早在去年7月，美光就宣布推出业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3E，采用了其1β（1-beta）工艺制造，性能相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。据介绍，美光HBM3E产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。美光称，其HBM3E的功耗比竞争对手SK海力士和三星的同类产品低了30%。

美光还准备了12层垂直堆叠的36GB容量HBM3E，在给定的堆栈高度下，提供的容量增加了50%，随着技术的进步，美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，金属密度增加了五倍，从而降低了热阻抗，加上节能的数据路径设计，因此让能效得以提高。

下个月英伟达的GTC 2024上，美光将会带来36GB容量HBM3E，并分析更多的产品信息。

Crucial Pro系列内存分为DDR4和DDR5产品，均配备了黑色的散热模块，没有RGB灯效，不过前者为绿色PCB，后者为黑色PCB，这与之前基本款的Classic系列是一样的。近期美光更新了Pro系列产品线后，带来了频率更高的DDR5-6000内存，这次提供的是32GB套装（16GB x2），外观上也延续了之前的设计，还分为普遍款和超频款，后者的时序更低，为CL36-38-38-80，运行电压为1.35V。

T705 PCIe 5.0 SSD比起之前的T700系列还要更快一些，搭载了美光自家的232层TLC NAND闪存，最高连续读取和连续写入速度分别达到了14500 MB/s和12700 MB/s，最高4K随机读取/写入分别为1550K IOPS和1800K IOPS，提供了1TB、2TB和4TB容量可选。之前有消息称，新款SSD可能采用了群联电子最新的E26 Max14um主控芯片，这是E26的改进款。

T705 PCIe 5.0 SSD有裸条和带散热器的版本可选，除了传统的黑色款，另外还有限定版白色款。

美光表示，新款Crucial Pro系列DDR5-6000内存将会在2024年2月27日上市，提供终身保修，而T705 PCIe 5.0 SSD则会在2024年3月12日通过指定零售商和全球渠道合作伙伴销售，提供五年保修。

新款LPCAMM2内存模块可以支持的数据传输速率达9,600 MT/s，远高于DDR5 SO-DIMM的6,400 MT/s。尽管LPDDR5X在延迟方面不如DDR5，但可以利用更高的数据传输速率抵消。与焊接式LPDDR5X内存子系统相比，模块化外形不会增加LPDDR5X内存的延迟。

美光表示，将LPDDR5X DRAM集成到LPCAMM2外形中，与SO-DIMM产品相比，功耗降低了61%，PCMark 10基本工作负载（比如网页浏览和视频会议）的性能提高71%，节省了64%的空间。与DDR5同等速度下，LPDDR5X每条64位总线的有效功耗降低了43%-58%，待机功耗降低了80%。与DDR5内存模块一样，LPCAMM2内存模块也带有电源管理IC和电压调节电路，为模块制造商降低产品功耗提供了更多途径。

去年12月，JEDEC宣布，Dell的CAMM正式成为了JEDEC标准规范，被命名为“CAMM2”，未来将取代SO-DIMM内存模块。CAMM2有两种设计，除了常规的DDR5，还能用于LPDDR5(X)。其实三星在去年9月，就推出了基于LPDDR设计的LPCAMM内存模块，不过当时JEDEC尚未确立最终的规范标准。

美光预计2024财年第二财季的营收在53亿美元左右，上下浮动2亿美元，高于49.9亿美元的市场预期，每股摊薄亏损为0.45美元，上下浮动0.07美元，低于0.76美元的市场预期。美光认为，目前已度过了最低迷的时期，人工智能（AI）的蓬勃发展也带动了数据中心对存储芯片的需求，很快会重新盈利。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，强大的执行力和定价能力推动了2024财年第一财季的财务业绩，最终超出了预期，预计业务在2024年会得到改善，针对人工智能应用推出的高带宽内存产品展示了美光的技术实力，目前已做好充分准备，抓住人工智能各终端市场带来的巨大机遇。

美光希望未来几年继续在HBM和GDDR类内存上努力，此前已推出业界首款带宽超过1.2 TB/s、引脚速度超过9.2 GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，对应的应该就是路线图上显示的HBM3E。美光该款HBM3E将于2024年初到来，预计会在英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB HBM3E芯片，将会在2025年推出。

更大变化的将是HBM4，计划在2026年发布，内存堆栈将采用2048位接口，带宽超过1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之间，推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的产品。到了2028年还会有HBM4E，频率将进一步提升，容量将增加至48GB到64GB，带宽增加至2 TB/s以上。

下一个GDDR版本，也就是GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。预计到2026年末，单个芯片的容量会超过24Gb，速率也会提升至36 Gbps。

美光预计在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率为8800 MT/s，然后在2026年或2027年提供容量超过256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率会攀升至12800 MT/s。同时美光准备推出支持CXL 2.0的内存模块，容量在128GB至256GB，带宽将达到36 GB/s，接下来还有支持CXL 3.x的内存模块，容量超过256GB，带宽超过72 GB/s。

对于低功耗应用，业界将继续使用LPDDR内存。美光速率为8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X将继续使用一段时间，然后从2025年开始提供基于LPDDR设计的LPCAMM2内存，速率为8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬还会有速率为9600 MT/s、容量超过192GB的产品。

美光公司副总裁兼移动事业部总经理Mark Montierth表示：“通过为旗舰智能手机提供强大的大型语言模型，生成式人工智能将为智能手机用户带来前所未有的生产力、易用性和个性化。经过优化后，搭载第三代骁龙8移动平台的智能手机可以在本地运行强大的生成式人工智能模型，从而解锁新一代基于人工智能的应用和功能。 启用设备上的人工智能还能提高网络效率，降低能耗要求，减少成本更高的云端解决方案的开销。”

美光是在去年末推出了1β工艺节点，让LPDDR5X提供了业界最先进的节能功能，比如增强的动态电压等技术，可提供近30%的能效改进，并灵活地提供工作负载定制的功率和性能。美光称，这些节能措施对于能源密集型、人工智能驱动的应用尤其重要，使用户能够在延长电池寿命的同时获得生成式人工智能的好处。

7500系列SSD和7450系列SSD采用了相同的主控解决方案和平台，不过带有新的固件，并改用了232层3D TLC NAND闪存芯片，具有低于1ms的服务质量（QoS）延迟，延迟时间也会更低，同时顺序和随机读写性能更高。其最大顺序读取速度可达7000 MB/s，顺序写入速度可达5900 MB/s，最大随机读取为1100K IOPS、最大随机写入为410K IOPS，表现略高于7450系列SSD。

美光的232层3D TLC NAND闪存芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，新技术可以大大减小NAND闪存的芯片尺寸，有助于降低成本。其引入了业界最快的I/O速度，达到了2.4 GB/s，比176层的NAND闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。同时还是全球首款量产的六平面TLC NAND闪存，不但比其他同类TLC NAND闪存有着更多的平面，而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合，使其能够提供一流的数据传输速度。

7500系列属于U.3/U.2 SSD，15mm厚度的规格，这是最近服务器存储设备流行的尺寸，提供的容量大小从800GB至15.36TB，写入寿命为3 DWPD。此外，7500系列SSD符合TCG Opan 2.01规范，得到了SPDM 1.2认证，采用了基于AES-256的硬件数据加密。

此前美光投资了10亿美元，未来几年内将继续增加10亿美元的投资，包括建设和全面装备这个新工厂，将工厂面积增加到150万平方英尺。扩建后，美光可以提高产能，并进一步加强其组装和测试能力，使其能够提供领先的NAND、PCDRAM和SSD模块，以满足对人工智能、自动驾驶或电动汽车等变革技术不断增长的需求。

美光表示一直关注可持续性，新设施的设计符合能源与环境设计领导力评级系统（LEED），这是世界上使用最广泛的绿色建筑认证。与美国供暖与空调工程师协会（ASHAE）的标准相比，这种具有环保意识的方法使得美光新工厂的能耗降低了25%以上，为环保半导体制造树立了一个高标准。

马来西亚的工程是美光全球网络中第一个100%使用可再生电力的工厂，运营方面也将支持美光的可持续发展目标，即到2050年实现净零排放，到2030年实现危险废物零填埋。

美光是在去年末推出了1β工艺节点，无论性能、位密度还是电源效率上都有显著的收益，而且还能降低DRAM成本，将带来广泛的市场优势。基于1β工艺节点打造的DDR5内存覆盖了4800MT/s至7200MT/s的范围，允许将计算能力推向更高的性能水平，支持跨数据中心和客户端平台的人工智能（AI）训练和推理、生成式人工智能、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。

美光核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway表示，采用1β工艺节点的DDR5内存进入大批量生产及应用是行业内的一个重要里程碑，与生态系统合作伙伴及客户合作将推动高性能内存更快地被采用。美光将会有多款产品采用1β工艺节点，除了DDR5外，还包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。

美光计划继续投资数十亿美元，将晶圆厂转变为技术领先、高度自动化、可持续发展、以及人工智能驱动的设施，其中包括对日本广岛工厂的投资。据了解，这间工厂将采用1β工艺节点批量生产DRAM。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，人工智能（AI）业务将带来数以亿计美元的收入，希望这股热潮能带美光走出财务困境。同时美光一直与英伟达紧密合作，预计HBM3 Gen2将会在2024年英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。

据美光的介绍，HBM3 Gen2产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能（AI）数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解决方案的基础是其1β（1-beta）工艺，在行业标准封装尺寸内将24GB DRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。

此外，美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB DRAM芯片，与现有的竞争解决方案相比，在给定的堆栈高度下，美光提供的容量增加了50%。

美光同时还公布了2023财年的财报，显示营收为155.4亿美元，相比于上个财年的307.6亿美元大幅度下降，减少了49%；DRAM产品的营收减少了51%，跌至110亿美元，占美光总收入的71%；NAND闪存产品的营收减少了46%，跌至42亿美元，占美光总收入的27%；净亏损约为58.3亿美元，上一财年净利润为86.9亿美元；每股摊薄亏损为5.34美元；上一财年每股摊薄收益为7.75美元。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，库存负担已大幅减轻，除了数据中心制造商外，目前其客户的订购量已反映了消费端的需求，在部分细分领域，个别厂商正在增加每种产品的订单量和库存量。预计PC和智能手机明年都将恢复增长，不过增幅只是在个位数的中低水平，存储芯片市场在2024年将迎来复苏。

与一般的Classic系列不同的是，Pro系列内存支持官方超频技术，DDR4产品支持Intel XMP 2.0，DDR5产品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，为用户带来更强的性能。虽然美光在Pro系列内存上更多地遵循JEDEC规范，而且看起来更倾向于专业类型产品，不过设计上也针对游戏玩家。

这次Crucial Pro DDR5-6000 48GB（24GB x2）套装的时序CL为48-48-48，运行电压仅为1.1V，相比于许多同频率的产品的1.35V电压更低一些，这意味着可能会有更高的超频潜力。

资金当然是来自《美国芯片法案》的520亿美元预算，这意味着美光和英特尔一样，希望能说服政府，获得比竞争对手更多的资金份额。此前英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）就表示，英特尔的重要研发工作都在美国本土完成，而且在此处拥有规模庞大的自有工厂，应该拿到更多补贴才对。

英特尔和美光的做法也引来了争议，有人认为《美国芯片法案》的资金主要来自于纳税人，在半导体市场疲软的趋势下，这些半导体企业以包括扩大产能等各种理由申请大量补助资金，其实是让别人掏腰包去填补其自身的业绩亏损。

2021年10月，美光宣布在未来十年内，计划在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发，包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光认为，内存和存储芯片在全球半导体行业中所占的比重正不断增长，目前约占半导体市场的30%份额。

CZ120内存扩展模块提供了高达36GB/s的带宽，相比于一般相同容量的DDR5-4800 RDIMM（带宽为38.4GB/s）只是稍慢一些。目前AMD第四代EPYC服务器处理器（代号Genoa）支持12通道DDR5-4800内存子系统，提供高达460.8GB/s的带宽，而英特尔第四代Xeon服务器处理器（代号Sapphire Rapids）支持8通道DDR5-4800内存子系统，提供高达307.2GB/s的带宽。一般情况下，这些处理器都具有足够的带宽，但某些工作负载需要更大容量的内存和更高的带宽，比如数据库软件，这时候CZ120内存扩展模块就能发挥作用了。

据美光的介绍，如果在一台配备12条64GB DDR5内存的系统上增加四个256GB的CZ120内存扩展模块，可以使服务器处理器的内存读写带宽提高24%，而且多出的内存容量可以让其每天多处理96%的数据库查询。

美光表示，一直使用英特尔和AMD的平台开发和测试CZ120内存扩展模块，希望通过其产品创新与CXL生态系统的合作，让新标准更快地被接受，以满足数据中心及其内存密集型工作负载不断增长的需求。美光暂时还没有透露CZ120内存扩展模块的具体定价，以及出货计划，估计要等各方完成验证和认证工作后才能进行，应该要等到2024年。