作为业界第一大厂，三星的DRAM营收按季度增长1.3%，至80.5亿美元，市场占有率下滑1.6个百分点至43.9%，平均销售价格（ASP）按季度增长20%，抵消了位元出货量的中个位数季减幅度；SK海力士的DRAM营收为57亿美元，按季度增长了2.6%，市场占有率下滑0.7个百分点至31.1%；美光的DRAM营收按季度有较大幅度的增长，达到了17.8%，至39.5亿美元，市场占有率上升2.3个百分点至21.5%，平均销售价格按季度增长23%。

南亚科技在价格回升所带动的备货动能，以及客户端DRAM销售动能回升较缓等需求消长影响下，出货量和平均销售价格都有所增长，DRAM营收按季度增长10.5%至3.02亿美元；华邦还没有调整合约价，由于客户提前备货，带动DRAM营收按季度增长21.6%至1.62亿美元；力积电的营收计算主要来自自身生产的客户端DRAM，不包含代工，最终DRAM营收为0.28亿美元，按季度减少了28.2%。

TrendForce表示，2024年第二季度即便消费性需求减少，原厂的出货位元数仍将反映季节效应而出现季度增长，而且涨幅有可能会高于预期，预计合约价将上涨13-18%。

由于除人工智能（AI）以外的终端需求不振，特别是笔记本电脑和智能手机需求上还没有复苏迹象，结合连续数个季度涨价及库存因素影响，两个月前TrendForce给出的DRAM合约价季涨幅为3~8%、NAND闪存为13~18%的预测数字。不过随着上个月中国台湾发生地震，出于特殊因素考虑，以PC OEM厂商为首的买房接受了DRAM和NAND闪存的合约价格上涨，一定程度上反映了供需两端对市场接下来走势的考量。

TrendForce表示，随着人工智能对HBM产品的需求越来越高，加上比传统DRAM高出数倍的价格（约为DDR5的五倍），存储器供应商逐步将产能更多地分配给HBM，进一步排挤了传统DRAM的产能。即便如此，HBM产品的供应可能从第三季度起会出现短缺。

随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，加上北美客户扩大存储产品的订单，带动企业级QLC SSD的需求攀升，不过暂时仅Solidigm和三星有经过验证的该类产品。不少云端服务商都打算扩大企业级QLC SSD的采购，作为新的存储解决方案，一定程度上加速了部分供应商的去库存操作，也让部分供应商出现了惜售心态。受制于消费产品市场需求前景不明，存储器供应商普遍对产能支出趋于保守。

Robert Dennard于1932年9月5日出生在美国德克萨斯州的特雷尔，在一个没有通电的农场长大。由于在圆号演奏方面的天赋，让Robert Dennard赢得了达拉斯南方卫理公会大学的奖学金，在那里获得了电机工程学士，并于1956年取得了硕士学位。随后Robert Dennard进入卡内基技术学院（卡内基梅隆大学的前身）攻读电气工程博士学位，于1958年获得了博士学位。毕业后，进入IBM工作，担任研究员，在那里度过了漫长而传奇的职业生涯。

在上世纪60年代，集成电路是一种令人兴奋的新鲜事物，而业界的主要焦点是推进计算机内存和逻辑，Robert Dennard投身到研究MOSFET的设计和应用当中。Robert Dennard与团队成员在1964年开发了一种替代系统，只需6个MOS晶体管就可以存储1bit信息，不过对于这样的设计仍然觉得过于复杂且缓慢。后来Robert Dennard在脑海里闪出了新的想法，彻底改变了计算机行业，经过不懈努力终于在1968年发明了DRAM，并获得了专利。

Robert Dennard并没有止步于此，1972年又带来了新的理论，使得电子设备变得更小、更快、更高效，后来这一理论被称为“MOSFET微缩方程式”，即登纳德缩放比例定律，对摩尔定律进行了补充。因此Robert Dennard获得了众多奖项，包括在2019年由IEEE（电气与电子工程师协会）授予了罗伯特·N·诺伊斯奖（Robert N. Noyce Medal），这也是半导体行业的最高荣誉。

Robert Dennard的追悼会定于美国东部时间2024年6月7日下午1点举行，地点位于纽约州约克城高地。

市场研究分析机构TrendForce发布了新的调查报告，称得益于比传统DRAM高出数倍的价格（约为DDR5的五倍），加上人工智能芯片的迭代需求，推动了2023年至2025年HBM产能的提升。2023年和2024年HBM分别占DRAM产能的2%和5%，到了2025年将提高至10%以上。产值方面，2024年占DRAM总产值超过20%，2025年可能提高至30%以上。

各个存储器供应商今年第二季度开始，已经针对2025年的HBM产品进行议价，不过受制于DRAM产能，为避免产能排挤效应，初步涨价5~10%，覆盖了HBM2E、HBM3和HBM3E。提前议价的原因有三点分，分别为：一、买方对人工智能需求充满信心，愿意接受涨价；二、HBM3E良品率仅为40~60%，还有待提升，买方希望稳定货源；三、不同供应商因供应能力问题，导致平均销售单价出现差异，从而影响获利。

现阶段HBM产品大规模转向HBM3E，且会有更多12层堆叠芯片出现，带动了HBM容量提升，预计2024年的HBM需求位元年成长率接近200%，到2025年有可能再翻倍。

美光副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示：“凭借这一最新批量出货的里程碑产品，美光将继续引领市场，为我们的客户提供已通过所有主要平台认证的大容量RDIMM。AI服务器可以选择配置美光的24GB 8层堆叠HBM3E（用于GPU连接）和128GB DDR5 RDIMM（用于CPU连接），以提供内存密集型工作负载所需的容量、带宽和功耗优化的基础架构。”

美光认为，新款高性能、大容量内存模块专为满足数据中心各种关键任务应用的性能需求而设计，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMDB）、以及多线程、多核计数通用计算工作负载的高效处理，未来将大批量应用在服务器CPU中。新产品已得到AMD、HPE、英特尔和超微等业界厂商的支持，建立了强大的生态系统。

目前美光已经开始供应128GB DDR5RDIMM内存模块，并将于2024年6月通过选定的全球渠道分销商和经销商提供。

根据DigiTimes的报道，地震中断了晶圆厂的运营，美光、三星和SK海力士均收到影响，这必然影响供应，这可能会导致内存价格上涨幅度超出预期。其实内存行业在地震前就在涨价了，以弥补他们在前几年价格低估时的损失。

在地震发生后不久，内光就停止了第二季度的产品报价，随后三星和SK海力士也迅速跟上，这明显就是准备涨价了。过去由于自然灾害或事故造成生成中断，内存价格通常都会飙升，这次地震估计也是如此。在地震发生前，市场预测第二季度DRAM和NAND合同价格增长速度会比第一季度放缓，预计在15%到20%之间，而第一季度涨幅超过了20%。

目前内存模块制造商的芯片库存量较低，目前正在准备加购芯片增加库存，原本他们希望价格上涨趋势能放缓，只不过从去年开始上游芯片制造商都集体减产以维持产品定价，现在加上地震的影响，合约价必然会涨得更厉害。

根据这一状况，包括服务器制造商在内的下游客户可能会预计到会出现供货短缺而积极备货，这会进一步推高内存价格。只不过在消费级市场依然处于农历新年后的需求低位，尽管价格估计也会跟随上涨，但应该不会出现缺货的现象。

据相关媒体报道，经过长时间的挣扎后，三星的DRAM和NAND闪存业务终于看到了曙光，今年1月份的月度财报里显示已实现了盈利。如果这种趋势能够得以延续，三星的DRAM业务将迎来五个季度以来的首次季度盈余。

近期TrendForce发布的2023年第四季度DRAM产业和NAND闪存调查报告显示，三星都是排名第一的厂商，而且增长幅度也是最大的。其中DRAM业务季度增幅超过了50%，达到了79.5亿美元，而NAND闪存业务环比增长44.8%，达到了42亿美元。

不过也有业内人士认为，虽然现在市场的情绪是积极的，但还没到松懈的时候。供应商积极减产推动了价格的上涨，供需环境得到了改善，但是市场需求仍然存在较大的不确定性，这可能是一个意想不到的变量，同时还要密切关注库存水平。

作为业界第一大厂，三星有着最大的拉升幅度，DRAM营收按季度增幅超过了50%，达到了79.5亿美元，这主要得益于1a nm DDR5出货提升，服务器DRAM出货位元按季度大幅度攀升超过60%；SK海力士得益于大容量服务器DRAM、DDR5和HBM产品线，虽然出货位元按季仅增加1~3%，但是平均销售价格（ASP）按季增加17~19%，DRAM营收为55.6亿美元，季度增长了20.2%；美光量价齐飞，出货位元及平均销售价格按季度增长4~6%，不过DDR5和HBM比重较低，使得增速较缓，DRAM营收按季度增长了8.9%，达到了33.5亿美元。

南亚科技同样也是量价齐涨，客户端产品出货回升，也带来了价格的提升，季度营收增加了12.1%，达到2.74亿美元；华邦因新厂投入运营，使得产能增加，一方面积极去库存、扩大客户群体，另一方面并未调整合约价格，使得出货有更积极的表现，季度营收增加了19.5%，达到1.33亿美元；力积电因现货与合约几个上涨而获益，客户端渠道备货力道提升，加上之前出货量偏低，不包含代工情况下，季度实现110%的增长，至3900万美元。

传闻三星芯片部分的一位高级主管在去年下令对MUF技术进行测试，得出的结论是MUF不适用于高带宽内存，也就是HBM类产品，最为合适的对象是3DS RDIMM。一般情况下，3DS RDIMM采用了硅通孔（TSV）技术制造，主要用于服务器产品。硅通孔技术意思就是在Wafer或者Die上穿出数千个小孔，实现硅片堆叠的垂直互连通道，而MUF则是上下连接，缩小相互之间间隙的材料，有助于紧密凝固和结合各种垂直堆叠的半导体。

MUF是一种环氧树脂模塑化合物，在SK海力士成功将其应用于HBM2E生产后，受到了芯片行业的关注。SK海力士使用的这种化合物是与Namics合作生产的。三星计划与SDI合作开发自己的MUF化合物，而且已经从日本订购了MUF所需要的相关设备，看起来要推进到下一阶段，以实现更先进的封装工艺，并提高生产效率。

尽管如此，目前三星将继续在HBM生产中使用TC NCF。竞争对手美光也打算这么做， MUF材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。

据博板堂报道，近期金士顿内存拉动的价格行情，预计会到一个较高的预期，内存的涨价行情至少会持续半年左右的时候。看起来DRAM合约价上涨的趋势，已落到了具体的内存产品行情上。

从上游传递的信息来看，后面价格往上涨的决心较大，原厂颗粒厂商坚信要不断拉涨，而且几大厂商比较齐心。由于过去一年实施的减产已逐渐凸显效应，所以原厂不是特别着急出货，更加下定了2024年不断拉涨的决心。此外，过去两年内存需求的趋势也是增长的，幅度也不小，特别是笔记本电脑和服务器的需求增长较大。与此同时，HBM产品消耗了原厂不少产能。虽然总体趋势较为确定，但是不排除中间会有震荡的机会。

目前内存市场正处于DDR4过渡到DDR5的时期，不过更替的时间段很可能会延后至今年第三季度到第四季度之间，届时两种不同内存的价格走势会产生比较大的变化。

2024年第一季度，预计DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守，DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率，买方也在第一季度陆续完成库存回补，因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。

第三季度是传统的旺季，来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下，合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，平均单价的提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下，涨势将延续，预计DRAM合约价季涨幅约8~13%，而NAND闪存则是0~5%。

TrendForce表示，2024年第一季度中国智能手机厂商的生产规划仍稳健，由于存储器价格涨势明确，带动了买方积极扩大购货需求，以建设安全且相对低价的库存水位。过去智能手机市场是最早反映经济下行的消费性产品，买卖双方都是持续性对供应链进行库存调节。随着库存水平已跌至谷底，加上原厂减产效应作用，两大因素促使智能手机使用的存储器出现强劲涨势。

从整体市场来看，2024年第一季度客户端需求持续，使得存储器延续了涨势。在原厂没有拉动产能的情况下，供需缺口正在不断加大，只不过移动平台使用的存储器相比其他细分市场的涨势更为明显，成为了2024年第一季度的领涨项目。

过去一年里，各大DRAM和NAND闪存芯片制造商都选择了减产，人为限制产能输出，从而遏制价格下跌，弥补亏损缺口。经过了多个月的努力，似乎已初见成效，目前整个DRAM和NAND闪存芯片市场的价格都在上涨，结束了长时间供过于求的局面。

作为业界第一大厂，三星的DRAM营收按季度增幅约为15.9%，达到了52.5亿美元，特别是1a nm DDR5量产后，量价齐升，对大容量产品有着稳定的需求；SK海力士受惠于DDR5和HBM产品线，出货量已连续三个季度增长，平均销售价格（ASP）也有10%的增幅，季度增长达到了34.4%，DRAM营收为46.26亿美元，是原厂中增长最为显著的厂商，与三星的市场占有率差距缩减到5%以内；美光的平均销售价格有小幅度下滑，不过因需求回暖，出货量增长，DRAM营收按季度增长了约4.2%，达到了30.75亿美元。

南亚科技受惠于PC客户备货，出货量增长了17%至19%，不过其主流DDR3和DDR4产品需求相对疲乏，平均销售价格仍呈现下滑趋势，DRAM营收为2.44亿美元；华邦在定价策略上较为积极，议价弹性大，出货量也有所增长，DRAM营收上升至1.12亿美元；力积电在DRAM的营收主要是自己的产品，不包含代工，得益于现货价格上涨，DRAM营收按季度增长4.4%。

展望今年第四季度，原厂涨价态度明确，预计DRAM合约价格上涨约13%至18%。买方虽然有备货需求，但是不如过往旺季，而且服务器领域库存水平较高，预计今年第四季度DRAM出货量增幅有限。