4.0闪存很快会出现在各个品牌的新一代旗舰手机上，之后还会用于汽车、AR和VR等应用场景。三星还透露两款企业级SSD已进入量产阶段，分别是PM1743和PM1653，前者是业界首款PCIe 5.0 SSD，后者是首款24G SAS SSD。

此外，三星还强调了其SmartSSD与CXL DRAM产品线，旨在避免当前内存和存储架构中的瓶颈。

新一代产品采用了三星第七代V-NAND闪存技术和专有主控，使得UFS 4.0闪存的顺序读取速度达到了4200MB/s，顺序写入速度达到了2800MB/s。虽然有了更高的性能，但是并没有增加封装的尺寸，其最大尺寸为11mm x 13mm x 1mm，仍属于紧凑型封装。三星的UFS 4.0闪存解决方案还包含了一个名为“Replay Protected Memory Block（RPMB）”的先进设计，当只能通过身份验证来读取或写入重要个人数据的时候，其效率提高了1.8倍。

据三星的介绍，该款UFS 4.0闪存解决方案每通道提供了23.2 Gbps的数据传输速度，是之前UFS 3.1闪存解决方案的两倍。同时，UFS 4.0闪存解决方案提供了每毫安（mA）6.0MB/s的顺序读取速度，能效比上一代产品提高了46%。这使得UFS 4.0闪存更适合需要大量数据处理的设备，比如需要高分辨率图像和大容量游戏的手机、汽车和AR/VR应用场景。

三星将会在2022年第三季度量产UFS 4.0闪存，容量最高达到1TB。

铠侠的新款UFS闪存提供128GB、256GB和512GB三个容量， 用的是他们自家的BiCS 3D闪存，这些UFS将继续使用UFS 3.1协议，但采用全新的M-PHY 5.0物理层，可以在HS-Gear5模式下提供接口速度达到了每通道23.2Gbps，双通道就是46.4Gbps，换算成GB/s的话就是2.9GB/s和5.8GB/s。

与上一代设备相比，256GB的UFS连续读写速度分别提升了90%和70%，连续读取速度达到了4.4GB/s，随机性能方面随机读取提升了35%，而随机写入则提升了60%。新一代的UFS性能有了显著提升，使下一代智能手机和其他产品在5G时代能提供更强的功能和更好的用户体验。

MIPI M-PHY 5.0协议依然使用8b/10b的编码模式，实际上接口带宽应该只有单通道1.875GB/s和双通道3.75GB/s，可见新款的双通道UFS带宽是肯定比现有PCI-E 3.0 x4的SSD更快的，基本上性能等于PCI-E 4.0 x2的SSD。目前并没有支持UFS 3.1且使用MIPI M-PHY 5.0协议的SoC，所以在较长一段时间内应该没有对应的产品推出。

铠侠表示新一代的256GB UFS会在2月25日开始向合作伙伴发送样品，8月会跟进其他型号，而手机厂商需要12到18个月的周期去开发基于新SoC的智能手机，所以预计搭载M-PHY 5.0存储设备的手机最快也得等到明年。

实际上消费级SSD以及UFS闪存产品本季度跌幅都没原本预计那么高，消费级SSD由于长期困扰笔记本OEM厂商的元件短缺问题有所改善，虽然现在Chromebook的需求有所下降，但整体出货量依然有各种商务机型所支撑，第一季度笔记本电脑的出货量跌幅没有同期淡季这么低，此外Intel新一代Alder Lake处理器出货量不如预期，PCI-E 4.0 SSD也随之受到影响，而OEM厂商为了满足出货目标转而回头追加PCI-E 3.0 SSD的订单，但目前供应端已经逐渐转向PCI-E 4.0，需求供应出现了落差，使得消费级SSD的跌幅从原来的5~10%降低至3~8%。

同时智能手机的同样处于市场淡季，品牌商手头上的库存也在高位，大批量采购的意愿不高，而供应商则受惠于PC OEM厂商自2021年11月的加单，降低了手头上的库存，因此价格降幅也有所降低，从原本预期的8~13%，降低至5~10%。而服务器SSD以及NAND晶圆的价格走势变化不大，跌幅依然保持原来的的3~8%以及10~15%。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，由于Client SSD合约价自高点连跌七季，与传统硬盘的成本差距已经不远，在2019年第二季起刺激笔记本电脑搭载SSD的比重及容量显著上升。而六月中旬后，铠侠/西数四日市厂区发生跳电问题导致供给量下降，带动eMMC/UFS、SSD成交价格在第三季中止跌，Wafer市场则迅速反弹，第三季上涨近20%，eMMC/UFS及SSD合约价也在第四季翻涨。从客户端需求来看，尽管2019年第四季合约价上涨，导致Client SSD位元需求趋缓，但数据中心客户积极准备2020年新开案需求，拉货动能优于预期，使得第四季的Enterprise SSD已浮现供不应求的情形，预期2020年第一季合约价将有所支撑。除了数据中心客户积极备货带动需求，移动设备端也因准备苹果2020年上半年的新机上市，备货需求从第四季起涌现。总体而言，2020年第一季NAND Flash将呈现淡季不淡。而在供给面，由于供应商自2019年第二季起已处于盈亏平衡，或甚而呈现亏损，不得不调降2020年的资本支出，产能扩张与3D层数提升的时程都较以往保守。统计各厂规划，2020年位元产出增长仅略高于30%，是历年来规划目标的低点，加上2019年的供给位元已因跳电事件而下调，连续两年的产出增长都不到35%，是第一次出现的景象，也使得2020年全年供需更显紧张。在合约价走势方面，集邦咨询认为，基于淡季需求表现不淡、供给增长保守以及供应商库存已下降，各类产品合约价在2020年第一季均可望持续上涨。按产品类别来看，Client及Enterprise SSD的供需缺口较eMMC/UFS显著，将使SSD产品涨价幅度高于嵌入式产品。展望第二季，受惠于下半年的智能手机以及游戏主机等新产品的生产备货，以及准备进入传统旺季，预期涨价态势得已延续。而在渠道市场的Wafer合约价，由于毛利较低，供应商在主要产品需求热络的情况下，规划在第一季减少对Wafer市场的出货比重，以优先满足接踵而来的SSD需求。在供应商库存水位健康的状况之下，预期模组厂议价空间有限，2019年12月底时价格已上涨逾10%，预期第一季涨幅可望延续超过10%水平。

随着中美相关政策的出台，全球对智能手机和服务器的需求在下半年将会继续低于预期水平，CPU产品的需求也会更加短缺，这将继续影响笔记本电脑等产品的出货量，进而对eMMC/UFS/SSD等产品的出货量造成影响，虽然NAND厂商已经开始削减产能，但仍然无法扭转供过于求的局面，因此闪存产品将会在第三季度继续降价。

今年上半年，OEM厂商对大多数类型产品进行去化库存，备货需求相对较弱，因此NAND闪存产品合约均价已经连续两个月下跌近20%，并没有按照之前预期那样有所反弹。

关于第三季度，集邦表示虽然国际形势仍然紧张，但是需求状况将会好转，合约价降幅有可能会缩小，但是由于供应商库存状况仍然无法缓解，因此下个月的出货价格仍然会下调，因此很难看到合约价反弹的局面。

对于市场当中的主流产品eMMC/UFS和SSD来说，由于智能手机和笔记本电脑供应商预计会在第三季度备货能力将有所提升，再加上前两个季度再加个方面的大幅度波动，因此合约价降幅将会保持在10%左右。

在产品制程方面，以移动设备为主的eMMC/UFS仍然将会以64/72层3D NAND为主要制程，同时92/96层3D NAND对于SSD产品更加友好，有利于降低成本。

由于时间关系，这篇市场分析并没有考虑到东芝闪存工厂的停电事故，可以作为整体趋势的参考。

据集邦咨询旗下的DRAMeXchange报道，6月12日，NAND控制芯片大厂群联召开股东常会。群联董事长潘健成于会中表示，与2017年相比，2018年度快闪存储器(NAND Flash)跌价超过50%，群联透过稳健营运与弹性布局，营收持平。然而全年度整体控制芯片出货量成长近20%，SSD控制芯片出货量年增率更是超过50%，再加上SSD固态硬盘及嵌入式储存装置(Embedded)等利基产品出货量成长超过25%，持续稳定维持毛利率在20%以上，显示群联长期策略布局正确，得以因应快闪存储器市场的快速波动。展望后续，潘健成提到，NAND景气在今年首季落底，第二季随系统厂开始回补库存，产业逐渐看到曙光，报价也会在第二季到第三季间止跌，而下半年需求将显着好转。

现在的SSD价格已经来到1元1GB，也差不多该到了SSD价格曲线的最底端，所以如果你最近有扩大存储的需求的话，现在是时候抄底了。

集邦网旗下的DRAMeXchnage日前报道了全球智能手机闪存情况，由于3D NAND闪存产能增加、良率提高，尽管Q2季度智能手机、笔记本电脑的需求比Q1季度有所增长，但是供应商面临较大的库存压力，手机闪存还是会继续降价。

在智能手机所用的eMMC、UFS闪存中，后者跌幅更大，前者Q2合约价降幅0-5%，UFS闪存则跌了5-15%，原因是供应商为了吸引手机厂商增大中高端智能手机的存储容量，将128/256GB UFS闪存的价格做了调整，以推动厂商从64/128GB容量提升到128/256GB。

对于Q3季度的eMMC/UFS闪存价格趋势，DRAMeXchange认为供应虽然还会继续增加，不过Q3季度是手机传统旺季，苹果也会发布新品，在这两个利好下手机闪存的跌幅会收窄到5%以内。

至于Q4季度，价格走势还是待定状态，这要看苹果新机能否受到市场欢迎——从这个角度说，安卓用户应该希望iPhone X二代手机卖不好，这样闪存需求下降了，供应商才有降价的动力。

至于eMMC与UFS闪存的走向，DRAMeXchange表示尽管已经有三星、美光、东芝、SK Hynix等多家供应商，中端处理器也支持UFS规格了，高端手机普遍采用UFS闪存，但是在中高端以及中端手机上UFS依然难以普及，渗透乏力。

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新的版本最重要的就是带宽的规范，过去UFS 2.0采用的HS-Gear2（G2）规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps；随后UFS 2.1采用的HS-Gear3（G3）理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，这是非常强大的数字。物理层/传输层依然是采用MIPI M-PHY v4.1/UniPro v1.8，新增温度活动通知，以此实现温度剧变的警报（范围是零下40摄氏度至105摄氏度）。

然而需要注意的是，虽然新的UFS 3.0标准看起来速度很强大，但是就目前知道的2018年上半年将要发售的新设备来说，比如说小米将锁定的骁龙845、Exynos 9810，都没有明确的证据表明新的SoC将会支持全新的UFS 3.0，所以说如果要真的用上新的存储标准，可能不会这么快。临近过年了，估计很多人想买新一波装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信1111888），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

三星全新的512GB UFS闪存将8个64层512Gb V-NAND芯片和一个UFS控制芯片通过堆叠形式封装在一起，在体积上和以前的48层V-NAND 256GB芯片一样，但存储空间翻倍。为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和效率，三星还应用了一套全新的技术，其先进的电路设计和新的电源管理技术还能将功耗降低，512GB eUFS控制器还加快了将逻辑块地址转换为物理地址的映射过程。

接下来还是看看三星给出的数据吧，512GB eUFS的顺序读写速度分别达到了860MB/s和255MB/s，随机读取42000IOPS，写入40000IOPS，这样的表现确实比Galaxy S8上的UFS 2.1要好一些。最后三星还表示他们将扩大64层512Gb V-NAND芯片和256Gb-VNAND芯片的产能，并将其用于SSD产品上。

至于什么时候有传输速度达到2400MB/s的UFS 3.0，只能很遗憾的告诉你最快也要明年初才能看到完整协议，应用到实际产品上起码还要等一年，所以整个2018年估计都会是UFS 2.1的天下，像三星这种UFS闪存供应商也只能默默将容量做大。

Mate 9而非P10用户选择起诉初看之下让人意外，不过仔细想想就不奇怪了——华为在P10手机上并没有大肆宣传UFS 2.1闪存，虽然媒体评测机都是UFS闪存，不过华为官方页面及宣传资料上并未列出具体规格。Mate 9手机则不一样，去年发布时华为就强调了这是UFS 2.1闪存，P10闪存事件爆发之后，华为才在全球网站紧急撤下UFS 2.1宣传，但还是被不少人截图留证，Mate 9用户起诉华为虚假宣传可能更有利。

摩卡RQ微博表示77位Mate 9用户起诉华为

华为闪存门事件争议到现在，走法律手段解决问题是最好的选择了，如果法庭判决华为在这事上没错，那华为也不需要承受这些非议了，如果法庭能证明华为在这事上确实虚假宣传、误导消费者了，那对国内相关企业也是个警醒，不要表面上在PPT上宣传使用了各种高端元件，背地里却偷梁换柱。

大家觉得这77位Mate 9用户能不能胜诉呢？你们支持华为还是支持消费者？有什么要说的可以加小超哥（id:9501417）微信。不论结果如何，这个案件对智能手机行业都有标志性意义。

华为在5月16日首次举行“华为手机开放日”活动，向媒体开放了华为2012实验室、深圳基地全球总部、松山湖生产基地、产品质量检测实验室、消费者体验实验室以及官方面对面访谈。华为办这次活动很大程度是想借此展示华为的开放，让大家了解华为的研发、生产以及质量监控体系，也算是为P10手机的事件做一次公关吧。

这次开放日活动上，余承东作为消费者终端业务的BOSS势必会吸引媒体的焦点，他在这次会议上除了介绍华为手机的历史、品控等问题之外，很大一部分内容是针对P10手机再次进行反思，他到底说了什么呢？

·余承东再次强调华为注重的是用户的实际体验，强调整体表现而非单一性能。

·华为内部对此也做了反思，首先是供应链问题，其次是要做到以消费者为中心，倾听消费者的声音，了解他们的想法。

·华为宣传上并没有欺骗，本来也想统一采用UFS 2.1闪存，但因为存储芯片供应短缺，不能因此导致缺货而被消费者骂死。

·余承东这次还透露了以往被视为商业机密的供应链价格信息，（eMMC、UFS）两种闪存采购价只差0.4-0.7美元，华为混用不同闪存并不是为了省钱。

·“网上说华为海军，其实我们一个都没有。”，余承东认为华为并不善于营销。

·“我说话可能有些二百五，但我余承东是个实在人。”，这是余承东的自嘲。

有关华为P10闪存门及余承东更多表态，大家可以关注小超哥（ID：9501417）微信，不知道这次华为的反思能不能得到大家认同呢？