美国FRYS网店上已经开始接受三星850 Evo硬盘的预售，目前曝光的是1TB版，SATA III接口，2.5寸7毫米厚度，读取速度550MB/s，写入速度520MB/s，读取速度比840 Evo的540MB/s提高了10MB/s，写入速度则是一样的。

三星的850 Evo升级重点显然不是性能方面的，目前的840及840 Evo都是TLC闪存，而850 Evo虽然也是TLC闪存范畴，不过它跟850 Pro一样会使用三星的V-NAND工艺，初代、二代V-NAND工艺的叠加层数分别是24、32层，不需要太先进的工艺就能实现大容量，850 Pro使用的就是40nm工艺，好处则是写入寿命更高，所以三星850 Evo的写入寿命会是一个关键卖点。

不过850 Evo的价格也延续了三星的风格，目前1TB版的850 Evo预售价为499.99美元，折合人民币大约3057元，价格比429.99美元的840 Evo 1TB略高，但大大低于850 Pro的699.99美元，不过美国商场列出的价格通常是不含税的，所以3000元的价位到了国内恐怕要上升到4000+，而三星840 Evo 1TB国内行货的价格是3599元，850 Pro 1TB的价格是4999元，美光M500的价格是3299元，仅供参考。

在IFA展会上大家关注的焦点都是数码产品，不过三星确实也展示了850 Evo硬盘，宣称这是世界首款3bit 3D V-NAND硬盘，当然三星的3bit闪存实际上就是我们常说的TLC闪存，他们就是觉得TLC名称已经被玩坏了。

三星在描述中提到850 Evo硬盘优化了性能，改善了PC的生产力，而通过3D V-NAND还提升了产品的耐用性，这是之前大家对TLC闪存最不放心的地方。

TLC闪存的性能与可靠性一直是争议的焦点，三星虽然没有公布具体的数据，但看起来850 Evo在这两点上相比目前的840 Evo会更好，他们的底气主要还是来自V-NAND这种技术。

我们都知道理论上MLC闪存性能和可靠性高于TLC闪存，3D V-NAND的MLC也要好于V-NAND的TLC，但3D V-NAND的TLC在性能及可靠性并不见得输给普通的MLC，因为V-NAND这种3D闪存与传统NAND有所不同，详情可以参考之前的V-NAND技术解析，通过多层堆叠，V-NAND闪存不仅容量提升了，而且不依赖更先进的制程，闪存的性能和可靠性提升了，目前三星的V-NAND技术已经发展到了第二代了。

在前不久三星的SSD全球会议上，Techreport得知三星有计划推出3bit V-NAND，只不过三星在透露消息方面一贯很小气，就是不肯说具体细节，不过TR表示在第二代V-NAND发布会上三星提到了今年底会推出容量密度更高的硬盘，或许指的就是这个TLC版的V-NAND闪存。具体命名也不确定，不过惯例可能会用850或者850 EVO这样的名字。

虽然TLC名声不是很好，但是TLC闪存对提高容量密度、降低成本大有裨益，而性能、可靠性上的问题可以通过其他方式弥补，比如三星的840 EVO就使用了SLC缓存的方式改善了写入速度，所以只要技术成熟，NAND厂商们还是会上TLC闪存的，三星起了头，美光很快也会跟进。

此外，V-NAND技术在某种程度上也能改善TLC闪存的缺点，立体多层堆叠的封装使得TLC闪存对制程的要求没有这么高了，还可以减少干扰，这也有助于改善写入性能。

总之，不管某些用户是否接受TLC闪存，三星力推的态度是改不了的，特别是有了V-NAND技术的辅助之后，TLC闪存的一些缺点更有了明显改善，三星迟早会推TLC版的V-NAND闪存，快的话今年底就能见到850 EVO这样的产品了。

可以预想，一旦TLC闪存的V-NAND硬盘上市，届时又免不了引起很多争议。TLC闪存理论上寿命会少很多，不过新技术的进度也不可阻挡，对TLC闪存唯一的质疑应该是：如果它的成本比MLC更低，为何市面上的TLC硬盘相对MLC硬盘并没有价格优势呢？三星解决了这个问题才更有利于TLC闪存为人广泛接受。

三星去年8月份推出了V-NAND闪存（NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解），每个NAND的Die容量是128Gib（16GB），通过3D堆叠技术实现了24层堆叠，当时使用的制程工艺还是30nm级别的，P/E寿命可达35000次，可靠性更高，而且编程时间短，写入性能更高。

三星现在推出的第二代V-NAND闪存提高了堆叠层数，从之前的最多24层提高到了32层，如果继续保持之前的die容量128Gib来算，那么NAND容量将从384GB提升到512GB，提升了三分之一。

第二代V-NAND的制程工艺等具体信息也没有提及，与去年的V-NAND相比应该没什么变化。三星宣称的3D NAND相比传统的2D MLC闪存有2倍的可靠性，功耗降低了20%。

三星此次推出的二代V-NAND闪存的SSD有128、256、512及1TB容量可选，接口为SATA 6Gbps，但是并没有具体的型号，因为目前推出的产品都是面向OEM市场的，今年下半年会推出面向消费级市场的零售型号。

　　据Engadget报道，三星表示新技术令产品的可靠性为上一代的2至10倍，写入速度可以达到原来的2倍，单个芯片可以包含24层堆叠cell单元。