据Wccftech报道，苹果已经与三星已签下新的采购协议，后者将为首款可折叠iPhone提供显示屏。三星作为智能手机显示屏领域的领头羊，在很长一段时间内，苹果都是其最大的客户，当涉及到选择最优质的新款显示屏时，苹果再次选择三星的决定并不让人感到意外。

今年早些时候有消息称，苹果正在开发可折叠iPhone，原计划2026年发布，不过由于技术问题已经推迟了，将延至2027年第一季度。虽然三星的Galaxy Z Flip和Galaxy Z Fold经过了多次迭代，技术上已经日趋成熟，但是苹果似乎还在等待技术的进一步成熟，像屏幕的折痕是其主要的关注点之一。

三星经过数年努力，其可折叠智能手机在累积了不错的市场口碑，已连续多个季度成为了这一细分市场的最大厂商。传闻苹果可能会仿照三星的Galaxy Z Flip和Galaxy Z Fold那样，带来两种不同的可折叠iPhone机型。

不过苹果首款可折叠产品可能不是iPhone，有可能是iPad，甚至是MacBook，这些设备过往都传出过开发可折叠产品的消息。

负责HBM4开发的新团队由三星DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon负责，并直接向三星存储芯片业务总裁Lee Jung-base汇报工作，内部也通过调整主要人员等手段来加强新建开发团队的实力。上个月三星还发表了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。

据三星介绍，随着硬件的多功能性变得更加重要，HBM4在设计上也会针对不用的服务应用进行优化，计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（比如8/12/16层堆叠）来应对。为了解决功耗墙的问题，首个创新将从使用逻辑工艺的基础芯片开始，随后是第二个创新，从当前2.5D HBM逐步发展到3D HBM，最后预计会出现第三次创新，比如HBM-PIM，也就是具备计算功能的内存半导体技术，这点之前三星已经有过介绍。

之前还有传言称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。

据ETNews报道，三星正在加快半导体玻璃基板技术的开发，将采购和安装的时间提前到了9月份，并在今年第四季度开始试验运营，比最初的计划整整提早了一个季度。三星希望在2026年开始生产用于高端系统级封装（SiP）的玻璃基板，为了在2026年获得订单，需要2025年就做好准备，展示出足够的能力。

三星计划9月之前就在试验产线上为安装设备做好所有必要的准备，目前已经完成对供应商的选择，包括Philoptics、Chemtronics、Joongwoo M-Tech和德国的LPKF等公司将提供相应的组件。有报告称，三星这种设置旨在简化生产，并严格遵守其安全和自动化标准。

与传统的有机基板相比，玻璃基板克服了传统方法的弊端，具有显著的优势，包括出色的平整度、可提高光刻焦点、以及在多个小芯片互连的下一代系统级封装中具有出众的尺寸稳定性。此外，玻璃基板还有着更好的热稳定性和机械稳定性，使其更适用于数据中心要求的高温、耐用的应用环境。

去年9月，英特尔曾表示希望能成为下一代先进封装玻璃基板生产的行业领导者，其内部团队已经花了近十年的时间进行研发，并打算在亚利桑那州的生产基地进行试产，计划到2030年用于商用产品。

三星晶圆代工最近在尝试争取更多的数据中心产品订单，也需要提供更先进的封装服务辅助，而在玻璃基板上所做的这些努力，可能对未来产生至关重要的影响。

三星电子视觉显示业务执行副总裁Hoon Chung表示：“OLED显示器市场竞争激烈，因此要想达到顶峰，需要无与伦比的创新和产品质量。这一成绩说明了我们对卓越品质的追求和对消费者需求的理解，这也是我们为全球对性能有极高要求的游戏玩家生产出色的OLED游戏显示器的关键因素。”

在CES 2024上，三星宣布扩大其OLED显示器阵容，推出三款新产品：

Odyssey OLED G8（型号G80SD）- 32英寸，16:9，UHD 4K，240Hz，0.03ms GTG

Odyssey OLED G6（型号G60SD）- 27英寸，16:9，QHD 2K，360Hz，0.03ms GTG

Odyssey OLED G9（型号G95SD）- 49英寸，32:9，DQHD，144Hz，0.03ms GTG

三星将继续通过推出新款Odyssey OLED型号让旗下游戏显示器产品线变得更多样化，每款型号都会使用三星专有的OLED技术。这项创新是在采用Quantum Mini LED技术的Odyssey Neo系列以及Odyssey Ark取得成功之后推出的，后者展示了突破性的界面和外形。

新思科技宣布，与三星展开了紧密的合作，后者的新款高性能移动SoC已成功流片。其采用了最新的GAA工艺，由全栈AI驱动的Synopsys.ai EDA套件对CPU进行了特定的优化，提供无与伦比的功耗、性能和面积（PPA）指标，以更低的功耗实现终极峰值性能，在三星晶圆代工的流程上实现了卓越的质量和生产力提升，带来了具有生成式AI功能的新一代芯片。

今年三星将带来第二代3nm工艺技术，也就是SF3（3GAP），与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。传闻Exynos 2500将是三星首款采用SF3工艺制造的智能手机SoC，很可能与Exynos 2400一样，选择应用扇出型晶圆级封装（FoWLP），不但减小了封装的尺寸，而且能更好地控制芯片发热，以提供更强的多核性能表现，并延长设备的续航时间。

按照新思科技的说法，利用Synopsys.ai EDA套件与其他解决方案相结合，进一步优化设计目标并最大限度地提高了结果质量，让三星的新款SoC频率提升了300MHz，并将动态功耗降低了10%，同时为三星缩短了数周手动设计工作。虽然公告中没有提及具体的芯片型号，但结合多方面信息，基本可以确定是Exynos 2500。

玄龙骑士G60SD具有超薄流线型设计，边框最薄处约3.9mm，背后带有涡轮灯环+，可以营造时尚氛围，让玩家打造自己的舒适空间。其采用的是三星原厂新一代27英寸QD-OLED屏幕，色深为10bit，可视角度为178度（水平和垂直），分辨率为2560 x 1440，刷新率最高可达360Hz，响应时间（GtG）为0.03ms，典型亮度为250尼特，静态对比度为1000000:1，DCI-P3色域为99%，支持HDR10和AMD FreeSync Premium Pro技术，无撕裂、不卡顿。

该款显示器带有防眩光涂层，无需遮光罩，相比于传统AGLP技术减少了约61%的眩光，让OLED屏幕纯粹的黑色和丰富的色彩得以呈现。三星还引入了新一代防烧屏解决方案，相较于传统的石墨烯散热方案，搭载的脉动热管技术（PHP）通过冷却剂循环蒸发和冷凝扩散热量，配合智能的检测技术和热调制功能有效减少烧屏风险。三星还提供了AI驱动的logo/任务栏检测技术和热量调制系统，可以针对性降低静态图像亮度，并通过算法优化屏幕亮度曲线，进一步降低烧屏风险。

玄龙骑士G60SD配备了两个HDMI 2.1接口、一个DisplayPort 1.4a接口、以及一个3.5mm音频插孔，并带有USB集线器功能，提供了两个USB 3.0接口。其配备了人体工学底座，具有0至20mm升降高度、-30°至30°水平旋转、-2°至25°前后俯仰、以及-92°至92°垂直旋转。另外还支持100 x 100 mm规格的VESA壁挂，便于玩家使用悬臂支架。

据Business Korea报道，三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm（SF2）工艺中应用第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管工艺技术特性的论文，并带来更多关键细节。

三星称，新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。按照三星的规划，SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。

三星的努力不仅仅在突破技术界限上，过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率，以将用户体验提升到一个新的水平。

与此同时，三星还计划推出第三代3nm工艺，继续提高密度并降低功耗，另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功，传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。

三星已经在本月量产了HBM3E 8H DRAM，以及第9代V-NAND技术的产品，并计划在第二季度内量产HBM3E 12H DRAM和基于1β (b) nm（第五代10nm级别）32Gb DDR5打造的128GB DRAM产品，比原计划里的下半年提前了。按照三星的说法，这是为了更好地应对生成式AI日益增长的需求，所以选择加快了HBM和1β (b) nm 32Gb DDR5的项目进度。

近期企业级QLC SSD的需求攀升，而目前市场上可以提供经验证的企业级QLC产品的厂家只有Solidigm和三星。为此三星已确认，第三季度会量产QLC版本的第9代V-NAND产品，以尽可能地满足企业用户的使用需求。

不少人还关心三星的晶圆代工业务，但三星称，由于市场需求疲软和持续的库存调整，复苏的速度相对比较迟缓。不过三星表示，目前晶圆厂的运营效率已经有所提升，新一代2/3nm制程工艺的开发也较为顺利，另外4nm制程工艺的良品率已日趋稳定。

三星计划下半年量产第二代3nm制程工艺，也就是SF3，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，之前已在试产。

财报显示，三星2024年第一季度的营收为71.92万亿韩元（约合人民币3768.61亿元），低于去年同期为63.75万亿韩元，同比增长12.82%，也高于上一个季度的67.78亿韩元；营业利润为6.61万亿韩元（约合人民币346.36亿元），相比去年同期的6400亿韩元增长了931.87%，相比上一个季度的2.82万亿韩元也有超过翻倍的增长；毛利润为26.03万亿韩元（约合人民币1363.97亿元），不但高出去年同期的17.74万亿，也高出上一个季度的21.66万亿韩元；净利润为6.75万亿韩元（约合人民币353.7亿元），略微高于上一季度的6.34万亿韩元，相比去年同期的1.57万亿韩元猛增329%。

作为全球最大的芯片制造商之一，过往半导体业务一直是三星摇钱树。不过去年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重。随着存储芯片需求增长，现在三星的半导体业务终于缓过来了，本季度DS部门营收为23.14万亿韩元（约合人民币1212.54亿元），营业利润为1.91万亿韩元（约合人民币100.08亿元），这是该业务自2022年以来的首次恢复盈利。

三星预计随着长期低迷局面结束，在人工智能（AI）需求的驱动下，DS部门的营收将恢复到2022年的水平，从而拉动集团的盈利增长。

在印度销售的128GB版本Galaxy S24的设备型号为SM-S921BB，售价为74999印度卢比（约合人民币6513.36元），首发期间会有1000印度卢比的折扣，相比于256GB版本的定价低了5000印度卢比（约合人民币434.23元），看起来降低配置后的价格降幅也不是很大。

Galaxy S24采用6.2英寸第二代动态AMOLED屏，分辨率为2340×1080，峰值亮度均为2600尼特，提供了1-120Hz自适应刷新率；后置镜头模组由5000万像素广角摄像头、1000万像素长焦摄像头、1200万像素超广角摄像头组成，另外前置1200万像素摄像头；电池容量为4000mAh，支持25W有线快充，另外还支持无线充电。有所不同的事，在中国市场销售的Galaxy S24采用了高通第三代骁龙8平台，而在印度市场销售的是Exynos 2400版本。

Galaxy S24国行版提供了8+256GB、12+256GB、8+512GB三种存储组合，价格分别为5499元、5999元和6499元。

据Notebookcheck报道，三星打算延续Galaxy S24系列的双平台战略，在即将到来的Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6上提供高通第三代骁龙8和自家Exynos 2400两种版本。情况应该与Galaxy S24和Galaxy S24+类似，Exynos 2400版本将在某些地区销售，成为第三代骁龙8的替代选择。

其实有关三星为新一代折叠屏手机选择双平台的传言已经流传了一段时间，不过具体信息方面可能有所不同。有消息称，Galaxy Z Flip 6可能是第三代骁龙8和第二代骁龙8并存，另外就是第三代骁龙8和Exynos 2400的组合，现在看起来更倾向于后者。无论如何，Exynos芯片大概率会首次用于Galaxy Z系列机型，打破高通垄断的局面，对于三星来说还是很有意义的。

三星之所以选择双平台战略，成本是很重要的一个因素。一方面高通旗舰SoC定价较高，影响了三星智能手机的利润率，另一方面近期美元走势强劲，也让三星下定决心减少对高通芯片的依赖。

此外，最近还有传言称，三星今年将带来Galaxy Z Flip FE和Galaxy Z Fold FE，希望通过成本更低的新款入门级可折叠机型，提高可折叠智能手机的市场渗透率，特别是扩大中国可折叠智能手机市场的份额。

作为一家全球性的光学公司，蔡司在极紫外（EUV）技术方面拥有2000多项关键专利，对于先进半导体的生产至关重要。蔡司是ASML（阿斯麦）的EUV设备光学系统的独家供应商，一台EUV光刻机包含了30000多个蔡司组件。

李在镕与蔡司的管理层讨论了双方的主要半导体技术趋势和中长期技术路线图，随后还参观了蔡司的工厂，了解了最新半导体元件和设备的生产情况。陪同李在镕访问的还有三星负责半导体生产技术的高管，包括三星电子DS部门首席技术官宋在赫和DS部门制造与技术总裁南锡宇等。三星电子希望通过与蔡司的技术合作，实现下一代半导体的性能提升、生产工艺优化和良率提升，从而提高其业务竞争力。

三星电子计划今年内，通过应用EUV工艺量产第6代10nm级DRAM，并深耕基于EUV技术的3nm以下制程的晶圆代工市场。蔡司也计划到2026年，投资480亿韩元（约合人民币2.52亿元）在韩国建设研发中心，届时双方的战略合作有望进一步加强。

企业级QLC SSD在AI应用搭载提升可能有两个原因，一个是读取速度，另一个是TCO优势。由于AI推理服务器在工作负载中主要以读取为主，写入次数不如AI训练服务器频繁，如果与HDD相比，企业级QLC SSD读取速度优势十分明显。同时现阶段企业级QLC SSD的最大容量已经达到了64TB，而服务器所使用的HDD主流容量在22/24TB，无论单个产品还是单位存储所需要的用电都更少，而且同样存储容量下占用的物理空间也更少，可大幅度降低TCO成本。

随着AI服务器总电力消耗的增加，节能指标变得越来越重要，让企业级QLC SSD成为了AI大客户寻求的最佳解决方案。

Solidigm计划下半年扩大144层QLC NAND闪存的生产，而三星则以176层QLC NAND闪存为主。由于企业级QLC SSD供应商较少，产能吃紧，使得相关产品的价格持续上涨，预计涨势会持续至今年第三季度，季度涨幅5~10%。

传闻AMD计划在今年下半年推出Instinct MI350系列，属于Instinct MI300系列的升级版本。其采用了台积电（TSMC）的4nm工艺制造，以提供更强的性能并降低功耗。由于采用了12层堆叠的HBM3E，提高带宽的同时还加大了容量。

三星的HBM3E 12H DRAM提供了高达1280GB/s的带宽，加上36GB容量，均比起之前的8层堆栈产品提高了50%。由于采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求。该技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能，在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域，将有助于提高产品的良品率。

按照三星的说法，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。

有业内人士称，该笔交易与三星晶圆代工的谈判是分开的。此前有传言称，AMD下一代CPU/GPU将引入三星的工艺。

按照三星的安排，Galaxy S24 FE大概会在今年10月左右发布，不过有消息称，有可能延期到11月。

三星是在去年10月发布了Galaxy S23 FE，外观上沿用了Galaxy S23的设计，采用铝制边框和玻璃后盖，机身支持IP68防尘防水，提供了“ 晴云白”、“山岩灰”、“湖泊绿”和“浆果紫”四种配色。

Galaxy S23 FE提供了第一代骁龙8和Exynos 2200两个版本；配备了一块6.4英寸的第二代动态AMOLED直屏，峰值亮度可达1450尼特，最高对比度为2000000:1，最高支持120Hz刷新率，屏幕支持Vision Booster功能；采用了5000万像素主摄广角镜头（OIS,F 1.8，三星S23同款传感器）+1200万像素超广角镜头（F2.2）+800万像素长焦镜头（OIS，F 2.4，最高支持三倍光学变焦及30倍数码变焦）+1000万像素前置镜头（F 2.4）；搭载了4500mAh电池，支持最高25W有限快充，支持无线充电功能。