韩国koreatimes报道称，SK Hynix公司董事长Chey Tae-won上周四在韩国科学技术院发表演讲后提到了竞标东芝NAND业务一事，“现在东芝的竞标还是非约束性的，报价也会变化，具体的价格现在说没什么意义。”

他提到一旦约束性的竞标价格开始之后，SK Hynix的报价也会不同。

他说这番话的背景是SK Hynix传闻中竞标东芝NAND业务的报价在1-2万亿日元之间（约合901-180亿美元），这个价格要比东芝预期的至少2万亿日元价格要低，也比其他竞标对手给的价格低，比如博通联合银湖资本给的报价就是2万亿日元，对东芝NAND业务垂涎三尺的鸿海集团传闻开出3万亿（大约270亿美元）的高价，不过考虑到鸿海集团的背景，他们收购东芝NAND业务要比欧美日韩公司更困难。

现在其实不光是竞标厂商有意拿出多少钱的问题了，最大的变化是东芝可能调整出售NAND业务的政策，最初他们只打算出售20%的NAND业务股份，之后因为核电亏损远超预期，急需钱的东芝狠心要把NAND业务全部出售掉，但是东芝在决定出售之后依然要面临不少困难——由于担心技术外流，东芝NAND业务出售给中国大陆或者台湾公司都不太可能，但鸿海又是出价最高的，日本政府希望东芝NAND业务真要出售也是给美国公司，但是美国公司出价可不算高。

还有个问题就是西数的杯葛——东芝的NAND业务是跟闪迪合作的，闪迪已经被西数收购了，西数作为东芝的合作伙伴，在东芝NAND业务收购上也是享有一定话语权的，因为这会影响西数的利益。前几天传闻西数对东芝出售NAND闪存的决定持保留态度，虽然后来东芝否认，但这依然让东芝的NAND业务出售蒙上了阴影。

最新消息称东芝可能收回出售决定，转而寻求以NAND业务抵押给银行换取贷款以渡过难关。

PS：也许这事一开始就是设计好的，NAND业务作为东芝目前最能盈利的核心业务，出售给其他公司对东芝来说并非好事，缺少了这个关键业务也会影响投资者的信心。东芝出售NAND业务也有可能是计划好的，这样可以借投标来抬高谈判的筹码。

至于最终结果如何，还要看6月份的决定了，届时东芝才会作出真正的决定。想知道详情可以关注小超哥（ID：18680462854），东芝NAND业务是否真的被收购也将在小超哥（ID：18680462854）微信上公布结果。

从2D NAND平面闪存到3D NAND闪存的升级中，三星、东芝/西数、SK Hynix及IMFT（美光/Intel）的3D NAND技术路线各不相同，堆栈层数也不一样，比如三星V-NAND闪存首发是24层堆栈，量产型是32层堆栈，今年内也会有64层堆栈的，东芝/西数的BiCS闪存首发就是48层堆栈，不过下一代也是64层堆栈，前不久西数、东芝分别宣布了64层堆栈的512Gb闪存。

Intel和美光的3D NAND闪存来的最晚，首发也是32层堆栈，年内也会升级到64层，不过这两家在3D NAND闪存上还握有3D XPoint这个王牌，Intel、美光迟早都会把重心转向这个次世代3D NAND闪存上去的。

SK Hynix去年4月份才发布了36层堆栈的128Gb 3D闪存，去年11月份又量产了48层堆栈的256Gb闪存，5个月后的今天又宣布了72层堆栈的3D NAND闪存，进度还是蛮快的，也有助于SK Hynix在3D NAND闪存上追赶三星、东芝等老朋友。

根据SK Hynix官方资料，72堆栈的3D NAND闪存相比48层堆栈的3D NAND闪存提升了30%的生产效率，内部运行速度提升了两倍，读写速度提升20%。

不过从容量这方面来看，72层堆栈的3D NAND闪存还是256Gb，而且还是TLC类型的，容量上相比目前48层堆栈的3D NAND并没有提升，SK Hynix提升的主要是效率及性能，而东芝、西数及三星都已经寻求更大容量的512Gb核心3D NAND闪存量产了。

按照SK Hynix的说法，72层堆栈的3D NAND闪存将在今年下半年开始量产，而512Gb核心容量的72层堆栈应该也会在规划中了，就看SK Hynix何时宣布了。想提前知道何时发布，可以问下小超哥weixn：9501417（长按复制），他会有个大概预估时间告诉你的，假如你对3D闪存上有什么专业问题，更可以找小超哥咨询~

根据资料，K海力士半导体（中国）有限公司自2005年在锡设立以来，历经5期重大投资建设，累计投资额达105亿美元，是国内半导体投资规模最大﹑技术最先进的项目，也是江苏省单体投资规模最大的外商投资项目。目前在无锡的内存厂每月产能高达13万片晶圆，占据SK Hynix公司近一半产能，占全球产能约为15%。

前几年无锡工厂的大火导致产能受损，直接影响了全球内存价格，无锡工厂的影响力可见一斑。

SK Hynix公司这次宣布在无锡启动第二工厂建设，总投资高达36亿美元，不过双方公告中并没有提及具体计划，现在无法确认新工厂何时建成，现在表达的是投资意向——如果今年下半年开工，晶圆厂至少要2-3年才能投产。

在此之前，SK Hynix去年底宣布了新一轮投资计划，其中韩国本土市场投资2.2万亿韩元建设新的NAND闪存厂，无锡的内存工厂投资9500亿韩元，折合55亿人民币，不过这笔投资主要是在2017-2019年扩建洁尘室，并不是新建工厂，现在宣布的投资才是新工厂的。

在全球NAND市场上，存在三星、东芝/西数（闪迪）、美光/Intel以及SK Hynix四大门派，其中三星自己能占到36%的份额，东芝份额约为20%，仅次于三星，闪迪公司大约有16%份额，二者合起来才能跟三星抗衡。现在闪迪公司已经被西数收购，所以西数是最早曝光的有意参股东芝NAND业务的公司，美光公司也据传准备投标。

考虑到NAND市场这一年来大热，东芝的NAND业务已经变成一块肥肉，除了西数、紫光之外，其他公司也准备入股，之前有消息称鸿海公司就有意拿下东芝NAND股份，郭台铭1月底已经对外表态有兴趣了，较早之前有爆料称鸿海准备以夏普的名义参与投标，但具体金额尚无准确消息。

另一家准备竞标的是SK Hynix公司，消息人士称SK Hynix公司上周五已经提交了2万亿到3万亿（约合18到27亿美元）的报价，准备收购东芝20%的NAND业务。

东芝公司最终公布股权出售一事要到3月份，目前到底哪家公司能胜出还是未知数。这次出售20%股权对中国公司本来是个大好机会，可惜中日关系现在大家都懂得，而且涉及核心技术，国外的审查也是一个考验，所以这次竞标中并没有出现中国公司的身影，就连之前准备收购美光、西数股份的紫光公司也没看到有出价的报道。

相比于LPDDR4，LPDDR4X的能耗比提高了20%，它工作的标准电压只有0.6V，而LPDDR4的工作电压是1.1V，SK海力士这次推出的8GB LPDDR4X内存是采用四颗双通道16Gb Die封装而成，在64 bit的内存位宽下数据传输速率达到了34.1GB/s。

SK海力士称，他们的8GB LPDDR4X的封装面积比8GB LPDDR4小了30%，尺寸只有12*12.7mm，厚度不到1mm。

目前能使用LPDDR4X内存的SoC只有高通骁龙835和MTK Helio P20两款，不过未来应该会有更多的SoC会支持，而且下一代旗舰手机估计内存容量都会达到8GB了。

3D闪存相比普通2D闪存具备很多优势，包括性能、可靠性之外，最重要的就是它可以提高闪存容量，进一步降低成本，理论上堆栈层数越多，3D闪存容量就越大，优势也越明显。之前在超能课堂(36)：3D NAND闪存是什么，引中国厂商竞折腰？一文中，我们也简单介绍了什么是3D闪存及四大豪门当前主要的3D闪存规格。

2016年上半年各NAND厂商代表性的3D闪存规格及堆栈层数

三星发展3D NAND闪存最早，目前已经推出了三代V-NAND闪存，最高堆栈层数是48层，下一代3D闪存是64层堆栈，今年底开始量产。东芝/西数则是BiCS类型的3D闪存，堆栈层数是48层，下一代也是64层堆栈，美光/Intel的3D闪存进度最晚，堆栈层数也是32层，下一代则会提升到64层堆栈，美光在新加波的10X晶圆厂年底将会量产64层堆栈闪存。

SK hynix的3D闪存发展了两代了，32层堆栈的算是实验性的，今年11月份正式量产48层堆栈的3D闪存。不过根据韩联社的消息，SK Hynix的下一代3D闪存也在路上了，2017年上半年完成芯片设计，2017年下半年正式量产，生产厂就是去年才建成的利川市M14晶圆厂。

从层数上来看，SK Hynix如果明年真的能顺利量产72层3D闪存，那么他们的堆栈能力就超过了其他三家，后者明年的3D闪存还是64层堆栈的，不过三星此前已经提到了96层堆栈的3D闪存，早已在研发中，只是尚未有确定的量产时间表。

半导体产业是国内急需解决的问题，也是得到政府大力支持的高科技产业之一，各地政府陆续上马了多个存储芯片项目，除了经常见诸媒体报道的武汉新芯/长江存储科技之外，我们也报道过合肥长鑫以及福建晋华集团上马DRAM工厂，其中合肥的项目原先依靠原尔必达社长坂本幸雄创立的公司，但现在已经被兆易创新及前中芯国际CEO王宁国主导的长鑫科技主导，而福建晋华集团主要合作的是UMC台联电。

国内公司投资半导体产业不差钱也不差市场，但严重缺少人才和技术，解决这两个问题一方面需要寻找技术合作伙伴，另一方面也不得不高薪聘请技术人才，需要从韩国、日本及台湾等公司中高薪挖人，只要给出足够高的薪水，有不少员工还是会动心的。

三星、美光、SK Hynix以及台湾的华亚科等公司显然会是挖人的重点，面对这种情况，这些公司也不能坐视不理，台湾联合报援引力晶集团董事长黄崇仁的消息称三星、SK Hynix已经发出存证信函给跳槽到合肥长鑫等公司的前员工，措辞强硬，甚至不惜法律诉讼。

无独有偶，美光公司也给原美光台湾区总经理、之后跳槽到UMC联电担任副总经理的陈正坤，而他现在领军联电开发DRAM内存技术，是与晋华合作的重要人物，因此美光担心技术外流。

前不久美光收购了华亚科，合肥长鑫趁机挖走了200多名华亚科员工，其中有多名参与先进制程的技术人员，美光也因此派法务人员来了解情况，防止技术流入其他公司。

台湾另一家DRAM公司南亚科也有部分人员跳槽，不过目前多以厂务为主，并没有先进制程技术人员加入，但南亚科也未雨绸缪展开了技术保护及宣传工作。

现在内存、闪存不断涨价，想想也知道这些厂商的日子肯定舒服多了。截至2016年12月1日的2017财年Q1季度财报中，美光营收从去年同期的33.5亿美元增长到39.7亿美元，同比增长19%，环比上季度32.2亿美元也增长了23%。

美光在报告中表示，营收同比上涨主要得益于NAND闪存、DRAM内存出货量增长了26%、18%，而且内存ASP平均价格还上涨了5%。

营收的上涨也带动了美光公司的盈利改善，当季运营利润达到3.59亿美元，去年同期为2.32亿美元，同比暴涨了55%，而上季度则是亏损3200万美元。不过本季度利息支出达到了1.32亿美元，比去年同期及上季度更高，所以净利润为1.8亿美元，低于去年同期的2.06亿美元，但比起上季度亏损1.7亿美元已经明显扭亏为盈了。

美光公司2017财年Q1季度的资本支出为11.8亿美元，该公司目前持有的现金及等价物约为43.2亿美元。

美光公司前不久收购了台湾华亚科公司，总交易额大约为32亿美元，此后华亚科将成为美光100%控股的子公司，产能正在从30nm转向20nm，未来将进一步扩大美光在内存领域的地位。

闪存方面，美光已经宣布3D NAND产能超过2D NAND，而且第二代3D NAND闪存正在量产，堆栈层数高达64层。

SK Hynix在全球NAND市场上的份额约为10%，略低于美光，与三星的36%、东芝的20%、闪迪/西数的16%份额相差较多，要想扩大份额，提升产能是免不了的。SK Hynix的NAND闪存工厂主要分布于韩国利川市，去年在忠清北道建设了M14工厂，当时SK Hynix宣布未来要建设三大NAND基地，总投资高达46万亿韩元，现在宣布开工的就是清州市的NAND工厂，投资2.2万亿韩元，约合18.3亿美元或者127。3亿人民币。

根据SK Hynix的消息，他们将在清州市的科技园区新建大约23.4万平米的厂房，明年8月份建成洁尘室，2019年6月份全部完工。

虽然官方没有提及新建工厂主要生产何种NAND闪存，不过新一代3D NAND闪存是没跑了，SK Hynix公司去年才推出3D闪存，今年才算是正式量产，堆栈层数为36层，层数比三星、美光还多，不过核心容量还是128Gb。

11月的时候，SK Hynix又宣布量产48层堆栈的3D NAND闪存，清州市NAND工厂未来生产的NAND闪存应该会更先进。

除了大举扩张NAND产能之外，SK Hynix还准备扩大DRAM内存产能。他们在全球内存市场上份额高达28%，低于三星的46%，高于美光的20%，是全球第二大内存厂商。这其中，SK Hynix位于中国无锡的DRAM工厂就占据了全球15%左右的产能，这也是为什么当年无锡工厂大火导致生产停工，进而使得内存大涨价的原因了。

SK Hynix准备投资9500亿韩元升级无锡工厂，这笔投资大约是55亿人民币，并不够新建晶圆厂的，主要是在2017-2019年间扩展洁尘室。

值得一提的是，SK Hynix大规模扩建NAND工厂的同时，中国自己的NAND晶圆厂也在紧锣密鼓地建设中，厦门、合肥、深圳以及武汉等地都在争，得到国家支持的是武汉新芯科技主持的，现在已经被紫光收购，变成了长江存储科技，他们也会在2017-2018年投产3D NAND闪存，32层堆栈的。尽管国内厂商的技术水平达不到三星、SK Hynix水平，但国内投资巨大，产能起来之后势必要价格战，届时市场恐怕又是一片惨烈，要重新洗牌了。

更正：SK Hynix的投资额是2.2万亿韩元，之前文章有错误，特此致歉。

SK Hynix的8GB LPDDR4内存是由4颗16Gb（2GB）内存颗粒整合封装而成的，尺寸大小为15*15mm，采用FPGA封装，有366 ball和376 ball两种规格。

其中前者366 ball可以与SoC、UFS闪存堆叠整合封装成一个芯片，减少占用手机PCB寸土寸金的面积，类似于苹果iPhone手机上一贯做法。

两者传输速率是3733MT/S，换算成频率就是1866MHz，作为对比，三星家的8GB LPDDR4性能更为优越些，4266MT/S(2133MHz)。

数据来源anandtech

目前366ball规格的已经面向厂商供货，能使用更低电压的376ball则需要等到明年第一季度才开始供应。

看来假以时日，我们很快就能看到搭载了8GB内存的手机了，6GB可能已经满足不了人们日益增长的应用需求，尤其是将来的4K显示、VR应用上。

希捷自身并非没有SSD业务，实际上希捷在SSD领域布局还挺早，很多人都知道希捷收购了知名SSD主控厂商SandForce，8月份的时候希捷还宣布了全球容量最大的60TB SSD硬盘，但是希捷缺少关键的NAND供应，这方面只能依靠其他公司，要想做大做强，NAND供应问题必须解决。

西数收购闪迪之后，全球剩下的NAND豪门还有三星、美光、SK Hynix、东芝、Intel等，这些公司的SSD业务要么不可能出售，能出售也会是天价，希捷在HDD市场营收、份额都并不如西数，是否如西数那样有魄力收购一家大型NAND供应商还是个问题。

买不起的话也可以合作，来自TrendForce的消息称希捷准备跟SK Hynix成立一家合资公司，主要面向企业级SSD市场， 服务器、云数据等市场都是会是重点。有关双方合作的事宜现在还没有官方证实，细节也无从得知，不过这两家抱团的话也没什么意外的，现在服务器、云数据领域的领头羊是三星和Intel，SK Hynix和希捷合作的话刚好可以互补。

从DRAMXchange公司分析师Avirl Wu的报告来看，全球DRAM产品已经是寡头垄断，目前只有三星、SK Hynix及美光三家公司。在升级到20nm及之后的工艺节点之后，厂商在位元供应上产能增长有限，而主流供应商未来也不打算提高产能，甚至放慢了他们在先进技术上的开发进程，因此供应情况在2017年依然吃紧。

这种情况下，2017年Q1季度内存价格还会继续上涨。根据他们的消息，明年Q1季度4GB容量的PC内存模组合约价格将达到20美元左右，这跟现货价格差不多了，而且期货、现货市场的价格差距还会越来越小。

从他们的报告来看，上游的三家供应商出于各种原因不肯或者无法扩充产能，但市场需求可没有减少，明年Q1季度适逢中国春节，手机、平板等产品需要的移动内存需求很大，PC游戏及服务器市场虽然不如移动市场那么火，但对内存也是刚需，现在内存颗粒厂商有意控制产能，厂商为了备货，不得不接受高价了。

目前闪存厂商已经把重点从2D闪存转向3D闪存，因为相比普通闪存，3D NAND闪存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的优势，而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标。三星是最早量产3D NAND闪存，试验型是24层堆栈，真正量产的是32层，目前也是三星3D闪存的主力，去年底到现在开始主推48层堆栈的第三代V-NAND闪存。

目前NAND厂商的3D NAND规格一览

除了三星之外，东芝的BiCS闪存也是48层堆栈的，不过这货从去年就说量产时间，但直到现在也没看到多少，倒是SK Hynix现在宣布他们本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。

随着3D闪存的量产，今年底SK Hynix公司的NAND产能也将从目前每月1万片12寸晶圆翻倍到2-3万晶圆每月，其中3D NAND闪存占据大约15%的份额——该公司目前70%的产能依然用于DRAM内存。

在48层堆栈NAND闪存之后，SK Hynix明年则会发展72层堆栈的3D闪存，预定明年下半年量产，这可要比三星、东芝还激进，后两家明年量产的3D NAND闪存才是64层堆栈而已。

随着NAND闪存转产3D NAND闪存以及3D闪存堆栈层数的增加，未来两年的SSD容量肯定还会继续增大，当前买SSD建议别选256GB以下的了，有条件的直接上512GB甚至1TB吧，明年后年真心希望能普及1TB-2TB的SSD，这样真的可以不用HDD硬盘了。

SK Hynix最知名的产品显然是DRAM内存、NAND闪存芯片，不过这一年来因为NAND、DRAM降价，导致SK Hynix业绩很难看（不过内存闪存年底开始涨价了），该公司也希望寻找新的增长点，CIS图像传感器就是目标之一。

此前SK Hynix把300mm晶圆主力产能留给了内存、闪存芯片，其他产品都使用200mm晶圆生产，现在SK Hynix将首次使用300mm晶圆生产CIS传感器，这次改变也使得该公司非存储类芯片产能提升50%。

SK Hynix预计2017年在韩国利川市的M10晶圆厂开始量产新一代传感器，1300万像素，虽然这是2年前的像素水平了，不过SK Hnix的CIS传感器一向走低端路线，之前生产的产品500万像素都没有，去年才开始生产800万像素传感器——主要用于华为、LG的智能手机。

至于为什么没多少人听过SK Hynix的传感器——是这样的，国内厂商在营销上有个习惯，如果他们使用了索尼的传感器，在PPT中一定大书特书，如果提都没提，说用他们用的传感器都是性价比类型的，说出来不好听。