根据ASML的财报，Q1季度该公司营收22.89亿欧元，其中服务费用5.4亿欧元，设备净销售额16.89亿欧元，EUV光刻机营收占了22%，当季出货4台EUV光刻机，而2018年Q4季度出货了5台EUV光刻机，毕竟Q1季度是淡季，而且各大厂商今年也放缓了半导体投资步伐。

目前ASML出货的EUV光刻机为NXE：3400B型号，每小时处理器的晶圆数不低于125片（125 wph），而今年下半年他们将会推出NXE：3400C光刻机，每小时处理器的晶圆数不低于170片（170 wph）。我们之前介绍过，光刻处理是半导体芯片制造工艺中最复杂的一步，耗时最多、同时也是成本最高的一个过程，占了整个芯片制造成本的1/3左右，所以光刻处理的效率极大地影响着半导体芯片的产能及成本。

从125 wph到170 wph，产能将会提升36%，也就是说一下子就提升了三分之一的产能，这对今年内量产7nm EUV工艺的台积电、三星来说是个重大利好。

荷兰Financieele Dagblad报纸周四发表了一篇文章，称6名中国员工窃取了ASML公司的商业机密，并将机密出售给XTAL公司，而XTAL母公司是中国的东方晶源，文章提到这家公司背后有中国政府的支持。这起案件去年被法院判决，裁定XTAL公司要向ASML公司支付2.23亿美元的赔偿金。

荷兰媒体炒作ASML泄密案而且将案件与中国联系起来，不过ASML公司对这个报道并不赞成，不认为他们成为中国间谍的受害者，该公司在官网发表公告，详细介绍了案件的由来及他们的态度。

ASML表示窃密案发生在数年前（具体来说是2015年），是ASML美国分部的部分员工所为，他们窃取了ASML用于优化流程的软件机密，目的是创造一个新的竞争产品并出售给ASML公司的韩国客户。ASML称XTAL公司的主要资金来自中国及韩国，2016年发现此事之后他们迅速行动，采取法律行动保护自己，美国圣克拉拉法院判决XTAL公司赔偿2.23亿美元，但XTAL已经破产，不确定这些赔偿能筹集到什么程度。

ASML对自己成为企业窃密的受害者感到遗憾，他们在发现问题之后果断采取行动，虽然企业窃密一直存在于各个行业，并且永远是一种风险，但ASML近年来大幅增加了保护自己资产的努力。

ASML表示他们反感任何因为此事而认为ASML在中国区的业务会受到影响的猜测，窃密案中有些人恰好是中国人，但也有其他国家的人员参与其中。

ASML表态会谨慎地保护自家的知识产权，对信息安全非常敏感，该公司相信他们可以为包括中国公司在内的所有客户提供服务，并帮助他们建立企业业务。

此外，ASML还提到了中欧之间近期达成了有关保护非中国公司知识产权的协议，包括采取有效的法律行动，他们对此感到鼓舞。

ASML公司日前发布了2018年Q4季度财报，当季营收31.43亿欧元，环比增长13%，其中设备净销售额24.24亿欧元，毛利率44.3%，净利率25.1%，当季净利润7.88亿欧元，高于分析师预期。

ASML公司2018年营收109亿欧元，其中设备销售额82.59亿欧元，净利润26亿欧元。

Q4季度中ASML出货的光刻机是5台，与Q3季度持平，全年出货EUV光刻机18台，虽然比起2017年的11台大幅增长，但是比之前预期的20台还是有所减少的。根据ASML公司所说，是他们的客户为了平衡市场供需而延缓了EUV光刻机的交付时间，从今年上半年推迟到了下半年。

ASML这番话的背景是2018年底开始半导体市场由盛转衰，首先是存储芯片大降价，一向坚挺的内存价格也跌了，导致三星、SK Hynix及美光等公司大幅削减了今年的资本支出，购买先进设备的意愿下降，而台积电等晶圆代工公司也同样因为苹果iPhone销量下滑等因素受到了影响，也下调了资本支出，逻辑芯片、存储芯片市场下滑也影响了ASML光刻机的出货。

每次提到光刻机，总有人以瓦森那协议为由说美国禁止向中国出口光刻机等先进设备，但从ASML公司的表态来看，他们从来没承认过封杀中国公司进口，实际上中国大陆还是ASML光刻机出口的重要市场，2019年国内市场的营收只占11%，2018年就占到了19%，而ASML CEO表示来自中国市场的强劲需求还会持续下去，因此他们对2019年的业绩也很有信心。

中国的晶圆厂除了进口ASML公司的ArF、KrF传统光刻机之外，EUV光刻机也采购了，去年有消息称中芯国际订购了一台EUV光刻机，预计今年上半年交货。不过国内没有大批量采购EUV光刻机的原因主要是技术还没跟上，EUV光刻机适用于7nm及以下工艺，国内目前量产的工艺还是28nm，14nm工艺研发完成了，但是中芯国际今年才能规模量产。

人民日报全文如下：

科技创新必须丁是丁卯是卯，传播创新成果的科技网文也应当严格遵守真实性原则。那些夸大其词、耸人听闻的“自嗨文”，从某种意义上讲，与假新闻无异。

前不久，中科院光电技术研究所承担的一项国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。研发人员介绍，这台22纳米分辨率光刻机在加工大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器等纳米功能器件上具有明显优势。但是，这台光刻机要想应用于芯片，还要攻克一系列技术难题，距离还相当遥远。

令人哭笑不得的是，个别网媒和自媒体公号在报道这一消息时，却使用了“国产光刻机伟大突破，国产芯片白菜化在即”“新式光刻机将打破‘芯片荒’”等语句。这些网文夸大其词、添油加醋，甚至张冠李戴、无中生有，很容易给人造成“中国已突破光刻核心技术、可以大规模加工高端芯片”的错觉。

对于有一定专业知识的读者来说，对这些意在吸引眼球、增加阅读量、自我营销的“自嗨文”的虚假性比较容易识别。然而，俗话说“三人成虎”，在传播手段多元化、动动手指就能转发的信息时代，这些“自嗨文”如果传播很快，可能会以假乱真。当前，我国国民科学素养还不太高，相当一部分群众对前沿科技知之不多，这些“自嗨文”容易误导公众。一些不明就里的读者容易上当受骗，甚至随手转发、以讹传讹。如果任其泛滥，最终可能会造成“假作真时真亦假”的尴尬局面。

科技创新必须丁是丁卯是卯，传播创新成果的网上报道也应当严格遵守真实性原则。那些夸大其词、违背事实的“自嗨文”，从某种意义上讲，与假新闻无异。这类信息如果蔓延泛滥，不仅会以假乱真、误导公众，还会影响我国科研事业的整体形象。

如何消除这类“自嗨文”？在笔者看来，至少需要从以下三方面着手——

主管部门应加大监管力度，把违背事实的“自嗨文”列为虚假新闻和有害信息。除了及时删除，还应依法依规，对其制作者、发布者严厉惩处。

对于科技成果的研发者来说，应本着“有一说一”的原则，客观、准确、全面地发布信息。在科技成果传播中容易产生“失之毫厘谬以千里”的情况，这就要求科技工作者在发布研发成果时，既不能只宣扬优点、回避短板，也不能为过度追求“生动形象”而牺牲真实。

作为网上受众，也应不断提高自己辨别真伪的能力，不要轻易相信那些“语不惊人死不休”的“自嗨文”。经验表明，标题越惊耸、语言越煽情的网文，往往不符合客观事实。

有关国产光刻机的报道，理性的和吹嘘的各占一半左右

在半导体制造过程中，光刻机是决定工艺水平的关键，所以光刻机在媒体上的曝光率很高，不过现在的的半导体工艺涉及数百道工序，除了最核心的光刻之外，刻蚀也是很重要的一个过程——将晶圆浸入内含蚀刻药剂的特制刻蚀槽内，可以溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不需要蚀刻的部分。

刻蚀机就是处理这部分工艺的，与光刻机相比，刻蚀机的价格就要低多了，通常在500万美元以内，不过需要的数量比光刻机更多，所以也是非常重要的半导体制造装备，全球领先的刻蚀机设备公司主要还是LAM、AMAT应用材料等半导体设备巨头，国内主要是中微电子AMEC及北方华创两家。

说完背景知识，现在报道的这个5nm等离子刻蚀机就是中微电子生产的，实际上这件事已经是旧闻了，2017年3月11日中微电子就通过央视CCTV2频道宣布研发成功5nm等离子刻蚀机，现在则是刻蚀机通过了大客户台积电的验证，可以用于5nm生产线了，只不过台积电的5nm工艺还在研发中，明年才会试产，量产至少是2020年的事了。

考虑到它带有5nm这样的先进工艺字眼，估计今天这篇新闻又要被刷屏了，不过了解下基本知识的话就不用激动了，这个5nm其实跟刻蚀机无关，刻蚀机并不决定半导体的制造工艺。当然，技术进步还是值得表扬的，毕竟也是全球第一个5nm刻蚀机，能打进台积电的供应链也不容易，中微电子在刻蚀机以及其他半导体设备上的进展也有助于提升国内的半导体技术水平。

来自中科院官方的消息报道，中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家罗先刚研究员介绍说，2012年，该所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务，经过近7年艰苦攻关，在无国外成熟经验可借鉴的情况下，项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺，实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。

这一世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备是基于表面等离子体超衍射研制而成，它打破了传统光学光刻分辨力受限于光源波长及镜头数值孔径的传统路线格局，形成了一条全新的超衍射纳米光刻从原理、装备到工艺的技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性战略领域的跨越式发展提供了制造工具。

除此之外，国产的光刻机还有一个优势就是价格便宜，项目副总设计师胡松在接受《环球时报》记者采访时提到每台光刻机的售价应该在1000万元到2000万元人民币之间，未来市场前景广阔，但是完全替代荷兰ASML公司垄断的尖端集成电路光刻机还有一段路要走。

“我们自主研制的光刻设备目前可以小批量生产，助力新型纳米器件产品制造。在生产效率、套刻精度、芯片面积和成品率上还有待进一步提升”，副总设计师胡松说。

光电所根据实际需要，已经实现了相关器件的制造，包括纳米透镜和波前调控等超材料/超表面器件，大口径轻量化薄膜镜等第三代光学器件，切伦科夫辐射、LSPR和SERS生化传感、超导纳米线单光子探测等系列新型纳米器件的制造。

相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科大太赫兹科学技术研究中心、四川大学华西医院、中科院微系统所信息功能材料国家重点实验室等多家科研院所和高校的重大研究任务中取得应用。

来自中科院官方的消息报道，中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家罗先刚研究员介绍说，2012年，该所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务，经过近7年艰苦攻关，在无国外成熟经验可借鉴的情况下，项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺，实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。

这一世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备是基于表面等离子体超衍射研制而成，它打破了传统光学光刻分辨力受限于光源波长及镜头数值孔径的传统路线格局，形成了一条全新的超衍射纳米光刻从原理、装备到工艺的技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性战略领域的跨越式发展提供了制造工具。

验收专家认为，中科光电所研制成功的超分辨光刻装备所有技术指标均达到或优于实施方案规定的考核指标要求，关键技术指标达到超分辨成像光刻领域的国际领先水平。该项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过了国外高分辨光刻装备技术知识产权壁垒，实现中国技术源头创新，研制出拥有自主知识产权、技术自主可控的超分辨光刻装备，也是世界上首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。

同时，利用研制成功的超分辨光刻装备已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平。

中科光电所超分辨光刻装备项目已发表论文68篇，目前已获授权国家发明专利47项，授权国际专利4项，并培养出一支超分辨光刻技术和装备研发团队。罗先刚表示，中科院光电所后续将进一步加大超分辨光刻装备的功能多样化研发和推广应用力度，推动国家相关领域发展。

PS：这则新闻里技术名词很多，这款光刻机的核心之处在于“打破了传统光学光刻分辨力受限于光源波长及镜头数值孔径的传统路线格局”，要明白这个突破的意义需要了解下现在的ASML光刻机原理，我们之前在超能课堂：单价1.2亿美元的光刻机，全球只有一家公司生产一文里介绍过光刻机的分辨率决定了芯片的工艺水平，而光刻机分辨率光刻机的精度跟光源的波长、物镜的数值孔径是有关系的，有公式可以计算：

光刻机分辨率=k1*λ/NA

k1是常数，不同的光刻机k1不同，λ指的是光源波长，NA是物镜的数值孔径，所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径，波长越短越好，NA越大越好，这样光刻机分辨率就越高，制程工艺越先进。

现在中科院研发的光刻机虽然也叫光刻机，但它之所以能打破光刻机分辨率依赖于波长、数值孔径的限制是因为它的原理并不同，文章中也说了这套光刻机系统是基于表面等离子体超衍射，绕过了国外高分辨光刻装备技术知识产权壁垒，实现中国技术源头创新。

这套光刻机也不是中科院系统首次在光刻工艺上作出创新了，在光刻机研发方面，中科院下面至少有两个团队，一个是长春光学精密机械与物理研究所，他们承担了国内的02专项32-22nm装备技术前瞻性研究，专注于EUV/X射线成像技术研究，着重开展了EUV光源、超光滑抛光技术、EUV多层膜及相关EUV成像技术研究，这个技术路线跟ASML的EUV光刻技术是一个方向的。

这次出成就的是中科院光电所，走的是表面等离子体超衍射光学光刻路线，实际上现在曝光的这套22nm工艺光刻机也不是新闻了，因为2017年的时候就有过相关报道了，之前报道中它被称为SP光刻机，号称是世界第一个单次成像就能达到22nm水平的光刻机（光刻工艺中多重曝光可以累积提高精度），现在是这个项目正式通过验收。

中科院这套光刻机使用的365nm光源就能制造出22nm工艺的芯片，未来通过多重曝光等手段可以制造出10nm以下的芯片，技术上很牛，但是对于它的期望不要太高，这种光刻机跟现在的ASML体系的光刻机不一样，用于大规模生产的话需要改变工艺流程，所以真正用于商业生产的话还很遥远，它如何商业化还是个问题，商业化了有没有半导体制造公司去采用这种新型光刻机还是个问题。

总之，中科院现在研发成功的光刻机技术意义很重要，可以开辟新的光刻路线，但是国内半导体工艺水平并不是靠光刻机先进与否就能解决的。

更新：找了更详细的报道，这种光刻机技术原理很不错，但是目前商业量产的实用性可能没有，加工速度太慢了，远不如ASML光刻机，而且处理的是4英寸晶圆。

NA数值孔径对光刻机有什么意义？这个问题我们在之前的超能课堂：单价1.2亿美元的光刻机，全球只有一家公司生产一文中做过简单解释，决定光刻机分辨率的公式如下：

光刻机分辨率=k1*λ/NA

k1是常数，不同的光刻机k1不同，λ指的是光源波长，NA是物镜的数值孔径，所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径，波长越短越好，NA越大越好，这样光刻机分辨率就越高，制程工艺越先进。

现在的EUV光刻机使用的是波长13.5nm的极紫外光，而普通的DUV光刻机使用的是193nm的深紫外光，所以升级到EUV光刻机可以大幅提升半导体工艺水平，实现7nm及以下工艺。

但是改变波长之后再进一步提升EUV光刻机的分辨率就要从NA指标上下手了，目前的光刻机使用的还是NA=0.33的物镜系统，下一代的目标就是NA=0.5及以上的光学系统了。

如今ASML与IMEC合作的就是高NA的EUV工艺了，双方将成立一个联合实验室，在EXE：5000型光刻机上使用NA=0.55的光学系统，更高的NA有助于将EVU光源投射到更广阔的晶圆上从而提高半导体工艺分辨率，减少晶体管尺寸。

如今这项研究才刚刚开始，所以新一代EUV光刻工艺问世时间还早，此前ASML投资20亿美元入股蔡司公司，目标就是合作研发NA=0.5的物镜系统，之前公布的量产时间是2024年，这个时间点上半导体公司的制程工艺应该可以到3nm节点了。

根据ASML公司的Q3季度财报，ASML的设备销售营收20.81亿欧元，安装管理服务等业务营收6.95亿欧元，当季营收27.76亿欧元，同比增长13.4%，环比增长1%，不过毛利率达到了48.1%，同比增加5.2个百分点，环比也增加了4.8个百分点。

Q3季度的光刻机销售中，韩国公司占比33%，台湾公司占比30%，大陆公司占比18%，前一个季度中大陆公司占比是19%，不过Q3季度中台湾公司占比从18%增长到了30%，韩国公司占比从35%降至33%。

在单机过亿欧元的EUV光刻机方面，Q3季度ASML出货了5台EUV光刻机，上个季度出货7台EUV光刻机，预计Q4季度出货6台EUV光刻机，全年出货的数量将达到18台，而2019年EUV光刻机预计出货数量达到30台。

明年除了EUV光刻机数量大涨之外，ASML公司明年下半年还将推出进一步改进的NXE:3400C光刻机，WPH（每小时处理的晶圆数量）产能将提升到155片，而现在的NXE:3400B型EUV光刻机的产能在合作伙伴的工厂中已经实现了125 WPH的产能，NXE:3400C的产能预计再提升24%，这对改善EUV工艺的产能很有帮助。

不过EUV光刻工艺今年正式量产只是一个开始，EUV光刻工艺目前离成熟还早呢，155 WPH的产能可喜可贺，但是现在的沉浸式光刻机的产能可达250 WPH，而且能以250W的光源长时间稳定运行，这些都是EUV光刻机暂时做不到的。

与中芯国际的EUV光刻机不同，长江存储购买的ASML光刻机还是传统的193nm沉浸式光刻机，可生产14-20nm工艺的晶圆。由于闪存跟处理器工艺并不同，所以14-20nm工艺在目前的NAND闪存工艺中依然是很先进的，而且3D闪存更不依赖工艺微缩了，考验的是堆栈层数，几年前三星最早推出的3D NAND闪存还是34nm工艺的，反而是工艺越低，闪存的PE寿命、可靠性更高。

目前运抵武汉的光刻机只是第一步，长江存储未来还会购买更多的光刻机用于NAND闪存。

紫光旗下的长江存储前身是武汉新芯科技，2016年在武汉开工建设国内最大的NAND闪存生产基地，目前建设三期工程，总投资240亿美元，一期工程主要针对NAND闪存，月产能30万片晶圆，二期工程面向DRAM内存，三期工程则是为晶圆代工准备，建成之后总产能可达100万片晶圆/月。

长江存储的主体建筑工程在2017年9月提前竣工，后续开始生产设备安装，今年5月4日首批400万美元的精密仪器进场安装，现在的光刻机安装则是下一步。

国产NAND闪存预计在2018年下半年开始量产，不过长江存储目前研发的闪存才是32层堆栈64Gb核心，相比主流的64层堆栈256Gb-512Gb核心要落后两年以上，此前长江存储已经表态正在研发64层及以上堆栈的3D闪存，整个工程大规模量产要等到2019年初，所以明年真正生产的国产闪存可能会变成64层3D NAND闪存。

在半导体工艺进入10nm节点之后，制造难度越来越大，传统的193nm紫外光刻机也难以为继，EUV极紫外光刻机成为突破制程工艺的关键。如果想了解有关半导体制程工艺的内容，可以参考我们最近推出的超能课堂(135)：纳米制程背后的真真假假。

光刻机曾经也是日本佳能、尼康公司的重要产品，不过现在的高端光刻机已经被ASML垄断，在EUV光刻机上更是独一份。日经新闻亚洲版今天报道称，中芯国际（SMIC）已经向ASML公司订购了一台EUV光刻机，单价1.2亿美元，预计在2019年初交付。

此前英特尔、三星、台积电以及GF都向ASML下了EUV订单，其中台积电订购了大约10台，三星订购了大约6台，英特尔今年会引入3台EUV光刻机，GF也下了订单，不过日经新闻没提到具体数量。

中国公司能买先进的光刻机？很多人听到这个消息可能不太相信，因为网上一直有传闻称中国公司因为瓦森那协定的关系一直被禁止采购先进光刻机。对于这个问题，网上有很多争议也有很多解答了，日经新闻报道的中芯国际采购EUV光刻机其实也不是新闻了。

去年台媒电子时报采访过中ASML中国区总经理金泳璇，后者辟谣称ASML光刻机并没有禁运问题，该公司对所有客户都一视同仁，不存在有钱买不到的问题。他还透露了已经有中国客户洽谈购买EUV光刻机，如果订单确认的话，那么最快在2019年就会有EUV光刻机进入中国晶圆厂，ASML对此表示乐观。

两边对比的话，这家中国公司就是中芯国际，虽然该公司的14nm工艺要到2019年初才能量产，不过国内有需求EUV光刻机的几乎只有他们了，2017年中芯国际表示他们已经在预研7nm工艺了，订购一台EUV光刻机做研究也是很正常的。

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在今年，EUV光刻机的年产量只有12台，几乎每个月只生产出一台，从侧面说明了EUV光刻机的制造难度。EUV光刻机的单价超过了1亿欧元，但售价高昂，但ASML的客户也有8个之多，其中就包括了Intel，三星和TSMC，这些都是半导体领域的巨头，他们甚至还出钱帮助ASML加快研发EUV研发进度。

EUV的商业化之路走的尤为艰辛，多年以来，EUV技术的进展一直很缓慢，光照亮度的提升始终未能达到人们的预期，采用EUV技术的成本也高得吓人。摩尔定律似乎在触碰着半导体工艺的极限，半导体巨头押注的EUV光刻，被视为拯救摩尔定律的转折点。

目前EUV光刻机的订单已经积压到27台，是目前年产量的两倍多，ASML也在采取措施确保提高生产力跟上需求。ASML计划在2018年将光刻机的年产量扩大到24台，而到2019年将达到40台的年产量。值得一提的是，目前ASML公司股票在过去一年内涨了30%，公司估值约为530亿欧元。