首先我们来看看预料之中的14nm工艺晶圆，这块晶圆使用了FinFET技术打造，目前这个技术已经逐步走进各家晶圆厂，普及只是时间问题，14nm工艺也是目前正在研发的下一代制程工艺。因此IBM这次展示的成品也只是告诉大家他们仍然走在时代前沿，并没有什么出奇的地方。

　　至于接下来的这个这块柔性晶圆就真正做到业界震惊了，该晶圆直径为6英寸，采用28nm FD-SOI工艺打造，不过晶圆表面并不平整，乍一看还以为是一张揉皱了的铝箔纸。IBM表示，这种晶圆具有一定的可弯曲性，尽管弯曲后性能肯定会有所变化（一般来说是性能下降），但仍然可以正常工作。只是这块晶圆具体如何打造、能用在什么地方、什么时候可以量产等信息，IBM就闭口不提了，看来这上面仍然有很多不确定的因素，还有很多信息属于机密。

　　不过话说回来，既然现在已经有柔性屏幕和柔性电池（至少技术是有了），那么IBM的柔性晶圆应该就是打造柔性芯片的前提了。当三者结合起来的时候，或许传说中的“柔性手机”就诞生了。

　　据称，这次台积电将为ARM提供20nm级别工艺以及FinFET技术的支持，ARM则利用这些技术打造兼顾性能、功耗以及芯片面积的完整芯片方案，其中64位ARM处理器即ARMv8架构处理器将是这次合作的首个成品。

　　ARMv8架构处理器是ARM公司的首款64位处理器，同时还兼顾了低功耗的优点，非常适合高端移动领域或者是企业级、服务器级应用。而台积电的20nm级别工艺以及FinFET技术则有助于进一步发挥ARMv8架构处理器的优点，例如在提升运算速度的同时降低漏电流等。

　　有业内人士指出，这次ARM和台积电的合作将解决SoC芯片在进行微缩时碰上的技术障碍，通过改善硅工艺以及处理器结构等多方面因素，促进SoC系统的发展并缩短对应产品的上市时间，即使对整个行业来说也是有重要意义的。

　　他们将在14nm工艺阶段为客户提供FinFET产品，同时还会有全耗尽（Fully Depleted）型SOI工艺，FD-SOI工艺的特点是晶体管密度大增，而功耗更低。

　　目前应用的部分耗尽型（partially-depleted）SOI工艺的问题是，随着晶体管的减小，进一步为SOI绝缘层施加压力会降低收益，因为目前的PD-SOI已经对晶体管有一定的压力了，再度施加压力会破坏晶体管。这就是AMD之前声称将在28nm以及半代20nm工艺节点放弃SOI工艺改用bulk体积硅工艺的原因。

　　在未来，FinFET工艺阶段还会有芯片堆叠（chip stacking）技术辅助，如果后者进展顺利，很可能会重塑整个芯片制造体系。