内存、闪存的缺货、涨价我们之前也报道过多次，主要原因是今年的（安卓）智能手机普遍上了4GB以及6GB内存，闪存容量也翻倍，iPhone 7直接提供32GB、128GB及256GB容量，国内的华为、OPPO、Vivo出货量也大幅增长，催生了更多订单，以致于NAND闪存从上半年的过剩变成了严重不足，越是这样的情况下，厂商越加价抢单，导致市场供应紧缺。

除了智能产品之外，SSD市场对NAND闪存的需求也在高涨，笔记本的SSD适配率不断提升，今年预计会突破30%而达到33%的适配率，大约1/3的笔记本都会上SSD硬盘而非HDD硬盘。此外企业级、云服务市场对SSD需求也是居高不下。

面对NAND产品涨价、缺货，首先遭殃的就是议价能力不足的小公司，但这一波缺货影响的可不只是小公司了，HP这样的大客户也遭遇了NAND缺货危机，该公司发言人表示部分SSD产品已经供应短缺，他们警告说这次的缺货可能持续到2017年Q1季度甚至更长。

思科公司也因为NAND缺货延长了SSD交付日期，不过该公司发言人否认了思科服务器因SSD短缺导致的缺货问题。

至于戴尔公司，发言人表示他们作为全球最大的NAND闪存买家之一，现在的情况还好。

这次的NAND危机何时能缓解？大概要等到主流的闪存厂商大量供应3D NAND闪存之后了，三星作为NAND市场的老大已经量产3D NAND闪存两年了，但东芝、SK Hynix、Intel、美光的3D NAND闪存今年才正式露面，大规模量产要等到明年。

eMMC 5.1闪存虽然不是什么新玩意了，速度也比不上UFS，但是大量中低端手机还在用eMMC闪存，其实手机厂商不太乐意公布出来而已。东芝的eMMC 5.1闪存也是15nm工艺，不过官方没确认是MLC还是TLC的，估计后者的可能性更大，毕竟成本更低。

东芝eMMC 5.1闪存容量32-128GB，连续读取速度320MB/s，连续写入速度140MB/s，分别比前代产品提升2%（东芝也真诚实）、20%，不过随机性能提升较大，读取、写入分别提升100%、140%。

UFS闪存上三星比其他公司抢先，不过其他厂商现在也追赶上来了，东芝推出的新品直接基于最新的UFS 2.1规范，使用了15nm MLC闪存，容量也是32GB到128GB，不过性能就更强大了，连续读取速度850MB/s，连续写入180MB/s，比前代提升40%、16%，随机读取、写入更是提升120%、80%。

值得一提的是，东芝这两款新品不仅使用自家的闪存，主控也是自己开发的，而且东芝还在自己开发自己的M-PHY 3.0物理层及UniPro 1.6，看来目标是争取掌握所有核心科技啊！

话说回来，安卓阵营的厂商地位还是不如苹果，iPhone 256GB版使用的是东芝48层堆栈的3D NAND闪存，东芝现在对外提供的容量最多128GB，也没用3D NAND技术。

今年的智能手机没啥别的特点，不论安卓还是苹果，大家都憋足了劲堆配置，苹果今年在硬件配置上迈了一大步，除了性能逆天的四核A10处理器之外，内存容量最高也提升到3GB了，闪存容量更是大方，32GB刚脱贫，128GB才是温饱，256GB版才是小康，被微信容量占用搞怕的壕玩家直接入手256GB版吧。

安卓阵营的厂商也不甘示弱，虽然部分入门机型还在用16GB存储，不过主流点的机型都上64GB容量了，128GB版也不少见，虽然比起苹果256GB容量来说不够壕，但别忘了安卓手机销量远超iPhone，总量加起来依然不可小觑。

光是智能手机，闪存供应就快跟不上了。集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发表报告称Q3季度闪存市场供应已经吃紧了，但是Q4季度的情况也不会有好转，反而可能更加紧张，主要是智能手机及SSD市场需求还是很高，因此闪存及闪存卡涨价的情况一直会持续到今年底。

前面也说了，iPhone 7手机存储容量飙升是导致缺货、涨价的一个因素，而华为、OPPO、Vivo等中国智能厂商今年中高端手机销量很猛，他们也增加了额外的闪存订单，大容量eMMC、eMCP闪存需求依然很高。

除了手机市场，SSD市场的需求也在增加。大型PC公司开始在笔记本电脑中越来越多地使用SSD取代HDD硬盘，DRAMeXchange预计今年下半年的笔记本电脑SSD适配率将首次突破30%，达到33%的高水平。

尽管NAND厂商加足马力推动3D NAND闪存生产，不过3D闪存在良率及产品效率上依然面临挑战。此外，厂商产能转向3D闪存也影响了他们的2D平面闪存生产。

在未来的Q4季度，eMMC、eMCP封装的闪存产品大部分还是基于2D闪存的，而智能手机对闪存产品的需求还会继续扩大，闪存涨价可能会比Q3季度更凶。

目前NAND闪存正在从2D NAND向3D NAND闪存发展，NAND市场还在不断向前发展，中国是全球最重要的半导体芯片市场之一，NAND闪存市场也在井喷。根据TrendForce旗下的DRAMeXchange研究报告，中国消耗的NAND越来越多，2017年将占到全球份额的30%，而到了2020年将达到40%，发展潜力巨大。

中国庞大的市场也吸引了NAND公司的注意，三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产，主要产品就是3D NAND闪存，Intel也把大连的封测工厂改造成NAND工厂，预计今年底开始小量生产，主力产品很有可能就是3D XPoint闪存。

NAND闪存也是中国发展半导体市场的关键，国家大基金选择就选择了NAND作为突破口，目前在建的项目主要有武汉新芯科技主导的国家级存储芯片基地，耗资超过240亿美元，一期工厂主要生产NAND闪存，预计2018年正式投产3D NAND闪存。

除了武汉之外，深圳、福建厦门、泉州以及合肥等地也在积极拓展存储芯片产业，地方政府的投资也是大手笔。

在NAND闪存之外，国内的厂商也积极进军主控市场。目前SSD主控市场主要是美系Marvel、SandForce及台系SMI慧荣、JMicron等公司的天下，但也开始出现中国公司的身影，此前Marvell就跟深圳的江波龙公司达成了合作协议，其他如澜起微电子、中勍科技、国科微电子等公司也宣布了类似的计划或者产品，只不过目前还没有成气候，在消费级市场上几乎没存在感。

第四代V-NAND：堆栈层数64层

先说三星新一代V-NAND，三星是最早量产3D NAND闪存的公司，此前三星已经发展了三代V-NAND，堆栈层数分别是24、32及48层，64层堆栈是下一个目标，之前东芝、西数已经宣布了64层堆栈的BiCS 3D闪存，抢了三星的风头，不过在FMS会议上三星也正式宣布今年底推出第四代V-NAND闪存，也是64层堆栈。

根据三星所说，第四代V-NAND闪存为TLC类型，64层堆栈，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。

按照计划，今年Q4季度64层V-NAND闪存开始上市，三星自家全新的Z系列SSD就会使用这种闪存。

SSD容量继续提升：32TB 2.5寸硬盘驾到

三星此前已经出货了容量最大的15TB硬盘PM1633A，希捷在FMS会议上展示了60TB的SSD，不过这个还是概念产品，还是3.5寸规格的，真正的容量突破还得看三星——其SAS产品线开始引入核心容量512Gb的第四代V-NAND闪存，可以轻松堆叠出容量1TB到32TB的企业级硬盘，其中32TB的容量再次把SSD容量推向另一个巅峰，三星表示32TB硬盘将普通HDD硬盘的容量减少了40倍。

32TB SAS硬盘预计在2017年问世，三星的目标是2020年推出100TB的硬盘。

BGA封装也有春天：1TB容量来了

除了2.5寸规格，三星在超小型SSD上也有大动作——单BGA封装的SSD容量也有望达到1TB，而且性能也非常强大，读取速度1500MB/s，写入速度900MB/s，体积则比前代减少了50%，重量不到1克。

1TB BGA封装的硬盘预计明年问世，而且会使用三星研发的FO-PLP（Fan-out Panel Level Packaging）扇出型封装。

全新Z系列SSD：性能突破NAND极限

最后三星还宣布了全新的Z系列SSD，号称性能超越了现有NAND闪存极限，不过三星没有给出具体指标，只说其性能比PM963更强，延迟低了4倍，读取速度是后者的1.6倍——PM963硬盘的连续读取速度是1600MB/s，算起来Z系列的连续读取速度可达2.5GB/s。

三星的Z系列SSD也会使用第四代V-NAND闪存，预计明年上市。

美光宣称这种3D NAND闪存采用了最新的UFS 2.1传输标准，读写速度可以达到1.5GB/s、500MB/s，相比UFS 2.0标准效能提高2倍。单芯片容量为32GB，封装面积仅有60.217平方毫米，对比以往相同容量的闪存面积减少30%。采用了MCP多晶片封装技术，支持LPDDR4X。

现在的4k视频、VR、大型3D游戏都需要超高的存储容量，16GB的存储空间根本无法满足使用需求，也因此传闻iPhone7将会取消16GB而增加256GB版本。对于这种内部空间寸土寸金的手机来说，小面积的闪存芯片可以让出更多空间集成其他功能芯片或增加电池容量和存储容量，也可以令手机设计更加轻薄。

在日前的FMS国际闪存会议上，Facebook分享了他们对数据存储的一些观点，上图中列举了四种不同类型的存储方式，包括NVM非易失性存储器、AVA（四快M2.22110组成）、Lightning及WORM，最后的这个WORM代表Write Once Read Many（写入一次、读取多次），也就是说这种存储设备对写入寿命要求不高，读取应用比较多。

根据Pcper网站所说，这个WORM存储使用的就是QLC闪存，我们知道TLC闪存指的是每个Cell单元存储3位数据，有8个电位变化，那么QLC就是每单元存储4位数据，有16个电位变化，一方面这意味着QLC闪存的容量更大，但也意味着QLC闪存的电压控制更难，写入速度更低，可靠性要求更高。

WORM存储的容量可达100TB，差不多是目前TLC闪存硬盘最高容量的10倍，但它的写入次数也降低到了150次左右，也相当于目前TLC闪存的1/10。

此外，Facebook现场还分享了Intel Optance硬盘的性能，该硬盘基于Intel、美光的3D XPoint闪存，在RocksDB性能测试中，相比目前的P3600硬盘，其性能是后者的3倍多，延迟则只有1/10，性能非常强大。

美光今天宣布了截至6月2日的2016财年Q3季度财报，当季营收28.98亿美元，同比下滑了25%，低于分析师预期的29.6亿美元。

当季毛利只有4、98亿美元，但刨去3.82亿美元的研发费用、1.48亿美元的销售及其他费用之后，美光当季运营亏损2700万，净亏损2.15亿美元，摊薄每股亏损0.21美元，而上季度净亏损9700万美元，摊薄每股亏损0.09美元。

美光CEO表示他们依然面临市场考验，不过美光已经开始行动了，这次财报之后宣布裁员2400人，约占美光总员工数3.2万人的7.5%，虽然裁员会给美光带来7000万美元的费用，但预计裁员之后每季度为美光节约8000万美元成本，整个2017财年将节约3亿美元。

导致美光连续亏损的原因主要是DRAM、NAND价格不断下滑，不过说到根本原因还是美光自己的问题，20nm及更先进的1X nm内存芯片落后于三星，TLC闪存、3D NAND闪存上也同样是落后其他公司。

全球DRAM市场目前只剩下三星、SK Hynix及美光三大玩家，其中三星不论产能还是技术都是领先的，3月份率先量产了18nm工艺的内存，不过DRAM内存市场拼的不光是产能、工艺，现在最大的问题是市场需求下降，DRAM内存价格一路走低，三星、SK Hynix及美光都因此受拖累，DRAM业务营收及利润多有下滑，此前美光的财报可见一斑。

在此之前一直有DRAM厂商削减DRAM内存投资的传闻，日前三星在美国、韩国举行了投资者会议，官方首次确认减少DRAM投资，转而增加NAND领域投资。韩国媒体报道称三星NAND部门去年的利润率为17%，今年将增加到25%。

三星在NAND闪存市场份额上也是全球第一，达到了31.6%，东芝次之，份额为18.3%，闪迪有17.6%，之后分别是美光的13.4%、SK Hynix的10.7%、Intel公司的7.5%及力晶公司的0.2%。

除了份额之外，三星在NAND领域中技术也是最先进的，TLC闪存及3D NAND闪存都是提早友商两三年量产，该公司在中国西安投资70亿美元的晶圆厂已经量产第三代V-NAND闪存，堆栈层数为48层，可以大幅提高NAND容量、降低成本。

对了，前几天西安变电站火灾事故导致部分工厂受损，三星NAND工厂产能也因此受影响，虽然官方表示产能影响不过1%左右，不会给NAND供应带来麻烦。但在火灾之后，市场上有些厂商真的借机涨价了，NAND出货价上涨了几美元，只不过这次涨价能否持续下去还是个未知数，毕竟厂商涨价并不代表市场就一定接受涨价。

2013年三星宣布在中国西安市投资70亿美元新建晶圆厂，主要生产的就是3D NAND，去年9月份的三星SSD全球峰会上三星表示经过两年的建设，西安的NAND工厂已经开始规模量产V-NAND闪存了，分析指该厂生产的NAND主要是第三代V-NAND闪存，48层堆栈，将是三星在韩国本土之外最重要的NAND基地，月产能高达10万片晶圆。

这次西安变电站事故就影响了三星NAND工厂，三星晶圆厂出现了电源闪断，机器大面积宕机，损失还在统计中。此外，西安市其他工厂如美光、立成也出现了电源闪断，部分设备受损。（晶圆厂是不能断电的，设备重新运行没这么容易）

问题是这个影响会有多大，目前消息看起来还好，三星表示受损的产能约为1-2%，属于可控范围，未来对供货不会有任何影响。

不过小编周末看到这个新闻的时候也发现有些媒体、股市分析师闻风而动了，三星所受影响不大，但难保有些人会借机炒作。

晶圆厂受起火（或者其他意外原因）导致产能受损进而影响市场价格的前车之鉴就是2013年SK Hynix无锡工厂着火，那次火灾影响很大，而无锡工厂的DRAM产能占到全球的13%，以致于内存价格在此之后不断上涨，过了一年多才恢复正常。

与同胞公司三星还能靠智能手机、SoC处理器弥补内存、闪存芯片业务不同，SK Hynix的营收几乎全部来自内存及闪存芯片，而后两者的价格近来一直在下跌，SK Hynix公司在技术水平、产能上又落后于三星，以致于今年Q1季度营收3.66万亿韩元（人民币209亿元），环比下滑了17%，同比下滑了24%。

该公司Q1季度毛利率从去年同期的33%下降到了15%，运营利润只有0.562万亿韩元，净利润是0.448万亿韩元（人民币25.5亿元），环比下降了49%，同比则是暴跌了65%，只有去年同期的1/3左右。

与上一季度相比，SK Hynix公司的DRAM芯片出货量、平均价格分别下降了3%、14%，主要原因是PC、服务器以及移动内存市场需求不振。闪存方面，出货量及平均售价也分别下降了11%、12%，原因是移动设备需求不足。

目前SK Hynix正在增加2Z nm（21nm）工艺的移动DRAM生产，并开发1Z nm DRAM芯片。闪存方面，SK Hynix公司正在向1Y nm工艺平面NAND闪存升级，并加速扩大3D NAND闪存生产，该公司预计今年下半年量产48层堆栈的3D NAND闪存。

业绩如此不景气，SK Hynix公司减少投资也成了必然之事，公司总裁Kim Joon-ho向投资者表示今年的资本投资会减少，公司将会集中精力在提升技术水平而非扩大市场份额上。

根据SK Hynix公司报告，他们向中国无锡、韩国清川及仁川市的工厂投资了6.6万亿韩元（人民币约376亿）。

虽然很多人听到TLC闪存的名头就发怵，认为TLC闪存先天性存在性能低、可靠性差的问题，特性是P/E可擦写次数普遍在1000次以内，远不如1万多次的SLC及3000-5000次的MLC闪存。但是话说回来，TLC闪存对厂商来说是个极大的诱惑，同样的情况下TLC闪存容量更大，成本更低，这两点在目前SSD不断降价的今天意义重大，厂商是欲罢不能。

上周末Intel也正式发布了540s系列硬盘，使用的也是TLC闪存，而是SK Hynix的16nm TLC闪存。在此之前，三星、美光、东芝、闪迪、浦科特、创见、金泰克等厂商都已经推出了TLC闪存的消费级SSD了。

别说SSD了，TLC闪存的优势导致手机厂商也在旗下产品大面积使用TLC闪存了，iPhone SE手机的64GB版只要4088元，已经被爆出使用的是TLC闪存了。

TLC闪存受宠的日子还会继续下去，全球主要的存储厂商今年继续看好SSD，虽然SSD不断降价，但正是因为降价才让SSD得以普及，SSD与HDD硬盘在价格上的差距也在不断拉近，取代HDD硬盘已经不是空话了，这一切还得更依赖成本低、容量大的TLC闪存。

不过现在的问题是TLC闪存因为太过受宠已经出现了缺货的迹象，甚至传闻称有厂商准备提价。这则消息还没有得到渠道确认，不排除是厂商的竞争策略，毕竟在面前的市场环境下，SSD涨价是逆历史潮流而动，厂商要想凭涨价赚点外快可不容易。