集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了有关NAND闪存市场下半年趋势的报告，认为Q3季度虽然是传统旺季，但是NAND闪存价格下半年依然会疲软，主要原因有下面这几点：

·智能手机硬件规格差异不大，消费者换机动力不足，2018年智能手机市场的出货量相比2017年预计会持平，难有大幅增长。

·笔记本市场上，上半年厂商积极备货、出货，使得市场基数已经增高，下半年旺季效应并不明显。

·服务器市场需求虽然稳定增长，但因为该市场的产品毛利高，吸引了大量厂商进军服务器市场，导致企业级SSD硬盘供应大增。

·3D NAND闪存产能持续增加，64层及72层堆栈的3D NAND闪存良率不断改善，厂商也加大了NAND闪存投资，产能持续增长。

总的来说，NAND闪存市场降价的一个重要原因就是需求增长不大，但是产能大幅提升，导致供过于求，NAND合约价一直在降，下半年也会如此，DRAMeXchange预计Q3、Q4两个季度中NAND架构都会再降10%。

不过降价也不是单纯的坏事，反而可以提升终端产品的平均容量。由于NAND价格降低，智能手机的闪存容量越来越大，旗舰级手机的容量在往256GB/512GB提升，中端机也从32/64GB向64/128GB转变。

笔记本上也是如此，今年笔记本电脑的SSD适配率将超过50%，也就是一半的笔记本都会配备SSD硬盘，而且主流容量提升到了256GB，未来2-3内有望提升到512GB。

在服务器SSD硬盘上，厂商也开始量产3D QLC闪存了，此前美光宣布的首款QLC闪存硬盘容量就达到了7.6TB，英特尔、西数、东芝以及三星的QLC闪存硬盘容量也会越来越大。

按照DRAMeXchange预测，不仅是2018全年NAND价格走低，2019年上半年NAND价格还会继续下降，原因还是很简单——智能手机、笔记本、平板电脑等市场需求依然不会有什么起色，而几大供应商的64层/72层闪存产能还在增长，很快还会升级到96层堆栈NAND闪存，供应还会继续增加。

希捷CEO Dave Mosley在财报电话会议中回答了分析师的提问，在闪存业务方面，他提到希捷为东芝闪存业务收购案出资13亿美元——去年东芝宣布与贝恩资本为首财团达成了收购协议，交易价值180亿美元（2万亿日元）。在这个收购案中，除了贝恩资本之外，还有SK Hynix、苹果、戴尔、金士顿等公司，他们也出资参与了收购，SK Hynix出资达到了3950亿日元（36亿美元），最多可获得15%的东芝股权。

希捷公司这次提到他们出资额为13亿美元，这笔钱一方面可以算作希捷的对外投资，每年回报率5%左右，另一方面希捷也藉此跟东芝签订了NAND供应协议，获得了稳定的NAND芯片供应，保障了SSD业务的运行，而更早之前希捷还收购了SandForce的SSD主控业务。

不过现在来看，SSD硬盘在希捷业务中的比例依然不高，Q4财季28.35亿美元的营收中，非HDD业务营收只有1.83亿美元，希捷预计未来几年会保持增长。

在SSD市场上，希捷的重点也是高价值的企业级市场，消费级SSD市场上希捷虽然不会放弃，不过从这两年的表现来看希捷在消费级SSD市场上好似蜻蜓点水，零零散散推过几款中规中矩的SSD硬盘，性能不突出，价格也没什么优势，所以很多人并不了解希捷的SSD硬盘，更别说热衷了。

由于西数已经收购了Sandisk闪迪公司，所以他们的业务中不再以HDD硬盘为绝对主力，Q4季度中营收51.17亿美元，相比去年同期的548.4亿美元增长5.7%。运营利润8.43亿美元，净利润7.56亿美元，而去年同期运营利润、净利润分别是6.52亿美元、2.8亿美元，分别上涨了29%、170%。

全年来看，西数公司营收206亿美元，运营利润36亿美元，净利润6.75亿美元，而2017财年营收191亿美元，运营利润20亿美元，净利润3.97亿美元，不过以非GAAP规则来看，西数公司运营利润54亿美元，净利润45亿美元，而2017年非GAAP规则下运营利润39亿美元，净利润27亿美元，说明这一年来西数公司的业务还是很正常的。

具体到产品线上，HDD硬盘Q4季度出货量3900万部，相比去年同期的3930万部下滑了30万部，其中企业级、自有品牌的销量在增长，但笔记本、桌面及消费电子市场的出货量在下滑。另外，虽然销量在持续下滑，不过HDD硬盘均价一直在上涨，去年同期是63美元，Q4财季涨到了70美元。

HDD市场的情况已经不是西数努力就可以挽回的了，前不久西数才宣布关闭马来西亚的HDD硬盘厂，同时加强马来西亚的SSD硬盘工厂投资。

另外，HDD产品技术上也没什么新东西了，出货的最大容量依然是14TB充氦硬盘，好消息是充氦硬盘发布以来总出货量超过3000万个了。在下一代的MAMR微波辅助记录机械硬盘上，西数公司预计今年下半年出样，2019年正式量产。

NAND闪存及SSD硬盘方面，西数今年已经大规模量产了64层3D NAND闪存，前不久还宣布了96层堆栈的QLC闪存，财报发布前夕还推出了15.36TB容量的Ultrastar DC SS530 SAS硬盘，这个系列本来是HGST品牌推的，不过现在都打上了WDC西数的logo了。

根据长江存储发布的公告，他们研发的Xtacking结构3D NAND闪存，将具有前所未有的I/O速度，从而能够将UFS、SSD硬盘及企业级SSD等产品的性能提升到前所未有的程度。

除了高速度，Xtacking堆栈还实现了NAND与外围电路的并行处理，这种闪存开发和制造工艺的模块化将缩短新一代3D NAND闪存的上市时间，并为NAND闪存产品定制化提供了可能。

目前Xstacking闪存的具体信息还没有公布，一切还要等杨士宁在8月7日的FMS会议上发表主题演讲才能确定。

不过长江存储所说的I/O接口是指NAND闪存的接口，目前NAND闪存使用的主流接口有Toggle、ONFi，最新的Toggle 3.0接口速度可达800 MT/s，ONFi 4.0也能达到800MT/s，不过这两个接口标准在三星、美光、英特尔的3D NAND闪存上已经少有提及。

长江存储所说的Xtacking能达到DDR4内存的速度指的就是I/O接口，不过DDR4公认的初始频率就有2133MT/s，这个速度确实比ONFi、Toggle接口快得多，只不过现在这些都还是猜测，具体还要等长江存储公开。

Xtacking闪存应该是长江存储预研的新技术，目前还在申请专利，对新入NAND市场的公司来说积累技术是个艰苦但又不得不做的阶段，而长江存储目前及未来量产的3D NAND闪存似乎并没有这么先进，此前公开展示的还是32层堆栈的64Gb核心闪存，之前接到过1万片晶圆的NAND订单，但主要是用来制造8GB存储卡的，并不高端。

不过也有消息称2019年长江存储真正量产的时候，生产的3D NAND闪存将是64层堆栈的，这样一来技术水平跟三星、美光、东芝等公司将缩短到2-3年时间。

本周一的时候SK Hynix股价还大幅跳水7%，因为市场预期DRAM涨价到头了，随后SK Hynix股价回涨了，今天发布的财报发布之后股价涨了2%，因为SK Hynix又一次交出了史上最好的财报。今年Q2季度中，SK Hynix公司营收10.371万亿韩元（约合625亿人民币），同比大涨55%，环比增长了19%。毛利润6.608万亿韩元，同比大涨72%，环比增长24%。

运营利润为5.574万亿韩元，净利润达到了4.329万亿韩元，同比大涨了75%，环比也大涨39%。

从SK Hynix的财报来看，他们的毛利率为64%，运营利润率为54%，净利润达到了42%，这样的赚钱能力也只有三星半导体可比了。

根据SK Hynix的资料，今年Q2季度中NAND闪存平均价格跌了9%，不过位元出货量增长了19%，主要是中国智能手机行业闪存需求及SSD硬盘市场需求增加所致。

内存方面，所有产品均价增长了4%，位元出货量增长了16%，主要动力来自PC内存及服务器内存。

SK Hynix依然在扩大内存产能，预计今年9月底位于韩国清州市的无尘室扩建工作完成，明年初提供产能输出，而位于中国无锡市的无尘室扩建工作今年底完成，此外SK Hynix还在无锡市投资86亿美元建设二期工程，前不久发生火灾的就是二期厂房，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。

这几天韩国SK Hynix公司、三星公司的股价大跌，其中SK Hynix公司股价周一暴跌7%，主要原因是就市场看衰NAND闪存走势，认为价格还会继续下降，这将影响相关公司的营收及盈利。路透社今天刊发了文章介绍目前NAND及DRAM市场的情况及变化。

首先来看NAND市场的，随着业界从2D NAND闪存转向3D NAND闪存，由于生产成本更低，所以今年的产能增长超过了需求增长，迫使中小企业开始积极降价以维护市场份额。

与2017年时的高峰价格相比，NAND闪存价格已经跌去一半，并且还会进一步下滑，这导致了SK Hynix等公司周一股价大跌7%。

市场研究公司DRAMeXchange的主管艾伦·陈（Alan Chen）表示，“厂商的利润率正在恶化，主要原因是平均销售价格下降的速度远远快于成本降低的速度。”

根据他的预测，今年剩下的时间里NAND价格还会进一步下降。

野村证券预测今年的闪存芯片供应将增长40%到50%，但全球智能手机销售放缓，这将导致NAND价格下降20%。

在内存方面，由于服务器、游戏PC及加密货币等市场影响，内存价格今年上涨了20%。但是三星等公司遭到了中国反垄断机构的调查以及中国正在努力建设本土内存生产以减少对外国供应商的依赖，这让内存市场失去了涨价的动力。

据分析师称，北京方面已经把半导体行业作为“中国制造2025战略”中的重点，有长江存储、合肥长鑫及福建晋华三家公司正在准备大规模生产存储芯片。

HI Investment＆Securities的分析师Song Myung-sup表示“2019年上半年中国企业的生产规模都会很小，但是随着他们的良率变好，产量将会增加，这将影响明年下半年的半导体市场。”

Gartner首席分析师安德鲁•诺伍德（Andrew Norwood）认为中国进入内存市场可能是三星积极扩张产能的原因之一。他预测2020年和2021年将出现“（海外厂商）收入显著减少”的情况。

不过其他分析师也有表示乐观的，法国巴黎银行分析师Peter Yu表示利润增长的动力可能会消失，但他们认为2019年可以维持900亿美元的运营利润水平，并不会严重崩溃。

“丰厚而且稳定的利润是内存行业的新标准。”

三星公司预计截至6月底的季度中他们在芯片销售中将实现12.5万亿韩元（约合110亿美元）的利润，同比增长50%，SK Hynix公司也报告他们的利润将增长74%，达到5.4万亿韩元。

SK Hynix将在本月26日发布财报，三星财报发布日为7月31日，东芝公司8月8日发布财报。

东芝是NAND闪存的发明人，还是最早开发3D NAND闪存的，同时也是闪存芯片公司中第一个讨论QLC闪存的，这点倒是不假，首次公开研发QLC闪存的厂商就是东芝，三星作为全球最大的NAND厂商在TLC闪存上先吃了螃蟹，但在QLC闪存三星倒是很低调，前不久量产的第五代V-NAND闪存还是TLC类型的，三星只是表态称后续会有QLC闪存及1Tb核心容量的闪存。

东芝的QLC闪存规格西数的是一样——准确来说是西数的QLC闪存跟东芝一样的，使用的都是东芝的BiCS 4技术，96层堆栈。东芝/西数选择的BiCS技术路线跟其他家的NAND闪存都不同，一直以来容量密度都是业界最好水平之一，这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，大家还记得东芝之前发布的RC100系列硬盘吗，它使用的就是单芯片封装，一颗闪存最大容量才480GB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

在上市进度方面，西数那边是已经出样，今年量产，首发于闪迪SSD硬盘中，但东芝这边要比西数慢一些，今年9月份才开始出样给SSD硬盘及主控厂商，用于评估及开发，2019年才开始批量生产。不过今年8月份的FMS 2018闪存峰会上，东芝将会展示首个QLC封装原型。

Digitimes报道称，紫光旗下的YMTC长江存储此前披露已经获得首批商业化订单，拿到了生产32层堆栈3D闪存的1万片晶圆订单，主要用于8GB SD存储卡。不过业内人士爆料称长江存储的32层3D闪存的产能只有5000片晶圆/月，产能依然很有限。

消息人士称长江存储将继续研发64层堆栈的3D闪存，计划在2018年底推出样品，该公司将在64层3D闪存研发成功之后扩大产能，2020年计划产能将达到10万片晶圆/月，等到三座晶圆厂完工时产能将扩大到每月35万到40万片晶圆。

长江存储专注于NAND闪存，福建晋华及合肥长鑫则专注于DRAM内存研发、生产，他们的目标都是明年量产。

晋华公司表示该公司与UMC台联电联合研发的第一代DRAM内存将于2018年底投入生产，不过晋华的合作方联电目前跟美光公司正在打专利战，虽然福州法院已经发布针对美光的禁售令，联电取得阶段性胜利，但是最终是否产生影响还是未知数。

最近有报道称合肥长鑫的8Gb LPDDR4芯片已经试产成功，不过该公司没有证实是否开始正式生产。

此前合肥长鑫公司公布了19nm工艺的8Gb DDR4内存芯片样品，该产品预计于2018年底上市，计划于2019年上半年正式量产。

今年5月底西数公司就已经宣布出货96层堆栈的BiCS 4闪存，当时主要是3D TLC闪存，但是QLC闪存才是新一代闪存的重点，不到两个月西数的96层堆栈QLC闪存也开始出样了，预计今年内正式量产出货。

西数的BiCS 4闪存是跟东芝一起研发的，生产工厂位于日本四日市，如今西数的96层QLC闪存已经出样，那么东芝的96层QLC闪存也快了，预计最近也会宣布出样、出货了。

很多玩家都在担心QLC闪存的可靠性，一如多年前担心TLC闪存不耐操一样，不过站在厂商的角度来看他们是没可能放弃QLC闪存的，因为容量密度的诱惑太大了——西数这次出样的QLC闪存核心容量1.33Tb，要比之前美光/英特尔发布的QLC闪存的1Tb密度还要高33%，号称是业界最高容量。

1.33Tb的核心容量是什么概念？目前3D MLC闪存的主流核心容量还是256Gb，3D TLC也是256Gb核心为主，部分是512Gb，美光/英特尔可以做到768Gb，他们的QLC闪存可以做到1Tb，但是西数的是1.33Tb，换算一下就是166GB，这还是一颗核心的，一片闪存中通常是4-8颗核心，而2.5寸SSD硬盘的PCB中至少可以放4片闪存，这意味着2.5寸SSD硬盘随便玩玩就能实现3-5TB的容量，如果多堆点核心，10TB的SSD也是小菜一碟。

美光发布的QLC硬盘是7.6TB的，此前英特尔就被曝准备推20TB容量的SSD硬盘，不过厚度就要高一点，达到了15mm。

当然，上来就搞这么大容量也不现实，倒不是技术做不到，而是要考虑消费者承受的成本，无论如何未来普通人要想用上TB级的低价SSD硬盘，只能等QLC闪存硬盘了。

与美光/英特尔不同，西数的QLC闪存硬盘将首发于闪迪旗下的消费级硬盘中，现在就看到时候的价格了。

根据IC Insights的预测，今年全球电子系统的产值为1.622万亿美元，而半导体占到了5091亿美元，电子系统中平均的半导体份额为31.4%，打破了2017年创下的28.8%份额记录，创造了新高，而2017年半导体所占的份额已经从2016年的25.0%提升到了28.8%。

未来几年里，半导体所占的份额也会一直居高不下，基于2019年也将维持31.4%的比例，2020到2022年最低也有30.2%，最高31.5%，显示出未来几年里半导体行业的繁荣还会继续下去。

全球电子系统今年的产值1.622万亿美元，同比只增长了5%，而智能手机、个人电脑还会下降1%，只有汽车电子会增长3%，但半导体份额还能大幅增长，这主要是因为电子系统中半导体的价值在增加，具体来说就是DRAM内存、NAND闪存均价提升以及电子系统平均销售额同步增长。

结合之前的报道，全球半导体市场增长的动力确实主要来自内存、闪存，其中内存不仅单价在上涨，而且出货量也在增加，NAND闪存单价在跌，但是出货的总容量依然在大幅增加，所以总的产值还是在增加，2017年全球存储芯片的产值达到了1300亿美元以上，相比2016年的800多亿美元增长了60%。

韩国朝鲜日报报道称，三星已经将2019年在NAND闪存上的资本开支提升到90亿美元，相比今年的64亿美元投资大幅增加，这样一来仅仅是2018、2019两年的投资就高达150亿美元，这些投资主要用于扩大韩国平泽工厂以及中国西安工厂的3D NAND产能。

前几天三星又宣布量产第五代V-NAND闪存，堆栈层数超过90层，是目前堆栈层数最多的，号称领先对手两年时间，同时新一代3D NAND闪存还改进了生产效率，制造效率提升了20%。

除了第五代V-NAND闪存之外，三星还在扩展V-NAND闪存，准备推出核心容量高达1Tb的NAND闪存及QLC类型的闪存，继续推动下一代闪存发展。

三星是全球NAND闪存供应商里的老大，Q1季度份额高达37%，远高于第二大厂商东芝的20%，三星大手笔投资NAND领域以扩大产能，对其他厂商也是个压力。据报道，东芝/西数、美光、SK Hynix及英特尔都在大举投资NAND产能，今年底到明年初量产96层堆栈的3D NAND闪存。

对市场来说，三星大幅提升NAND产能可以增加NAND芯片供应，NAND产品降价是少不了的，对消费者来说还是好事，但是对长江存储等公司来说就不是好事了，以紫光为首的国内公司在2016年开始进军NAND市场，那时候NAND还是高价位，但是经过一两年的建设周期之后，NAND已经开始走向供过于求的买方市场了，NAND必然会降价，而缺少技术、产能优势的国内厂商要面临更大的压力。

中国禁售的消息一公布，美光股价暴跌6%，因为大陆市场已经是美光最大的来源，占了一半的营收。不过麦格里分析师Srini Pajjuri发表了研究报告，认为这事对美光的影响有限。

首先美光产品被禁售并不是中国政府作出的公告，而是来源于台湾联华电子，他们与美光互相打起了专利战。美光公司也表态称尚未收到任何正式的禁令通知。

此外，中国市场的营收虽然占了美光公司的一半，但是与联华电子专利战中涉及的产品只占美光的极小部分。

总之，Srini Pajjuri认为基于现在有限的信息，任何对美光公司业务产生的潜在影响都是暂时的。

此外，如果真的有官方的禁令，那么此举可能会推高DRAM价格。Srini Pajjuri认为禁令虽然可能影响美光在中国市场的收入，但是因为现在供应形势已经很紧张，这也可能推高DRAM芯片价格。

美光的NAND闪存、DRAM内存颗粒占到了全球供应的12%、23%，中国的长期禁令将导致价格上涨、供应短缺，特别是DRAM内存方面。虽然三星、SK Hynix可能会填补部分市场空间，但这需要时间。正因为此，实在看不出供应紧缺对中国下半年的智能手机、PC及服务器市场有什么好处。

2017年中国进口了2600多亿美元的半导体芯片，其中存储芯片价值889亿美元，国内内存、闪存芯片几乎100%依赖进口。