国内这边至少有两大阵营投入内存研发，一个是合肥长鑫/兆易创新，另一个就是福建晋华/联电，自从大陆公司决定发展内存之后，内存专利、人才就是一个重要考验，国际巨头与国内公司打专利战是意料中的，不过第一轮专利战是发生在联电与美光之间。

美光指责联电挖人、侵犯美光专利权（美光在台湾有华亚科子公司），双方对簿公堂，联电也在国内反诉美光侵权。昨天福州法院就关于美光半导体销售(上海)有限公司等先行停止侵犯涉案专利权作出了民事裁定书，美光在与联电专利侵权诉讼期间，美光必须立即停止在中国大陆销售及制造部分DRAM、SSD硬盘产品。

具体来说，受到影响的产品主要是：

·美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口铂胜运动Ballistix铂胜台式内存DDR4 2400 8G两条装(实物商品型号：Crucial英睿达内存条BALLISTIX 16GB KIT 2 -8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V)及BX芯片等12项产品；

·美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口Crucial英睿达DDR4 2400 8G笔记本内存条及C9BGM芯片等17项产品；

·厦门市思明区信通源电脑经营部立即停止销售、许诺销售Crucial英睿达DDR4-2400 8G笔记本内存条及C9BGM内存芯片。

目前福州法院的判决并不代表联电最终胜诉，案件审理期间发布的商品禁令只是操作手段，类似美国FTC委员会调查期间发布的商品禁令一样，双方的法律侵权诉讼还在审理中。

不过目前的局面对美光来说显然不是好消息，法院禁令一出，美光的股价暴跌了6%，根据彭博社之前的统计，美光50%的存储芯片营收源于中国市场。

DRAMeXchange表示其实每年的头两个季度对电子消费品来说是传统的淡季，而且厂家的64/72层3D NAND的产能正在稳定提升，单颗闪存的存储密度也在增大，所以每单位容量的闪存价格在下降，而且今年下半年市场对NAND闪存的需求依旧疲软，智能手机、笔记本电脑和平板电脑的季度间需求会增长0~1%，0~1%和9~10%，厂家可能会进一步降低报价来促进市场需求，导致价格下跌幅度会超过预期，当然了厂家会推迟产能扩张计划，希望这样会延缓价格下降的幅度。

到了今年第四季度会有个不确定的因素就是新的iPhone，它的销售情况会对NAND的价格有一定的影响，另外今年Q4闪存厂商会把产能向96层堆叠的产品转移，这样会进一步提升闪存的单位容量，这也有助于降低单位容量的闪存价格。

本月18日大阪发生的6.1级地震也影响到了东芝在四日市的NAND厂房，东芝在地震发生后就立即进行了检查，次日就完成了对晶圆的检查，其实只有数量有限的晶圆受到影响，而且在返工后就可以恢复正常，晶圆厂本身的影响也大，很快就恢复正常生产，这次地震对NAND市场的影响几乎没有。

UV500的M.2/mSATA接口容量选项最大可选为480GB，而2.5"接口才有着960GB、1920GB两个容量选项可选。UV500支持256位的全盘加密和TCG Opal 2.0安全管理规范，平均无故障使用时间（MTBF）100万小时，使用耐久度、硬盘性能随容量的变化而变化：120GB版的寿命为60TB，平均读写和IOPS分别为520/320 MB/s、79000/18000；而1920GB版的寿命和平均读写、IOPS可以去到800TB，520/500 MB/s、79000/50000，更详细的对比可见下方表格。官方给出的UV500性能和耐久表现均比UV400有所进步，想来是3D NAND的功劳。

售价方面，表格内给出的是UV500 2.5"的建议零售价，120GB、240GB、480GB、960GB、1920GB分别对应约301元、577元、981元、1848元、4467元，考虑到一般到手价会比建议零售价要便宜，实际价格还不算太贵。

与以往不同的是，英特尔、美光之前宣布的QLC闪存首先用在了企业级市场上，P/E寿命达到了1000次，虽然比MLC闪存的3000次有所不如，但是别忘了当初TLC闪存刚问世时P/E寿命不过500次左右，所以美光、英特尔对QLC闪存的寿命还是挺有自信的，否则也不会选择企业级市场首发了。

与之相比，东芝、西数的96层堆栈QLC闪存最近也宣布出货了，不过首批客户主要是U盘、存储卡等行业的，官方也承认BiCS 4技术的闪存现在还有点问题，所以试水的市场并不是SSD硬盘，而是U盘这种对寿命要求不高的产品。

消费级市场的QLC硬盘迟早都会来的。Anandtech网站日前与英特尔有过接触，披露了英特尔在QLC闪存上的一些新动向。

在消费级市场上，英特尔下半年将推出QLC闪存的硬盘，官方没说型号，不过之前已经泄露过相关产品，首个用上QLC闪存的硬盘是660P系列，该硬盘将使用PCI-E 3.0 x2通道，容量高达2TB——2TB的容量不低，不过PCI-E 3.0 x2意味着带宽最高不过2GB/s，显示660P系列的性能不会多好。

在企业级市场上，英特尔还在开发容量高达20TB的2.5寸QLC硬盘，容量非常大，不过厚度可能达到15mm，类似U.2 NVMe硬盘那样。该硬盘可能定位在英特尔SSD DC P4510 TLC硬盘之下，后者目前的容量可达8TB。

目前英特尔的3D NAND闪存已经转向中国大连的Fab 68工艺生产，该工厂即将完成扩产，产能将增加75%。英特尔、美光合作的犹他州Fab 2工厂已经不再生产3D NAND闪存，完全转向3D XPoint闪存生产。随着美光公司转向CTP结构的3D NAND闪存，美光、英特尔的合作关系将在96层闪存之后结束，双方合资的IMF公司在3D XPoing时代可能会改名。